
- •Кафедра «Электроснабжение железнодорожного транспорта»
- •Электроника Конспект лекций
- •Предисловие
- •Введение
- •Лекция 1. Полупроводниковые материалы, конструкция и свойстваp-nперехода
- •1.1. Полупроводниковые материалы
- •1.2. Получение односторонней проводимости
- •1.3. Виды пробояp-nперехода
- •1.4. Ёмкостиp-nперехода
- •1.5. Конструктивное исполнениеp-nперехода
- •Лекция 2. Полупроводниковые диоды, основные параметры и классификация. Режим нагрузки полупроводниковых диодов. Графический и аналитический методы расчёта схем
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •2.2. Классификация и система обозначения полупроводниковых диодов
- •2.3. Режим нагрузки полупроводниковых диодов
- •Лекция 3. Применение полупроводниковых диодов. Однофазные выпрямители
- •3.1. Классификация и основные параметры выпрямителей
- •3.2. Однофазный однополупериодный выпрямитель
- •3.3. Однофазный двухполупериодный выпрямитель
- •3.3. Однофазный мостовой выпрямитель
- •Лекция 4. Сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения. Работа выпрямителей на активно-ёмкостную нагрузку. Схемы с умножением напряжения
- •4.1. Пульсации выпрямленного напряжения
- •4.2. Сглаживающие фильтры
- •4.3. Работа выпрямителя на ёмкостный фильтр
- •4.4. Схемы с умножением напряжения
- •4.5. Внешняя характеристика выпрямителя с ёмкостным фильтром
- •Лекция 5. Полупроводниковые стабилитроны. Параметры, классификация, анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения
- •5.1. Основные параметры стабилитронов
- •5.2. Классификация и система обозначения стабилитронов
- •5.3. Параметрический стабилизатор напряжения
- •5.4. Анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения
- •Лекция 6. Транзисторы биполярные. Классификация, система обозначений, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы
- •6.1. Биполярные транзисторы
- •6.2. Принцип действия биполярного транзистора
- •6.3. Схемы включения биполярного транзистора и их основные параметры
- •6.4. Режимы работы транзистора
- •Лекция 7. Статические характеристики транзисторов
- •7.1. Статические характеристики транзистора в схеме об
- •7.2. Статические характеристики транзистора в схеме оэ
- •7.3. Статические характеристики транзистора в схеме ок
- •Лекция 8. Работа транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Классы усиления
- •8.1. Работа транзистора в режиме нагрузки
- •8.2. Схема однокаскадного транзисторного усилителя
- •8.3. Класс усиления а
- •8.4. Класс усиления в
- •8.5. Класс усиления с
- •8.6. Класс усиленияD(ключевой режим работы транзистора)
- •Лекция 9. Влияние температуры на работу транзистора в режиме нагрузки. Схемы термостабилизации
- •9.1. Схема термостабилизации с оос по току базы
- •9.2. Схема термостабилизации с оос по напряжению база-эмиттер
- •Лекция 10. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора. Частотные характеристики однокаскадных транзисторных усилителей
- •10.1. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора
- •10.2. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя оэ
- •10.3. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя ок
- •10.4. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя об
- •Лекция 11. Двухкаскадные усилители
- •11.1. Двухкаскадный усилитель оэ-оэ
- •11.2. Двухкаскадный усилитель ок-оэ (схема Дарлингтона)
- •11.3. Двухкаскадный усилитель оэ-об (каскодный усилитель)
- •11.4. Дифференциальный усилитель
- •Лекция 12. Полевые транзисторы. Классификация, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы
- •12.1. Классификация полевых транзисторов
- •12.2. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющимp-n переходом
- •12.3. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором
- •12.4. Основные параметры полевых транзисторов
- •12.5. Схемы включения полевого транзистора и их основные параметры
- •Лекция 13. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Влияние температуры. Частотные и шумовые характеристики
- •13.1. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки
- •13.2. Влияние температуры на работу полевого транзистора
- •13.3. Частотные характеристики полевых транзисторов
- •13.4. Шумовые характеристики полевых транзисторов
- •Лекция 14. Тиристоры, принцип работы, классификация и основные параметры
- •14.1. Устройство и принцип работы тиристора
- •14.2. Переходные процессы при открывании и закрывании тиристора
- •14.3. Влияние скорости нарастания прямого напряжения на работу тиристора
- •14.4. Классификация и система условных обозначений
- •Лекция 15. Применение динисторов и не запираемых тиристоров. Генератор пилообразного напряжения. Регулируемый выпрямитель. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока
- •15.1. Генератор пилообразного напряжения (гпн)
- •15.2. Схема управления тиристором
- •15.3. Применение тиристоров. Управляемый выпрямитель
- •15.4. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока
- •Лекция 16. Запираемые тиристоры. Симметричные тиристоры – симисторы
- •16.1. Запираемые тиристоры
- •16.2. Симметричные тиристоры – симисторы
- •16.3. Применение симисторов. Регулятор переменного напряжения
- •Лекция 17. Светодиоды. Фотодиоды. Оптоэлектронные устройства
- •17.1. Светодиоды
- •17.2. Фотодиоды
- •17.3. Оптроны
- •Лекция 18. Аналоговые интегральные микросхемы
- •18.1. Классификация аналоговых интегральных микросхем
- •18.2. Применение аналоговых интегральных микросхем
- •Библиографический список
Лекция 11. Двухкаскадные усилители
В лекции 8 при анализе работы однокаскадных усилителей были вычислены коэффициенты усиления по напряжению КU, по токуКIи по мощностиКР, которые для класса усиления А составили 100; 64,3 и 6430. Если требуется обеспечить более высокое усиление, надо применять несколько каскадов. Существуют схемы, в которых решается задача получения максимального усиления либо по напряжениюКU, либо по токуКI, либо по мощностиКР. Рассмотрим такие схемы на примере двухкаскадных усилителей.
