- •1 Движение электрона в кристалле. Уравнение Шрёдингера, волновая функция
- •1.2 Движение электронов в атоме
- •1.3 Зонная теория твердого тела
- •Глава 2. Электропроводность полупроводников
- •2.1 Собственные и легированные полупроводники. Уравнение электронейтральности
- •2.2 Статистика электронов и дырок
- •2.2.1 Заполнение электронами зон вырожденного полупроводника
- •2.2.1 Заполнение электронами и дырками зон невырожденного полупроводника
- •2.2 Положение уровня Ферми и расчет концентрации носителей
- •2.2.1 Донорный полупроводник
- •2.3 Электропроводность полупроводников
- •2.3.1 Электронная проводимость
- •2.3.2 Дырочная проводимость
- •2.3.3 Собственная проводимость
- •Глава 3. Неравновесные электронные процессы
- •3.4 Диффузионный и дрейфовый токи
- •3.2. Неравновесные носители в электрическом поле
- •3.2.1. Уравнение непрерывности тока
- •5 Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •5.1 Возникновение потенциального барьера. Контактная разность потенциалов.
- •5.2 Вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •5.3 Температурные зависимости вах pn-перехода
- •5.3 Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на вах pn-перехода.
- •5.4 Барьерная емкость pn-перехода
- •5.5 Диффузионная емкость pn-перехода
- •5.6 Пробой pn-перехода
- •5.6.1 Лавинный пробой pn-перехода
- •5.6.2 Туннельный (полевой, зинеровский) пробой pn-перехода
- •5.6.3 Тепловой пробой pn-перехода
- •5.7 Влияние сопротивления базы на вах pn-перехода. Полупроводниковый диод
- •5.8 Выпрямление на полупроводниковом диоде
- •5.8.2 Переходные процессы в полупроводниковых диодах
- •5.9 Полупроводниковые диоды
- •5.9.1 Выпрямительные диоды
- •5.9.2 Стабилитроны
- •5.9.3 Туннельные диоды
- •6 Биполярные транзисторы
- •6.1 Включение транзистора по схеме с общей базой
- •6.1.1 Статические вольт-амперные характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •6.1.2 Усиление транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •6.2 Включение транзистора по схеме с общим эмиттером
- •6.2.1 Статические вольт-амперные характеристики транзистора, включенные по схеме с общим эмиттером
- •6.3 Включение транзистора по схеме с общим коллектором
- •6.4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •6.4.1 Температурная зависимость параметров биполярных транзисторов
- •6.5 Работа транзистора в импульсном режиме
- •7 Тиристоры
- •7.1 Вольт-амперная характеристика тиристора
- •7.2 Типы тиристоров
- •8 Униполярные транзисторы
- •8.1 Полевой транзистор с управляющим pn- переходом (птуп)
- •8.1.1 Вольт-амперные характеристики птуп
- •Мдп–структура
- •1. Идеальная мдп-структура
- •2 Вольт-амперные характеристики мдп-транзистора
- •8.2.2 Схемы включения мдп-транзистора
- •4.2. Барьер на границе металла с полупроводником (барьер Шоттки)
- •4.2.1 Выпрямление тока на контакте металла с полупроводником
- •Фотоэлектрические полупроводниковые приборы
- •7.2. Полупроводниковые источники оптического излучения
- •10 Классификация интегральных микросхем
- •10.2 Условные обозначения микросхем
- •10.3 Элементы микросхем
- •10.4 Технология изготовления микросхем
- •10.4.1 Корпуса микросхем
10.2 Условные обозначения микросхем
Все многообразие выпускаемых серий микросхем согласно принятой системе условных обозначений по конструктивно-технологическому исполнению делится на три группы: полупроводниковые, гибридные, прочие. К последней группе относят пленочные микросхемы, которые в настоящее время выпускаются в ограниченном количестве, а также вакуумные и керамические. Указанным группам микросхем в системе условных обозначений присвоены следующие цифры: 1, 5, 7 - полупроводниковые (обозначение 7 присвоено бескорпусным микросхемам); 2, 4, 8 - гибридные; 3 - прочие микросхемы.
По характеру выполняемых функций микросхемы подразделяются на подгруппы (генераторы, модуляторы, триггеры, усилители, логические схемы и др.) и виды (преобразователи частоты, фазы, длительности, напряжения и др.). Классификация наиболее популярных микросхем по функциональному назначению приведена в таблице 10.1.
