Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Конспект_ИЭЭ_14

.pdf
Скачиваний:
94
Добавлен:
31.03.2015
Размер:
10.55 Mб
Скачать

 

 

170

Для анизотропных диэлектриков

D

и E не параллельны. Диэлектрические свой-

ства вещества определяются тензором диэлектрической проницаемости

 

ε

 

ε

 

 

 

ε

 

 

xx yx zx

ε ε ε

xy yy zy

ε

 

 

xz

ε

 

yz

 

ε

 

zz

 

и

 

ε

 

ε

 

ε

E

 

 

 

xx

 

xy

 

xz

x

D ε0

εyx

εyy

εyz Ey .

 

εzx

εzy

 

 

 

 

εzz Ez

ПРИМЕР

Поле точечного заряда в однородном диэлектрике

Точечный заряд Q > 0 находится в безграничном диэлектрике с относительной диэлектрической проницаемостью ε (РИС. 21.4). Найдём ряд векторных характеристик электрического поля, создаваемого этим зарядом.

S

ε

Q

 

r

 

A

 

 

Рис. 21.4

охваченный заряд q

S

 

Связь между D

и E :

Так как в пространстве имеется диэлектрик, воспользуемся теоремой Остроград-

ского-Гаусса для D

 

DdS q

S

.

 

 

S

 

 

 

Выберем поверхность интегрирования S в виде сферы радиуса r – расстояние от заряда Q до точки A, в которой исследуется поле, с центром в точке, где расположен

заряд Q; нормаль dS направлена радиально, как и D . Поток D

DdS Dr 4πr2 ,

S

Q . Получим

 

 

D 4πr2

Q, D

Q

.

4πr2

r

r

 

D ε

εE

0

 

Dr

ε εE

r

0

,

Er

 

D

 

Q

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε ε

 

4πε

εr

2

 

 

 

 

0

 

0

 

 

.

Поляризованность, исходя из определения

D

(21.5),

P D ε0 E

P D ε E

 

 

Q

 

 

ε Q

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

r

0

r

 

4πr

2

 

4πε εr

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

Q

 

4πr

2

 

 

1

 

1

 

 

ε

 

 

 

 

 

.

Найдём также напряжённость электрического поля свободных и связанных зарядов. Проекция напряжённости электрического поля свободных зарядов на радиальное направление (см. 3.2.2)

171

E0r

 

Q

 

4πε r

2

 

 

 

 

0

 

.

Так как E E0 E , напряжённость электрического поля связанных зарядов

E E

 

E

 

 

Q

 

 

Q

 

 

Q

 

 

1

1

 

0

r

0r

 

2

 

2

 

2

 

 

 

r

 

 

4πε εr

 

4πε r

 

4πε r

ε

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

0

 

 

0

 

 

 

 

– поле связанных зарядов направлено против поля свободных зарядов. Отношение

E

r

 

1

1

 

 

 

 

 

 

 

 

E

0r

 

ε

 

 

 

 

 

– диэлектрик ослабляет электрическое поле свободных зарядов в ε раз. Демонстрация: Изменение потенциала при вводе диэлектрической пластины

4. Теорема Остроградского-Гаусса в дифференциальной форме

Дивергенция

divE E

– скалярная функция векторного аргумента. В декартовых координатах

divE

E

x

 

E

y

 

E

z

;

 

 

 

x

y

z

 

 

 

 

в сферических координатах

divE

1

 

2

 

 

 

1

 

 

E

 

sinθ

r

2

r

r E

r

r sinθ θ

θ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в цилиндрических координатах

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

divE

1

rEr

1 Eφ

 

Ez

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r r

r

φ

z

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

Eφ

r sinθ φ

.

;

Можно доказать, что из теоремы Остроградского-Гаусса в интегральной форме (21.4), (21.5), (21.7) следует теорема Остроградского –Гаусса в дифференциальной форме:

PdS q S

S

divP ρ

,

(21.8)

DdS q S

S

divD ρ

,

EdS q S

q S

S

ε0

divE

ρ ρ

ε

 

 

0

.

