- •1 Движение электрона в кристалле. Уравнение Шрёдингера, волновая функция
- •1.2 Движение электронов в атоме
- •1.3 Зонная теория твердого тела
- •Глава 2. Электропроводность полупроводников
- •2.1 Собственные и легированные полупроводники. Уравнение электронейтральности
- •2.2 Статистика электронов и дырок
- •2.2.1 Заполнение электронами зон вырожденного полупроводника
- •2.2.1 Заполнение электронами и дырками зон невырожденного полупроводника
- •2.2 Положение уровня Ферми и расчет концентрации носителей
- •2.2.1 Донорный полупроводник
- •2.3 Электропроводность полупроводников
- •2.3.1 Электронная проводимость
- •2.3.2 Дырочная проводимость
- •2.3.3 Собственная проводимость
- •Глава 3. Неравновесные электронные процессы
- •3.4 Диффузионный и дрейфовый токи
- •3.2. Неравновесные носители в электрическом поле
- •3.2.1. Уравнение непрерывности тока
- •5 Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •5.1 Возникновение потенциального барьера. Контактная разность потенциалов.
- •5.2 Вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •5.3 Температурные зависимости вах pn-перехода
- •5.3 Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на вах pn-перехода.
- •5.4 Барьерная емкость pn-перехода
- •5.5 Диффузионная емкость pn-перехода
- •5.6 Пробой pn-перехода
- •5.6.1 Лавинный пробой pn-перехода
- •5.6.2 Туннельный (полевой, зинеровский) пробой pn-перехода
- •5.6.3 Тепловой пробой pn-перехода
- •5.7 Влияние сопротивления базы на вах pn-перехода. Полупроводниковый диод
- •5.8 Выпрямление на полупроводниковом диоде
- •5.8.2 Переходные процессы в полупроводниковых диодах
- •5.9 Полупроводниковые диоды
- •5.9.1 Выпрямительные диоды
- •5.9.2 Стабилитроны
- •5.9.3 Туннельные диоды
- •6 Биполярные транзисторы
- •6.1 Включение транзистора по схеме с общей базой
- •6.1.1 Статические вольт-амперные характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •6.1.2 Усиление транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •6.2 Включение транзистора по схеме с общим эмиттером
- •6.2.1 Статические вольт-амперные характеристики транзистора, включенные по схеме с общим эмиттером
- •6.3 Включение транзистора по схеме с общим коллектором
- •6.4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •6.4.1 Температурная зависимость параметров биполярных транзисторов
- •6.5 Работа транзистора в импульсном режиме
- •7 Тиристоры
- •7.1 Вольт-амперная характеристика тиристора
- •7.2 Типы тиристоров
- •8 Униполярные транзисторы
- •8.1 Полевой транзистор с управляющим pn- переходом (птуп)
- •8.1.1 Вольт-амперные характеристики птуп
- •Мдп–структура
- •1. Идеальная мдп-структура
- •2 Вольт-амперные характеристики мдп-транзистора
- •8.2.2 Схемы включения мдп-транзистора
- •4.2. Барьер на границе металла с полупроводником (барьер Шоттки)
- •4.2.1 Выпрямление тока на контакте металла с полупроводником
- •Фотоэлектрические полупроводниковые приборы
- •7.2. Полупроводниковые источники оптического излучения
- •10 Классификация интегральных микросхем
- •10.2 Условные обозначения микросхем
- •10.3 Элементы микросхем
- •10.4 Технология изготовления микросхем
- •10.4.1 Корпуса микросхем
Мдп–структура
1. Идеальная мдп-структура
Если на окисел, покрывающий поверхность кристалла, нанести металлический электрод (затвор), то, изменяя его потенциал относительно объема кристалла, возможно изменять величину заряда в приповерхностной области полупроводника и, соответственно, её проводимость. Этот эффект положен в основу целого ряда полупроводниковых устройств, среди которых самое известное – МДП-транзистор.
Рассмотрим идеальный МДП-конденсатор, энергетическая диаграмма которого представлена на рис. 1.
Рис. 1 |
Состояние носителей в разнородных материалах (металл – диэлектрик - полупроводник) можно сравнить, используя понятие нулевого потенциала, то есть принимая потенциал какой-либо точки (например, потенциал вакуума) за нуль (рис. 1). Тогда для перевода электрона со дна зоны проводимости полупроводника в вакуум без сообщения ему скорости потребуется энергия q·χ, равная:
. |
(1) |
Энергия q·χ есть энергия электронного сродства, χ.- сродство к электрону полупроводника. Если энергию электрона отсчитывать от энергии Ферми, а не от , используют понятиетермоэлектронной работы выхода или просто работы выхода Φ:
. |
(2) |
Таким образом, работа выхода равна разности между энергией покоящегося электрона в вакууме у поверхности образца полупроводника и уровнем Ферми в данном полупроводнике.