По принятой системе, обозначение микросхемы должно состоять из четырех элементов. Первый элемент - цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе. Второй элемент - две-три цифры, присвоенные данной серии как порядковый номер разработки. Таким образом, первые два элемента составляют три-четыре цифры, определяющие полный номер серии микросхемы. Третий элемент - две буквы, соответствующие подгруппе и виду (табл. 10.1). Четвертый элемент - порядковый номер разработки микросхемы в данной серии, в которой может быть несколько одинаковых по функциональному признаку микросхем. Он может состоять как из одной цифры, так и из нескольких.
Таблица 10.1
В качестве примера рассмотрим условное обозначение полупроводниковой микросхемы серии 1554ИР22 (рис. 10.3). Из условного обозначения следует, что эта микросхема - регистр с порядковым номером 554 и номером разработки микросхемы в данной серии по функциональному признаку 22 выполнена по полупроводниковой технологии.
Рис. 10.3 Пример условного обозначения полупроводниковой микросхемы: обозначение - ИЕ (счетчик) с порядковым номером серии 554 и номером разработки микросхемы в данной серии по функциональному признаку 7. Полное обозначение микросхемы 1554ИЕ7. |
В последнее время при четырехзначном номере серии первую цифру порядкового номера серии устанавливают в зависимости от функционального назначения микросхем, входящих в серию. Например, цифра 0 определяет, что данная серия микросхем предназначена для работы в составе бытовой радиоэлектронной аппаратуры. Цифра 1 ставится на аналоговых микросхемах, цифра 4 - микросхемам ОУ, цифра 5 - цифровым микросхемам, цифра 6 - серии микросхем памяти, цифра 8 - сериям МП.
Если в конце условного обозначения стоит буква, то она определяет технологический разброс электрических параметров данного типономинала.
На микросхемах, используемых в устройствах широкого применения, в начале обозначения ставится буква К, например: К1533ИР22.
Для характеристики материала и типа корпуса перед цифровым обозначением серии могут быть добавлены следующие буквы: Р - пластмассовый корпус типа ДИП; М - металлокерамический корпус типа ДИП и т.д.
Система обозначений ИС.
Б Ц ЦЦЦ Б Б Ц Б
К – для широкого применения
Э – на экспорт (шаг выводов 2.54 и 1.27 мм)
Р – пластмассовый корпус 2-го типа
М – керамический, металло-
или стеклокерамический корпус 2-го типа
Е – металлополимерный 2-го типа
А – пластмассовый корпус 4-го типа
И – стеклокерамический корпус 4-го типа
Н – кристаллоноситель
Б – бескорпусный
Группа (по конструктивно-технологическому
исполнению):
1,5,6,7 – полупроводниковые
2,4,8 – гибридные
3 – прочие (пленочные, керамические,
вакуумные и т.д.)
порядковый номер данной серии
подгруппа
вид (по функциональному назначению)
условный номер разработки микросхемы в данной серии по
функциональному признаку
допуски, разброс параметров и т.п.
Функциональная подгруппа и вид микросхемы Таблица 10.2
Подгруппа, вид ИС |
Обозн. |
Подгруппа, вид ИС |
Обозн |
Генераторы сигналов: |
|
Коммутаторы и ключи: |
|
синусоидальных |
ГС |
тока |
КТ |
специальной формы |
ГФ |
напряжения |
КН |
прямоугольных |
ГГ |
прочие |
КП |
линейно-изменяющихся |
ГЛ |
Усилители: |
|
шума |
ГМ |
постоянного тока |
УТ |
прочие |
ГП |
импульсные |
УИ |
Преобразователи сигналов: |
|
повторители |
УЕ |
частоты |
ПС |
высокой частоты |
УВ |
напряжения (тока) |
ПН |
промежуточной частоты |
УР |
длительности |
ПД |
низкой частоты |
УН |
мощности |
ПМ |