172

ПРИМЕР

Расчёт объёмной плотности связанных зарядов (см. ПРЕДЫДУЩИЙ ПРИМЕР)

Точечный заряд Q находится в безграничном диэлектрике относительной диэлектрической проницаемостью ε. Найти объёмную плотность связанных зарядов в диэлектрике как функцию от расстояния r от заряда Q.

РАНЕЕ была получена зависимость поляризованности от r:

P

r

r

 

Q

 

4πr

2

 

 

1

 

 

 

 

 

1 ε

 

.

Рассчитаем объёмную плотность связанных зарядов по теореме ОстроградскогоГаусса для P в дифференциальной форме (21.8):

 

 

1 d

2

 

1 d

 

r2Q

 

 

1

 

ρ

divP

 

 

 

 

r

Pr

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

0 .

r

2

 

dr

r

2

 

 

4πr

2

ε

 

 

 

 

 

 

 

 

dr

 

 

 

 

 

 

173

Лекция 22

3.3.3. Электрическое поле в диэлектриках (продолжение)

5. Условия на границе раздела двух диэлектриков

Проанализируем, как изменяется электрическое поле при переходе из одной среды (диэлектрика) в другую.

Пусть имеются два изотропных диэлектрика (относительные диэлектрические проницаемости ε1 и ε2), граничащие друг с другом (РИС. 22.1). В среде с ε1 суще-

ствует электрическое поле с напряжённостью E1 и электрическим смещением

D1

. Свободные заряды на границе раздела сред отсутствуют. Найдём векторные

характеристики поля в среде с ε2 E2

и

D2

тельную τ к поверхности раздела сред).

 

 

(в проекциях на нормаль n и каса-

ε1

 

ε1

1

2

 

 

 

 

 

ε2

 

ε2

4

3

S

 

 

 

L

а

 

 

 

б

 

Рис. 22.1

 

 

1) Dn

Воспользуемся теоремой Остроградского-Гаусса для

 

DdS q

S

.

 

 

S

 

 

 

D

Выберем поверхность интегрирования S в виде цилиндра, основания которого параллельны границе раздела сред, а высота мала (РИС. 22.1А). Поток D

 

DdS D

S

торц

 

 

DdS D

S

торц

 

1n

 

 

 

2n

 

 

S

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

бок

 

 

 

 

 

охваченный поверхностью S заряд q 0S 0 , так

нице раздела отсутствуют. Поэтому

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2n

1n

 

 

 

D2n D1n Sторц ;

как свободные заряды на гра-

(22.1)

– нормальная составляющая вектора электрического смещения не претерпевает скачка на границе раздела диэлектриков.

2) En

Связь D

поэтому

и

E

в изотропном диэлектрике

D ε0εE ,

174

D1n ε0ε1E1n , D2n ε0ε2E2n .

С учётом условия (22.1)

ε0ε1E1n ε0ε2E2n

E

 

 

ε

 

2n

1

 

 

E

 

 

ε

 

1n

 

 

 

 

2

(22.2)

– нормальная составляющая напряжённости электрического поля претерпевает скачок на границе раздела диэлектриков.

3) Eτ

Воспользуемся I уравнением Максвелла – условием потенциальности электростатического поля

Edl 0.

L

Выберем контур интегрирования L в виде прямоугольника, одна пара сторон которого параллельная границе раздела сред (стороны 1-2 и 3-4 на РИС. 22.1Б), а дру-

гая мала (стороны

L

2-3 и 4-1).

Edl E

l

 

1τ 12

Циркуляция

 

3

 

 

 

 

 

 

 

Edl E

 

l

 

 

 

2τ

34

 

2

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

2τ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

E

по контуру L

1

Edl E

 

 

 

l

 

1τ

E

2τ

 

 

 

12

4

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1τ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

,

(22.3)

– тангенциальная составляющая напряжённости электрического поля не претерпевает скачка на границе раздела диэлектриков.

