Скачиваний:
414
Добавлен:
15.03.2015
Размер:
9.87 Mб
Скачать

Рис. 6.13. Разводка шин питания: а — последовательная; б — параллельная; в — в виде замкнутых контуров

яния внешнего помехонесущего магнитного поля по периметру печатной платы следует предусмотреть внешний замкнутый контур.

6.4. Заземление

Система заземления — это электрическая цепь, обладающая свойством сохранять минимальный потенциал, являющийся уровнем отсчета в конкретном изделии. Система заземления в РЭС должна обеспечивать сигнальные и силовые цепи возврата, защищать людей и оборудование от неисправностей в цепях источников питания, снимать статические заряды.

К системе заземления предъявляются следующие основные требования:

минимизация общего импеданса шины «земля»; отсутствие замкнутых контуров заземления, чувствительных к воз-

действию магнитных полей.

В РЭС требуются как минимум три раздельные цепи заземления: для сигнальных цепей с низкими уровнями токов и напряжения;

для силовых цепей с высокими уровнями потребляемой мощности (источники питания, выходные каскады РЭС и т.д.);

для корпусных цепей (шасси, панелей, экранов и металлизации). Электрические цепи в РЭС заземляются следующими способами: в

одной точке и в нескольких точках, ближайших к опорной точке заземления (рис. 6.14). Соответственно системы заземления могут быть названы одноточечной и многоточечной.

Наибольший уровень помех возникает в одноточечной системе заземления с общей последовательно включенной тиной «земля»

(рис. 6.14, а).

Чем дальше удалена точка заземления от опорной, тем выше ее потенциал. Его не следует применять для цепей с большим разбросом по-

263

Рис. 6.14. Системы заземления цепей в РЭС: а — одноточечная последовательная; б — одноточечная параллельная; в — многоточечная

требляемой мощности, так как мощные функциональные узлы (ФУ) создают большие возвратные токи заземления, которые могут влиять на малосигнальные ФУ. При необходимости наиболее критичный ФУ следует подключать как можно ближе к точке опорного заземления.

Одноточечная параллельная система заземления (рис. 6.14,6) исключает паразитную связь через общий импеданс, и уменьшается вероятность образования низкочастотного паразитного контура с замыканием на шину «земля». Она может использоваться эффективно для частот 1 МГц.

 

Многоточечную

систему

 

заземле-

 

ния (рис. 6.14, в)

следует

использо-

 

вать

для

 

высокочастотных

 

схем

 

(f> 10 МГц), подключая ФУ

 

РЭС в

 

точках, ближайших к опорной точке

 

заземления.

 

 

 

 

 

приме-

 

Для

чувствительных схем

 

 

 

няется

схема

с плавающим

 

заземле-

 

нием (рис. 6.15). Такая заземляющая

 

система

требует

полной

изоляции

 

схемы

от

корпуса

(высокого

 

сопро-

Рис. 6.15. Схема с плавающим

тивления и

низкой

емкости),

 

в

про-

 

тивном

случае

она

оказывается

мало-

заземлением

эффективной. В качестве источни-

 

ков питания схем могут использоваться солнечные элементы или аккумуляторы, а сигналы должны поступать и покидать схему через трансформаторы или оптроны.

Пример реализации рассмотренных принципов заземления для девятидорожечного цифрового накопителя на магнитной ленте показан на рис. 6.16 [31]. Здесь имеются следующие шины земли: три сигнальные, одна силовая и одна корпусная. Наиболее восприимчивые к помехам аналоговые ФУ (девять усилителей считывания) заземлены с по-

Рис. 6.16. Система заземления девятидорожечного цифрового накопителя намагнитнойленте

мощью двух раздельных сигнальных шин «земля». Девять усилителей записи, работающих с большими, чем усилители считывания, уровнями

265

сигналов, а также ИС управления и схемы интерфейса с изделиями передачи данных подключены к третьей сигнальной шине «земля». Три двигателя постоянного тока и их схемы управления, реле и соленоиды соединены с силовой шиной «земля». Наиболее восприимчивая схема управления двигателем ведущего вала подключена ближе других к опорной точке заземления. Корпусная шина «земля» служит для подключения корпуса и кожуха. Сигнальная, силовая и корпусная шины «земля» соединяются вместе в одной точке в источнике вторичного электропитания. Следует отметить целесообразность составления структурных монтажных схем при проектировании РЭС.

6.5.Расчет конструкций экранов

Вобщем виде экран представляет собой несущий элемент конструкции, изолирующий РЭС или ее часть от окружающего пространства. Форма экрана определяется формой объекта защиты, способом установки и закрепления в общей конструкции или на месте эксплуатации. Многообразие форм элементов и частей РЭС приводит к многообразию форм и конструкций экранирующих оболочек. Навесные проводники (провода, жгуты) при неудачном размещении могут оказаться антеннами для приема и излучения помех. Для защиты от таких нежелательных эффектов проводники необходимо помещать в гибкие металлические

оплетки, выполняющие функции экранов. В то же время экран, защищающий проводник от помех, создает дополнительную емкостную связь «проводник — экран», которую необходимо учесть при согласовании цепей, соединенных этим проводником. Несколько проводников,

объединенных в жгут, могут иметь как общий экран, так и индивидуальные экраны в виде экранирующих оплеток.