На границе металл-диэлектрик, диэлектрик-полупроводник, а в отсутствии диэлектрика на границе металл-полупроводник возникает контактная разность потенциалов:
. |
(3) |
Для случая «идеальной» МДП-структуры делается ряд допущений:
1.Разность работ выхода между металлом затвора и диэлектриком, диэлектриком и полупроводником, равна нулю или для потенциалов:
для n-типа: , для p-типа: . |
(4) |
Здесь – потенциал уровня Ферми,- разность между уровнем ФермиF и положением уровня Ферми в собственном полупроводнике Ei.
Условие означает, что в отсутствие внешнего напряжения энергетические зоны полупроводника не изогнуты (состояние плоских зон).
В диэлектрике и на границах раздела металл-диэлектрик и полупроводник-диэлектрик нет никаких зарядов, т.е. диэлектрик не имеет дефектов. При любых смещениях в структуре могут существовать только заряд в ее полупроводниковой части и равный ему заряд противоположного знака на металлическом электроде, отделенном от полупроводника слоем диэлектрика.
Диэлектрик является идеальным изолятором.
Если к МДП-конденсатору приложить электрическое напряжение, то его обкладки зарядятся. В зависимости от знака и величины приложенного напряжения поверхность полупроводника, будет обогащаться или обедняться основными носителями, или произойдет инверсия проводимости, в том случае, когда концентрация неосновных носителей заряда станет больше чем основных. Энергетические диаграммы, соответствующие различным потенциалам затвора приведены на рис. 2 (потенциал в глубине полупроводника принят равным 0).
Для примера рассмотрим полупроводник p-типа.
При отрицательном потенциале на затворе (Vg<0) к поверхности подтягиваются дырки, и их поверхностная концентрация относительно равновесной возрастает. Это – режим обогащения приповерхностной области полупроводника основными носителями заряда.
При подаче небольших положительных потенциалов на затвор электрическое поле отталкивает дырки от поверхности, и их концентрация вблизи поверхности уменьшается (режим обеднения), но их концентрация все еще превосходит концентрацию электронов, подтянутых электрическим полем к поверхности, так что тип проводимости приповерхностной области остается дырочным, т.е. приповерхностная область обедняется основными носителями заряда относительно объема.
При дальнейшем увеличении потенциала затвора концентрация электронов в приповерхностной области становится больше концентрации дырок в объеме, т.е. происходит изменение (инверсия) типа проводимости.
Рис. 2. Энергетические диаграммы при различных смещениях |
Аналогичные явления будут иметь место для полупроводника n-типа (при этом искривление зон на диаграммах будет направлено в другую сторону).
В общем случае концентрации носителей изменяются по законам:
(5) | |
(6) |
Здесь – потенциал уровня Ферми,– потенциал собственного полупроводника (его часто принимают за нулевой),φT = kT/q – тепловой потенциал равный 0,026 В при комнатной температуре. Для p-типа , дляn-типа ,ni–собственная концентрация носителей.
Рис. 3. |
Изменение поверхностного заряда индуцирует изменение заряда в объеме полупроводника, что сопровождается изменением изгиба зон вблизи поверхности.
Если величина энергии q∙φ(x) измеряется относительно середины запрещенной зоны (рис. 3), то зная величину потенциала φ(x), возможно рассчитать распределение носителей заряда в приповерхностной области:
(7) | |
. |
Для характеристики этого изгиба будем использовать понятие поверхностного потенциала φs.
Проведем оценку толщины обедненного слоя для структуры, представленной на рис. 3 в случае обеднения. Пусть полупроводник имеет только акцепторную примесь. Тогда уравнение Пуассона примет вид:
(8) |
Интегрируя с граничными условиями φ=0, приx=w, получим:., отсюда, таким образом, толщина слоя ОПЗ тем больше, чем больше поверхностный потенциал и чем слабее легирован полупроводник.
Введем дебаевскую длину дырок как расстояние, на котором изменение потенциальной энергии носителя заряда равно его тепловой энергии.
МДП-транзистор
МДП-транзистор называют также транзистором с изолированным затвором, так как в отличие от ПТУП затвор от полупроводника изолирован окислом (рис. 4).