4) Dτ

Из связи между

D

и

E

и условия

D

ε ε

E

1τ

0 1

 

(22.3) получим

1τ , D2τ ε0ε2E2τ

Dε2

Dε1

D

 

D

,

1τ

2τ

 

 

ε

 

ε

 

1

 

2

 

(22.4)

– тангенциальная составляющая электрического смещения претерпевает скачок на границе раздела диэлектриков.

3.3.4. Проводники в электростатическом поле

Свойства электростатического поля в проводниках55

1.Внутри проводника напряжённость электрического поля равна нулю:

Eвнутри 0.

В противном случае по проводнику будет идти ток, так как в проводнике имеются свободные заряды, свободно перемещающиеся под действием электрического поля.

Демонстрация: Клетка Фарадея

55 Следует отметить, что эти утверждения относятся только к электростатическому полю в проводниках, т. е. к случаю, когда электрический ток отсутствует.

175

2.Напряжённость электрического поля перпендикулярна поверхности проводника:

Eτ

0

,

E En

.

Если Eτ ≠ 0, то по поверхности проводника будет идти ток.

3.Нескомпенсированный заряд располагается на поверхности проводника:

ρ0 .

Доказательство

Проведём внутри проводника произвольную замкнутую поверхность S (РИС. 22.2). Теорема Остроградского-Гаусса для D

 

 

 

 

 

DdS q

S

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

Но

D 0

, так как

E 0

,

поэтому DdS 0

и

q

S

0

, т. е.

S

нескомпенсированного заряда внутри проводника нет.

S

Рис. 22.2

Демонстрация: Стекание заряда с острия 4. Поверхность проводника эквипотенциальна (а также весь объём проводника):

φ const

.

Доказательство

 

Найдём разность потенциалов между точками 1 и 2 на одном

2

проводнике, соединив эти точки кривой, целиком лежащей внут-

 

ри проводника (РИС. 22.3), и воспользовавшись интегральной свя- 1

 

зью напряжённости и потенциала электростатического поля:

 

12

 

2

 

 

 

Edl 0

φ

 

 

 

1

 

φ1

φ2

, ч. т. д.

Рис. 22.3

Демонстрация: Распределение заряда на поверхности проводника

5.Нормальная проекция электрического смещения у поверхности проводника равна поверхностной плотности свободных зарядов:

Dn

Доказательство

σ

.

Применим теорему Остроградского-Гаусса для D , выбрав поверхность интегрирования S в виде цилиндра, одно из оснований которого лежит внутри проводника, а другое плотно прилегает к поверхности проводника с внешней стороны (РИС. 22.4):

 

DdS q

S

;

 

 

S

 

 

 

DdS DnSторц ,

S

S

Рис. 22.4

так как внутри проводника D 0 ме внешнего торца, равны нулю;

и потоки D через все стороны цилиндра S, кро-

q S σSторц ,

ПРИМЕРЫ В РАЗ-

176

так как заряд распределён только по поверхности проводника;

D S

торц

σS

торц

n

 

Dn

σ

, ч. т. д.

3.4. Электрическая ёмкость

3.4.1. Ёмкость уединённого проводника

Уединённый проводник – проводник, удалённый от других тел, так что влиянием их электрических полей можно пренебречь.

Рассмотрим, как изменяются напряжённость электрического поля и потенциал уединённого проводника при изменении его заряда. При увеличении заряда в n раз напряжённость поля и потенциал увеличатся также в n раз (см.

ДЕЛЕ 3.2.4).

Электрическая ёмкость уединённого проводника – характеристика проводни-

ка, равная отношению заряда проводника к его потенциалу:

C

Q

φ

 

 

 

, C Ф (фарад).

Ёмкость не зависит от заряда, потенциала и прочих характеристик электрического поля, она зависит от формы и размеров проводника и диэлектрических свойств среды, его окружающей.

