- •1 Движение электрона в кристалле. Уравнение Шрёдингера, волновая функция
- •1.2 Движение электронов в атоме
- •1.3 Зонная теория твердого тела
- •Глава 2. Электропроводность полупроводников
- •2.1 Собственные и легированные полупроводники. Уравнение электронейтральности
- •2.2 Статистика электронов и дырок
- •2.2.1 Заполнение электронами зон вырожденного полупроводника
- •2.2.1 Заполнение электронами и дырками зон невырожденного полупроводника
- •2.2 Положение уровня Ферми и расчет концентрации носителей
- •2.2.1 Донорный полупроводник
- •2.3 Электропроводность полупроводников
- •2.3.1 Электронная проводимость
- •2.3.2 Дырочная проводимость
- •2.3.3 Собственная проводимость
- •Глава 3. Неравновесные электронные процессы
- •3.4 Диффузионный и дрейфовый токи
- •3.2. Неравновесные носители в электрическом поле
- •3.2.1. Уравнение непрерывности тока
- •5 Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •5.1 Возникновение потенциального барьера. Контактная разность потенциалов.
- •5.2 Вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •5.3 Температурные зависимости вах pn-перехода
- •5.3 Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на вах pn-перехода.
- •5.4 Барьерная емкость pn-перехода
- •5.5 Диффузионная емкость pn-перехода
- •5.6 Пробой pn-перехода
- •5.6.1 Лавинный пробой pn-перехода
- •5.6.2 Туннельный (полевой, зинеровский) пробой pn-перехода
- •5.6.3 Тепловой пробой pn-перехода
- •5.7 Влияние сопротивления базы на вах pn-перехода. Полупроводниковый диод
- •5.8 Выпрямление на полупроводниковом диоде
- •5.8.2 Переходные процессы в полупроводниковых диодах
- •5.9 Полупроводниковые диоды
- •5.9.1 Выпрямительные диоды
- •5.9.2 Стабилитроны
- •5.9.3 Туннельные диоды
- •6 Биполярные транзисторы
- •6.1 Включение транзистора по схеме с общей базой
- •6.1.1 Статические вольт-амперные характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •6.1.2 Усиление транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •6.2 Включение транзистора по схеме с общим эмиттером
- •6.2.1 Статические вольт-амперные характеристики транзистора, включенные по схеме с общим эмиттером
- •6.3 Включение транзистора по схеме с общим коллектором
- •6.4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •6.4.1 Температурная зависимость параметров биполярных транзисторов
- •6.5 Работа транзистора в импульсном режиме
- •7 Тиристоры
- •7.1 Вольт-амперная характеристика тиристора
- •7.2 Типы тиристоров
- •8 Униполярные транзисторы
- •8.1 Полевой транзистор с управляющим pn- переходом (птуп)
- •8.1.1 Вольт-амперные характеристики птуп
- •Мдп–структура
- •1. Идеальная мдп-структура
- •2 Вольт-амперные характеристики мдп-транзистора
- •8.2.2 Схемы включения мдп-транзистора
- •4.2. Барьер на границе металла с полупроводником (барьер Шоттки)
- •4.2.1 Выпрямление тока на контакте металла с полупроводником
- •Фотоэлектрические полупроводниковые приборы
- •7.2. Полупроводниковые источники оптического излучения
- •10 Классификация интегральных микросхем
- •10.2 Условные обозначения микросхем
- •10.3 Элементы микросхем
- •10.4 Технология изготовления микросхем
- •10.4.1 Корпуса микросхем
10.3 Элементы микросхем
Элементы полупроводниковых ИС.
Биполярные транзисторы – базовый элемент биполярной ИС. Как правило, n-p-n. Могут иметь несколько эмиттеров (многоэмиттерные).
Изоляция от остальных элементов:
p-n переходом;
диэлектрической изоляцией (изопланарные транзисторы).
Для повышения быстродействия транзисторов шунтируют коллекторный переход диодом Шотки, в котором используется переход металл-полупроводник (у ДШ на 30% ниже ΔUпр).
2. Полупроводниковые диоды – используются эмиттерные или коллекторные переходы транзисторной структуры (обычно Э, а Б и К соединяют).
3. Полупроводниковые конденсаторы – на базе pn–переходов. Работают при закрывающем напряжении. С < = 100 пФ).
4. Резисторы – используются резистивные свойства областей Э (30-70 кОм), Б (10-100 кОм), К (2-100 Ом).
5. Элементы с инжекционным питанием. Ток возникает при вводе в базу (инжекции) избыточных носителей заряда. Для этого имеется специальный электрод – инжектор (генератор тока).
2 режима работы:
1) насыщение (инжекция, транзистор открыт);
2) отсечка (закрыт).
Достоинства:
1) большая плотность размещения элементов (инжектор используется на 10…20 элементов)
2) самые экономичные (потребляемая мощность 0,01…0,1 мВт)
3) работа переключения мала (1 пДж) (tзадержки×Рпотреб. мощность)
6. МДП – транзисторы применяют с индуцированным и со встроенным каналом (канал n-типа).
Достоинства: 1) более технологичны (в 1,5 раза меньше операций по изготовлению);
2) меньшая площадь.
7. МДП – резисторы – используется сопротивление канала транзистора (> 200 кОм = f(Uзатвора)).
8. МДП – конденсаторы образуются металлическим затвором, подзатворным диэлектриком и сильно легированной областью n+ (С < = 1000 пФ)
9. Комплементарные МДП – транзисторы. Последовательное включение двух МДП – транзисторов с каналами разного типа проводимости.
10. МНОП – транзисторы (+ Н – нитрид кремния)
10.4 Технология изготовления микросхем
Все элементы ИС и их соединения выполнены в едином технологическом цикле на общей подложке.
Технологические процессы:
а) наращивание полупроводникового материала на кремниевой подложке;
б) термическое окисление кремния для получения слоя окисла SiO2, защищающего поверхность кристалла от внешней среды;
в) фотолитография, обеспечивающая требуемые конфигурации пленок(SiO2, металл и т.п.) на поверхности подложки;
г) локальная диффузия – перенос примесных атомов в ограниченные области полупроводника (в настоящее время – ионная имплантация легирующего вещества);
д) напыление тонких (до 1 мкм) пленок;
е) нанесение толстых (более 1 мкм) пленок путем использования специальных паст с их последующим вжиганием.
ИС изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей следующие отличительные особенности:
1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.
2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.
3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).
Последовательность основных этапов построения полупроводниковой ИС:
Выращивание кристалла кремния.
Разрезка на пластины (200…300мкм, Ø 40 – 150мм).
Очистка поверхности пластин.
Получение элементов и их соединений на пластине.
Разрезка пластин на отдельные части (кристаллы).
Закрепление в корпусе.
Подсоединение выводов с контактными площадками.
Герметизация корпуса.
Пр. Фотолитография:
Очистка пластин.
Нанесение фоторезистора.
Сушка.
Совмещение с фотошаблоном и экспонирование.
Травление SiO2.
Задубливание (сушка).
Проявление.
Удаление фоторезистора.
Пр. Толстопленочная технология:
Очистка подложек.
Трафаретная печать.
Сушка и вжигание.
Подгонка.
Монтаж в корпусе.
Армирование.
Монтаж компонентов.
Присоединение выводов.
Герметизация.
Испытания.