46.Кристаллические зародыши :

1. В объеме расплава , раствора ,

2. На поверхности других минералов

3. На осколках минералах

4. На минеральных рпедложках

47.Морфологическая особенность кристаллов– различная способность к поглощению примесей образованию дефектов и адсорбированию вещества гранями различных простых форм

1)пирамиды роста

2 )

3)

4)скульптура граней кристалла

48Морфогенетическая классификация минеральных зерен и структур (кристаллические, коррозионные, метасоматические, бластические, кластические, выделения коллоидного вещества).

Разделение минеральных зерен по условиям образования и строению – структуре

Морфологической единицей структуры является индивид(природный кристалл или кристаллическое зерно)

Признаки и предмет минерального индивида – форма , размеры , характер срастания с другими индивидами , а также внутреннее строение

Классификация :

1)Кристаллы и кристаллические зерна – свободная кристаллизация из расплавов , растворов , газов

2)Коррозионные зерна – процессы замещения ранних минералов поздними

3)метасоматические кристаллы – результат метасоматоза , рост в твердой среде

4)бластические кристаллы – перекристаллизация в твердом состоянии , а также распад твердых растворов

5)классические зерна – результат дробления минеральных агрегатов

6)колломорфные структуры – в т.ч выделения коллоидного вещества

49. Некоторые формы индивидов минералов – скелетные и расщепленные кристаллы.

Скелетными называют пустотелые или искаженные формы кристаллов, являющиеся как бы каркасом кристалла, выросшего параллельно ребрам, граням, или по направлениям вершин правильного многогранника

Расщеплённый кристалл построен из отдельных частей - субиндивидов. Соответственные рёбра, а иногда и грани субиндивидов расположены двояко: одни параллельны, а другие несколько разориентированы и веером отклоняются друг от друга на небольшие углы. Это и есть главный признак расщеплённых кристаллов. 

50.Эпитаксия — это закономерное нарастание одногокристаллическогоматериала на другой, т.е. ориентированный рост одногокристаллана поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Различаютгетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ), игомоэпитаксию, когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называетсяэндотаксией.

Эпитаксия особенно легко осуществляется, если разность постоянных решётокне превышает 10 %. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуютдислокации несоответствия.

Эпитаксия происходит таким образом, чтобы суммарная энергияграницы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной.

Автоэпитаксия ( гомоэпитаксия) - процесс ориентированного наращивания кристаллического вещества, одинакового по структуре и не отличающегося химически ( или отличающегося незначительно) от вещества подложки. Отличие может заключаться в различном уровне легирования и типе примесей, что обусловливает возможность формирования гомогенных электронно-дырочных структур

51(бетехтин)Двойники и закономерные сростки.

Двойником называют закономерный сросток двух кристаллов одного и того же минерала, в котором индивиды могут быть совмещены друг с другом либо поворотом вокруг некоторой оси, не принадлежащей к числу осей симметрии данного кристалла, либо отражением в плоскости симметрии ,либо путем инверсии. В случаях закономерного срастания трех индивидовсростки носят название тройников, четырех индивидов — четверников и т. д.

В большинстве случаев двойники можно распознать по такому их характерному признаку, как входящие углы на поверхности кристаллов (характерные также и для грубоблочных кристаллов). Однако в ряде случаев приходится прибегать к искусственному травлению, а наиболее надежные результаты доставляют кристаллооптические исследования в поляризованном свете.

Образование двойников может происходить:1) путем срастания зародившихся кристалликов в растворе при их соприкосновении во время роста; 2) в связи с механическими воздействиями (при одностороннем внешнем давлении); 3) при полиморфных превращениях кристаллического вещества; 4) при нарушении порядка следования слоев в плотноупакованных структурах(ростовые ошибки упаковки).

Закономерные сростки различных минералов также давно описывались в литературе. Закономерная ориентировка срастающихся минералов обусловлена общностью или близостью строения плотно упакованных плоскостей срастания. Наблюдаются разные случаи таких сростков: 1) эпитаксия — образовавшиеся кристаллы одного минерала обрастаютсядругим (например, кристаллы блеклой руды — Cu3SbS3 — покрываются закономерно ориентированными кристалликами или сплошной «рубашкой» халькопирита — CuFeS2);

2) эндотаксия — закономерно ориентированныевростки, например, ильменита (FeTiO3) в кристаллических зернах магнетита (FeFe2O4) как продукт распада твердого раствора (устанавливаются в полированных шлифах под микроскопом);

3) гомоосевой псевдоморфизм — ориентированное замещение с периферии одного минерала

другим (например, сфалерита — ZnS халькопиритом — CuFeS2 с сохранением даже двойникового строения замещаемого минерала) и др

Двойниковые кристаллы, двойники - это закономерное непараллельное срастание кристаллических индивидов одного минерала, связанных друг с другом осью или плоскостью симметрии, которых нет в одиночных кристаллах. Благодаря этому двойники обладают повышенной кристаллографической симметрией. Образование двойников определяется свойствами решетки кристалла, и происходит по строго определенным законам

Закон двойникования – взаимная ориентировка индивидов называется законом двойникования

Один минерал может двойниковаться по разным законам , но в пределах каждого закона ориентировка индивидов всегда одинакова

Наиболее распространенные законы имеют свои названия – обычно по минералу или месту первой находки

Генетические типы двойников:

1)первичные (роста)

2)вторичные

52.