ПРИМЕР

Ёмкость шара

Уединённый проводник – металлический шар радиуса R находится в вакууме (РИС. 22.5). Найти ёмкость проводника.

Q

O R

r

A

Рис. 22.5

SМысленно зарядим проводник зарядом Q и рассчитаем потенциал проводника (потенциал отсчитывается от бесконечно удалённой точки).

Сначала найдём напряжённость электрического поля из теоремы Остроградского-Гаусса для E :

 

q

 

 

 

EdS

 

S

 

ε

.

S

 

0

 

Поверхность интегрирования S – сфера радиуса r, где r

– расстояние от центра шара до точки, где измеряется поле, концентричная заряженному шару. Поток E

EdS Er 4πr

2

 

S

 

(см. ПРИМЕР 1) В РАЗДЕЛЕ 3.2.3), охваченный заряд равен заряду шара Q;

E

4πr

2

 

Q

 

 

 

r

 

 

 

ε

 

 

 

 

 

 

 

 

0

Er

Q

 

.

4πε r2

 

0

 

Потенциал шара найдём из интегральной связи напряжённости и потенциала электростатического поля:

R

 

R

 

 

 

R

 

 

φ Erdr

Q

dr2

Q 1

 

Q

.

 

 

 

 

4πε

4πε r

4πε R

 

 

r

 

 

0

 

0

 

0

 

177

По определению ёмкости

C

Q

φ

 

4πε

R

0

 

.

3.4.2. Взаимная ёмкость двух проводников

 

 

Рассмотрим систему, состоящую из двух проводников, заря-

 

q

ды которых равны по модулю и противоположны по знаку q

 

(РИС. 22.6). Разность потенциалов между проводниками про-

 

 

порциональна модулю их заряда: φ+ φ~ q. Отношение

φ+

φ

 

 

 

 

 

 

C

 

q

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 22.6

 

φ φ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

взаимная ёмкость проводников. Эта величина зависит от размеров, формы, взаимного расположения проводников и диэлектрических свойств среды и не зависит от заряда, потенциала и прочих характеристик электрического поля.

3.4.3. Конденсаторы

Конденсатор – система двух проводников, расположенных настолько близко друг к другу, что, если этим проводникам сообщить одинаковые по модулю, но разные по знаку заряды, электрическое поле будет в основном сосредоточено между этими проводниками – обкладками конденсатора. Модуль заряда каждой из обкладок – заряд конденсатора.

Ёмкость конденсатора – характеристика конденсатора, равная отношению заряда конденсатора к модулю разности потенциалов между его обкладками (напряжению на обкладках):

C

 

Q

 

 

Q

φ

 

φ

U

 

 

 

 

 

 

 

 

.

(22.5)

Ёмкость конденсатора зависит от формы и размеров обкладок, их взаимного расположения, диэлектрических свойств среды между обкладками и не зависит от заряда, напряжения и т. п.

Для расчёта ёмкости любого конденсатора нужно мысленно придать ему заряд, найти напряжение между обкладками, а затем ёмкость по определению (22.5).

В ТАБЛИЦЕ 22.1 представлены конденсаторы простейшей формы и стандартные формулы56 для вычисления их ёмкости. Примеры вывода подобных формул даны

НИЖЕ.

56 Эти формулы относятся к конденсаторам, пространство между обкладками которых заполнено однородным диэлектриком с относительной диэлектрической проницаемостью ε. В других случаях формулы для вычисления ёмкости нужно выводить заново, пользуясь определением ёмкости.

Плоский

ε

S

d

d << размеров пластин

C

ε εS

0

 

 

d

ПРИМЕРЫ

178

Конденсаторы

Цилиндрический

R2

εR1

l

R

R

l

2

1

 

C

2πε εl

 

0

 

 

 

ln

R

 

2

 

 

 

 

R

 

 

1

Таблица 22.1

Сферический

ε O R1

R2

C

4πε εR

R

0

1

2

 

 

R R

 

 

2

1

1) Расчёт ёмкости плоского конденсатора, заполненного однородным диэлектриком

Имеется плоский конденсатор, площадь обкладок которого равна S, расстояние между обкладками – d, пространство между обкладками заполнено диэлектриком с относительной диэлектрической проницаемостью ε (РИС. 22.7). Найти ёмкость конденсатора.