11.1. Двухкаскадный усилитель оэ-оэ
Двухкаскадный усилитель ОЭ-ОЭ предназначен для получения наибольшего усиления по напряжению. Схема усилителя представлена на рис. 11.1.
Рис. 11.1. Двухкаскадный усилитель ОЭ-ОЭ
Каждый из каскадов выполнен по схеме термостабилизации с ООС по напряжению база-эмиттер. Для увеличения коэффициента усиления по напряжению первого каскада сопротивление резистора R3 выбирают как можно больше (до десятков кОм), а ток коллектора устанавливают небольшим (менее 1 мА). Во втором каскаде ток коллектора выбирают в соответствии с сопротивлением нагрузки. Оба каскада работают в классе А.
Особенностью работы схемы является то, что каждый каскад ОЭ изменяет фазу усиливаемого сигнала на 1800. Результирующий сдвиг фаз схемы равен 00. Если не принять специальных мер, может возникнуть паразитная генерация («свист» или «рокот» в зависимости от ёмкости переходных конденсаторов С1 и С3) из-за положительной обратной связи через внутреннее сопротивление источника питания. Для устранения этого применяется ФНЧ (фильтр низких частот), который выполнен на элементахRф, Сф. Фильтр включён в цепь питания между каскадами.
Коэффициент усиления схемы по напряжению равен произведению коэффициентов усиления каскадов
.
(11.1)
Недостатком такой схемы является зависимость коэффициента усиления в области низких частот от величины ёмкости переходных конденсаторов и величины ёмкости конденсаторов в цепях эмиттеров транзисторов, как это было отмечено в лекции 10.
11.2. Двухкаскадный усилитель ок-оэ (схема Дарлингтона)
Двухкаскадный усилитель ОК-ОЭ предназначен для получения наибольшего усиления по току. Эту схему называют также составной или супер-транзистор. Схема усилителя представлена на рис. 11.2.
Рис. 11.2. Двухкаскадный усилитель ОК-ОЭ
Транзистор VT1 включён по схеме ОК, следовательно, его коэффициент усиления по току составляет 1+1. Его нагрузкой служит низкое входное сопротивление транзистора VT2, включённого по схеме ОЭ.
Коэффициент усиления схемы по току равен произведению коэффициентов усиления каскадов
.
(11.2)
Составные транзисторы могут быть сформированы в одном кристалле и выпускаются в одном корпусе (КТ827, КТ829). Их применяют для управления нагрузками, требующими большого тока (до 10 А).
11.3. Двухкаскадный усилитель оэ-об (каскодный усилитель)
Двухкаскадный усилитель ОЭ-ОБ предназначен для получения наибольшего усиления по мощности. Чтобы пояснить принцип работы такого усилителя, рассмотрим схему на рис. 11.3.
Транзистор VT1, включённый по схеме ОЭ, работает в режиме короткого замыкания на выходе, так как входное сопротивление транзистора VT2, включённого по схеме ОБ, маленькое. Поэтому транзистор VT1 обладает максимальным коэффициентом усиления по току KI 1.
Рис. 11.3. Схема, поясняющая принцип работы усилителя ОЭ-ОБ
Сопротивление нагрузки в цепи коллектора транзистора VT2 выбирают как можно больше, чтобы схема ОБ обладала большим коэффициентом усиления по напряжению KU 200.
Практическая схема двухкаскадного усилителя ОЭ-ОБ представлена на рис. 11.4.
Рис. 11.4. Двухкаскадный усилитель ОЭ-ОБ (каскодный усилитель)
Особенность схемы заключается в том, что оба транзистора получают питание от одного источника. База транзистора VT2 для работы с общей базой заземлена по переменному току через конденсатор СФ.
Коэффициент усиления схемы по мощности равен произведению коэффициентов усиления каскадов
.
(11.3)
Каскодный усилитель применяется для усиления сигналов высокой частоты (от единиц до сотен МГц).