широкополосные |
УК |
уровня (согласователи) |
ПУ |
считывания и воспроизведения |
УЛ |
синтезаторы частоты |
ПЛ |
индикации |
УМ |
делители частоты аналоговые |
ПК |
операционные |
УД |
делители частоты цифровые |
ПЦ |
дифференциальные |
УС |
умножители частоты аналоговые |
ПЕ |
прочие |
УП |
цифро-аналоговые |
ПА |
Модуляторы: |
|
аналого-цифровые |
ПВ |
амплитудные |
МА |
код-код |
ПР |
частотные |
МС |
Детекторы: амплитудные частотные фазовые импульсные прочие |
ДА ДС ДФ ДИ ДП |
фазовые импульсные прочие Фильтры: верхних частот нижних частот |
МФ МИ МП
ФВ ФН |
Устройства сравнения: |
|
полосовые |
ФЕ |
амплитудные (уровня сигналов) |
СА |
режекторные |
ФР |
временные |
СВ |
прочие |
ФП |
частотные |
СС |
Триггеры: |
|
прочие |
СП |
Шмитта |
ТЛ |
компараторы напряжения |
СК |
динамические |
ТД |
Формирователи: |
|
Т-триггер |
ТТ |
импульсов прямоугольной |
АГ |
RS -триггер |
ТР |
формы |
|
D-триггер |
ТМ |
импульсов специальной формы |
АФ |
JK-триггер |
ТВ |
адресных токов разрядных токов |
АА АР |
комбинированные(RST, DRS, JKRS и др. ) |
ТК |
прочие |
АП |
прочие |
ТП |
Многофункциональные устройства: |
|
Наборы элементов: |
|
аналоговые |
ХА |
диодов |
НД |
цифровые |
ХЛ |
транзисторов |
НТ |
комбинированные |
ХК |
резисторов |
НР |
цифровые матрицы |
ХМ |
конденсаторов |
НЕ |
аналоговые матрицы |
ХИ |
комбинированные |
НК |
комбинированные матрицы |
ХТ |
функциональные |
НФ |
прочие |
ХП |
прочие |
НП |
Подгруппа, вид микросхемы |
Обозна-чение |
Подгруппа, вид микросхемы |
Обозна-чение |
Устройства задержки: пассивные |
БМ
|
Вычислительные устройства: микро-ЭВМ |
ВЕ |
активные |
БР |
микропроцессоры |
ВМ |
прочие Источники вторичного питания: |
БП |
микропроцессорные секции устройства микропрограммного |
ВС ВУ |
преобразователи выпрямители стабилизаторы напряжения |
ЕМ ЕВ ЕН |
управления функциональные расширители устройства синхронизации |
ВР ВБ |
непрерывные стабилизаторы тока |
ЕТ |
устройства управления прерыванием |
ВН
|
стабилизаторы напряжения импульсные устройства управления импульсными стабилизаторами - |
ЕК
ЕУ |
устройства управления вводом-выводом устройства управления памятью функциональные преоб- |
ВВ
ВТ ВФ |
напряжения источники вторичного |
ЕС |
разователи информации устройства сопряжения с |
ВА |
питания |
|
магистралью |
|
прочие Логические элементы: И |
ЕП
ЛИ |
времязадающие устройства микрокалькуляторы контроллеры |
ВИ ВХ ВГ |
ИЛИ |
ЛЛ |
комбинированные устройства |
ВК |
НЕ |
ЛН |
специализированные |
ВЖ |
И-ИЛИ И-НЕ |
ЛС ЛА |
устройства прочие |
ВП |
ИЛИ-НЕ И-ИЛИ-НЕ |
ЛЕ ЛР |
Запоминающие устройства: матрицы ОЗУ |
РМ |
И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ) ИЛИ-НЕ (ИЛИ) |
ЛК ЛМ |
ОЗУ матрицы ПЗУ |
РУ РВ |
И-НЕ/ИЛИ-НЕ расширители |
ЛБ ЛД |
ПЗУ (масочные) ПЗУ с возможностью од- |
РЕ РТ |
прочие |
ЛП |
нократного программирования |
|
Цифровые устройства: |
|
ПЗУ с возможностью |
РР |
регистры |
ИР |
многократного электрического |
|
сумматоры |
ИМ |
перепрограммирования |
|
полусумматоры |
ИЛ |
ПЗУ с ультрафиолетовым |
РФ |
счетчики |
ИЕ |
стиранием и электрической |
|
дешифраторы |
ИД |
записью информации |
|
комбинированные |
ИК |
ассоциативные запоминающие |
РА |
шифраторы |
ИВ |
устройства |
|
арифметико-логические |
ИА |
запоминающие устройства |
РЦ |
устройства |
|
на ЦМД |
|
прочие |
ИП |
прочие |
РП |
Фоточувствительные устройства |
|
|
|
с зарядовой связью: |
|
|
|
матричные |
ЦМ |
|
|
линейные |
ЦЛ |
|
|
прочие |
ЦП |
|
|