Q

ε

Q

 

 

Зарядим обкладки конденсатора заря-

 

 

дом Q. Найдём электрическое смещение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в пространстве внутри конденсатора с

 

 

 

 

 

помощью

 

теоремы

Остроградского-

 

 

 

 

 

Гаусса

 

 

 

 

 

 

 

 

A

 

 

 

 

 

 

DdS q

S

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

здесь q

S

– сумма свободных зарядов,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

охваченных

поверхностью S.

Поверх-

 

 

 

 

ность интегрирования S выберем в виде

 

 

 

 

 

 

 

d

 

x

цилиндра, основания

которого

парал-

0

 

 

лельны обкладкам конденсатора, один

 

 

 

 

 

 

Рис. 22.7

из торцов располагается вне конденса-

тора (за положительно заряженной об-

 

кладкой), а другой – внутри конденсатора. Вне конденсатора поле отсутствует (это легко показать с помощью принципа суперпозиции полей, воспользовавшись

результатом РАСЧЁТА ПОЛЯ РАВНОМЕРНО ЗАРЯЖЕННОЙ ПЛОСКОСТИ), внутри конденса-

тора оно однородно;

179

DdS

S

D S

торц

x

,

q

S

 

σSторц

,

σ – поверхностная плотность заряда положительно заряженной обкладки,

σQ S

.

Заметим, что легко найти поток D

мы можем благодаря тому, что пластины счи-

таются большими, т. е. практически бесконечными – мы пренебрегаем краевыми эффектами. Получим

Dx σ

Q

.

S

 

 

Далее, найдём напряжённость электрического поля через связь

D

и

E

D ε

εE

0

 

E

x

 

D

 

Q

x

 

 

 

 

 

ε ε

 

ε εS

 

0

 

0

.

Затем найдём разность потенциалов между обкладками конденсатора, воспользовавшись интегральной связью напряжённости и потенциала электростатического поля:

 

 

φ 0 φ d

0

 

 

0

Q

 

Qd

 

 

 

x

dx

 

dx

U φ

φ

 

E

 

ε εS

ε

εS

 

 

 

 

 

d

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

0

 

Наконец, по определению ёмкости (22.5)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

Q

 

ε εS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

d

 

 

 

 

 

 

– формула, приведённая в ТАБЛ. 22.1. Демонстрация: Плоский раздвижной конденсатор

.

2) Расчёт ёмкости воздушного коаксиального кабеля (цилиндрического конденсатора)

Имеется воздушный коаксиальный кабель (в пространстве между обкладками ε = 1), радиусы обкладок равны R1 и R2 (РИС. 22.8). Найти ёмкость кабеля, приходящуюся на отрезок единичной длины.

Ход решения будет аналогичен ПРЕДЫДУЩЕМУ ПРИМЕРУ. Зарядим обкладки линей- τ τ ными плотностями τ (внутреннюю обкладку) и –τ (внешнюю обкладку). Так как между обкладками нет диэлектрика, мож-

h

r

но обойтись без

D

. Теорема Остроградско-

 

 

го-Гаусса для E

 

 

 

 

A

 

 

 

 

EdS q S .

 

 

 

 

 

 

 

 

S

S

 

ε0

 

 

Поверхность интегрирования S выберем в

 

 

 

 

 

 

виде цилиндра, коаксиального (соосного)

 

 

Рис. 22.8

кабелю, произвольной высоты h, много

 

 

 

меньшей длины кабеля, радиуса r, где r

расстояние от оси кабеля до точки, в которой измеряется поле. Внутри внутреннего провода (при r < R1) и вне кабеля (при r > R2) поля нет.