с индуцированным каналом со встроенным каналом каналом
к
p-канальный n-канальный p-канальный n-канальный |
Рис. 4 Условные обозначения МДП-транзисторов |
Обычно в качестве диэлектрика используют оксид (оксид кремния SiO2), поэтому говорят о МОП-транзисторах (со структурой металл-оксид-полупроводник).
МДП-транзистор создан на основе МДП-структуры, в которой использован эффект управления поверхностными свойствами полупроводника за счет изменения потенциала затвора.
Для обеспечения прохождения управляемого тока под затвором создают две дополнительные электродные области: исток и сток. Полупроводниковые области истока и стока создают из сильно легированного, обладающего хорошей проводимостью, материала, отличающегося по типу от материала базового кристалла (рис.5).
Рис. 5. МДП-транзистор с встроенным каналом |
Проводящий канал расположен между стоком и истоком. Расстояние между областями стока и истока определяет длину канала L.
За сток принимается тот электрод, к которому дрейфуют основные носители канала, т.е. в n-канальном транзисторе сток должен быть под положительным потенциалом относительно истока, а в p-канальном – под отрицательным.
Затвор в МДП-транзисторе изолирован от полупроводниковой подложки тонким слоем диэлектрика.
МДП-транзисторы применяют двух типов: со встроенным и индуцированным каналами. Транзистор со встроенным каналом, имеющим ту же проводимость, что и сток-истоковые области, при нулевом напряжении на затворе открыт. Уменьшение тока на выходе МДП-транзистора со встроенным каналом обеспечивается подачей на управляющий электрод – затвор – напряжения Uз с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда в канале: для p-канала Uз>0, для n-канала Uз<0. Напряжение затвора Uз указанной полярности вызывает обеднение канала носителями заряда, сопротивление канала увеличивается, и выходной ток уменьшается. Если у транзистора со встроенным каналом изменить полярность напряжения на затворе, то произойдет обогащение канала дырками и увеличение выходного тока. Таким образом, транзистор со встроенным каналом может работать при напряжениях на затворе обеих полярностей как в режиме обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом – это нормально открытый прибор.
МДП-транзистор с индуцированным каналом (рис. 4) работают только в режиме обогащения. В отсутствие напряжения управления на затворе между истоком и стоком оказываются два встречно включенных диода, и ток в этой цепи будет равен обратному току одного из диодов, т.е. весьма мал и транзистор будет находиться в запертом состоянии. Таким образом, МДП-транзистор – это нормально закрытый прибор.
На рис. 6 показана структура, которая используется в МДП-транзисторах с индуцированным n-каналом.
Для того чтобы транзистор открылся, на затвор необходимо подать такой потенциал относительно потенциала подзатворной области, чтобы на поверхности произошла инверсия проводимости. При этом под затвором индуцируется область n-типа, образующая канал, соединяющий n+-области истока и стока, и в стоковой цепи начинает протекать ток.
Принято считать, что транзистор открывается при напряжении затвора, равном пороговому – Uп, при котором на поверхности начинает выполняться условие сильной инверсии. Стоковый ток тем выше, чем больше индуцированный в канале заряд и, соответственно, больше проводимость инверсионного слоя.
Рис 6. МДП-транзистор с индуцированным каналом |
Пусть Uзи>Uп, т.е. имеется проводящий канал, и на сток относительно истока подано положительное напряжение Uси (рис. 6). Тогда распределение потенциала в канале по оси х становится неравномерным: в точке х=0 (вблизи истока) потенциал определяется только полем затвора и равен Uзи- Uп, а в точке х=L – совместным действием полей затвора и стока и равен Uзи- Uп- Uси. При увеличении напряжения Uси ток стока Ic также будет увеличиваться по линейному закону, так как увеличивается напряженность стока вдоль канала (по оси х). Ток стока вдоль канала – дрейфовый ток электронов.
Одновременно с ростом напряжения Uси и тока стока Ic происходит расширение стокового pn-перехода: на переход подается обратное смещение, и он расширяется в сторону высокоомной подложки. В точке х=L обратноенапряжение на стоковом pn-переходе появляется только при достижении некоторого граничного условия Uси гр= Uзи- Uп, то есть при компенсации в этой точке действия поля затвора. При этом дифференциальное сопротивление выходной цепи сток-исток резко увеличивается, так как оно определяется сопротивлениями канала и обратносмещенного стокового pn-перехода. Рост тока стока Ic при Uси >Uси гр практически прекращается, а стоковый pn-переход расширяется по оси х в сторону истока, и длина канала уменьшается на Δ L.