41. Дефекты в реальных кристаллах (точечные; линейные – краевые и винтовые дислокации; плоскостные).

Микродефекты- (точечные; линейные – краевые и винтовые дислокации; плоскостные

Типы точечных дефектов:

1 – Вакансия , 2-межузельный атом , 3 – дефект по Франкелю , 4 – примесный атом замещения , 5 – примесный атом внедрения , 6 – атом замещения большой валентности

Точечные дефекты оказывают:

1) наиболее значительное влияние на скорость диффузии в кристаллах

2)влияние на электропроводность

3)влияние точечных дефектов на окраску кристаллов (рубин , сапфир )

линейные – краевые и винтовые дислокации: - Дефекты такого вида нарушают правильное чередование кристаллических плоскостей

- Краевые

Винтовые

Винтовая дислокация – обеспечивает неисчезающую ступеньку для спирального роста за счет сдвига одной части кристаллов относительно другой. Кристалл с винтовой дислокацией уже не состоит из параллельных атомных плоскостей , скорее его можно рассматривать состоящим из одной атомной плоскости , закрученной в виде винтовой лестницы

Плоские (двумерные) дефекты –

1. Дефект упаковки – нарушение последовательности слоев плотнейшей упаковки шаров

Для кубической плотнейшей упаковки АВСАВСАВС…обычный дефект слойности

АВСАВААВС… где АВА – дефект упаковки

42 Бездефектные кристаллы

Нитевидные кристаллы (вискеры ) . диаметр 1-10мкм , отношение длины к диаметру более 1000 . Вискеры имеют совершенное строение , что приближает прочность вискеров к теоретическому для данного вещества порогу

43.Макродефекты. Включения в минералах (расплавные, флюидные твердофазные, гетерогенные).

макровключения

Объемные дефекты: поры , пустоты , включения другой фазы , и тп

Типы включениий в минералах:

1)расплавные-представляютсобой участки расплава , захваченные и законсервированые кристаллом в процессе роста из-за различных дефектов

2)флюидные включения: представляют собой флюидный пузырек сорбированный поверхностью растущего кристалла и законсервированный в процессе дальнейшего роста

3)твердофазные включения: представляют собой захваченную растущим кристаллом постороннюю кристаллическую фазу

4)Включения гетерофазного захватапредставляют собой комбинацию из выше перечисленных включений .

4 4Среды минералообразования

Магма – раствор-расплав

Водные растворы– гидротермальные и поверхностные

Коллоидные растворы(вляются средой для образования минералов в придонных илах и других осадках водных бассейнов и во время их диагенеза. Так возникают различные глинистые минералы)

Газ– вулканические газы

Твердая среда(образования минералов могут быть аморфными и кристаллическими. Примером аморфной среды может служить раскристаллизация вулканического стекла. Для кристаллической среды возможны три типа явлений. Во-первых, это полиморфные превращения веществ: переход алмаза в графит. Во-вторых, это распад твердых растворов на смесь фаз, в-третьих – метамиктный распад радиоактивных минералов на смесь фаз под действием собственного α-излучения.)

45.Причины минералообразования

Генезис минералов– геолигическая предыстория +зарождение + рост.

Онтогения минералов– зарождение + рост + измение + разрушение

Причины– переохлаждение расплавов , газов , пересыщение растворов , изменениеp-tусловий , концентраций ,жизнедеятельность организмов , электрохимические явления – в целом некоторое пороговое пересыщение – переход через критическую точку +жизнияельность организмов