Из компонентов элементной базы защиты экранированием требуют чаще всего моточные изделия: катушки индуктивности, трансформаторы, дроссели, обмотки реле. Катушки индуктивности, работающие в мегагерцевом диапазоне частот, обычно не имеют магнитных сердечников и обладают полем, распространяющимся далеко за габаритные размеры катушки. Применение экранов позволяет ограничить объем пространства для нормального функционирования катушки, уменьшить влияние ее поля на соседние элементы, повысить плотность компоновки. Из-за поглощения части энергии материалом экрана параметры катушки необходимо скорректировать. Экранирование дросселей и трансформаторов требуется при использовании повышенных рабочих частот электропитания (более 100 Гц). Активные элементы в виде полупроводниковых диодов, транзисторов, микросхем в большинстве случаев нецелесообразно защищать индивидуальными экранами.

266

Предпочтительно помещать в такой экран весь функциональный узел, например на печатной плате. Необходимость в этом увеличивается, если схема содержит усилительные каскады с большим коэффициентом усиления. При создании микроэлектронной аппаратуры естественно желание объединить функции экрана и корпуса. Корпус микроблока или микросборки становится внешним экраном. Выбор материала диктуется, с одной стороны, эффективностью защиты, а с другой стороны

— производственными условиями, удобством изготовления, возможностью механизации труда и, наконец, просто механической прочностью конструкции. Слагаемые размеров экрана представлены на рис. 6.17 и 6.18. Прежде всего, размеры экрана зависят от габаритных размеров

Рис. 6.17. Компоновочные размеры экранированного электронного устройства

объекта экранирования X, Y, Z. Далее, между объектом экранирования и

внутренней

поверхностью

экрана

должны быть

гарантированные

зазоры XI,

Х2, Y1, Y2, Z1,

Z2 ,

обеспечивающие

удобство сборки,

электрическую прочность монтажа, тепловой режим и другие условия,

необходимые

для

нормального функционирования устройства. Толщи-

ны стенок экрана ХТ1, ХТ2, YT1, YT2, ZT1, ZT2 будут определяться

эффективностью

подавления

помехи,

механической

прочностью конструкции,

удобством закрепления и размещения на

объекте. У экрана имеется функциональная

поверхность с размерами XF, YF, ZF (одна

или несколько), через которую (которые)

осуществляется

связь экранированной

части РЭС с внешними цепями и

 

устройствами:кабельный и жгутовой вводы

Рис. 6.18. Габаритные

через разъемные

размеры экранированного

 

электронного устройства

контакты, элементы закрепления экрана на объекте. Окончательные размеры находятся как

XG = XF1+XE +XF2; YG = YF1+ YE+YF2; ZG = ZE,

где

XE = XT1+XT2+X1+Х+Х2; YE=YT1+Y1+Y+Y2+YT2; ZE = ZT1+ Z1+Z + Z2 + ZT2.

В самом общем виде РЭС защищается от электромагнитных помех металлическим экраном в виде замкнутой оболочки. Однако в электромагнитной обстановке может наблюдаться преобладание отдельного вида поля. Поэтому при поиске оптимальной конструкции следует различать:

магнитные экраны для подавления магнитной составляющей поля помехи;

электростатические экраны для подавления электрической составляющей поля помехи;

электромагнитные экраны для подавления обоих составляющих поля помехи.

 

Принцип работы магнитного экра-

 

на показан на рис. 6.19. Магнитный

 

по-

 

 

ток от источника помехи замыкается в

 

толще экрана и лишь частично попада-

 

ет в пространство радиоэлектронного

 

устройства. Чем больше магнитная

 

проницаемость материала экрана, тем

 

большая часть энергии магнитной со-

 

ставляющей поля будет сосредоточи-

Рис. 6.19. Принцип

ваться в толще экрана. Поэтому наи-

большей эффективностью будут обла-

действия

дать конструкции,

изготовленные из

магнитногоэкрана:

ферромагнетиков: железа (Fe), никеля

/ — источник магнитной

помехи;

(Ni), кобальта (Со), гадолиния (Gd).

ненные из немагнитных

Корпуса приборов и устройств, выпол-

материалов,таких как

сплавы алюминия

(АМг, АМц, Д16), магния (МА2, МЛ1,МЛ2.3), титана (ВТЗ, ОТ4), меди, латуни (Л90, Л70, ЛЖС58-1-1), не способны концентрировать магнитные силовые линии и потому не способны выполнять роль магнитных экранов. Это хорошо иллюстрируют графики рис. 6.20— 6.22, на которых видно, что для АМц, Д16 и ЛЖС58-1-1 затухание магнитного поля ничтожно мало по сравнению с действием экрана из карбонильного железа, технически чистого железа АРМКО, пермаллоев 79НМ, 80ХНС.

268

Рис. 6.20. ЗависимостьРис. 6.21. Зависимость коэффи-

Рис. 6.22. Зависимость

коэффициента отраже-

циента поглощения К( п) от

общегокоэффициента

нияК(о)отчастотыпри

частоты длямагнитногоэкрана

экранирования К (э )

магнитномэкранирова-

(толщина стенки 1 мм)

отчастотыдлямагнит-

нии(толщина

 

ногоэкрана(толщина

стенки 1 мм)

 

стенки 1 мм)

Суммарная эффективность экранирования К(э) для различных материалов представлена на рис. 6.22. Однако вклад каждой составляющей неравнозначен. Так, на частоте f= 10 Гц для экрана из 80XHC(t=l мм) K(п) = 8дБ, а K(о) = ЗЗдБ, на частоте 100 Гц имеем соответственно 23 и 44 дБ, а на частоте 500 Гц вклады примерно равны 58 и 52 дБ. Отсюда можно сделать вывод, что на низких частотах (f100 Гц) основной вклад в магнитное экранирование вносит эффект отражения, а экранирование за счет поглощения энергии помехи незначительно.

Выражение для оценки эффективности экрана

из магнитных материалов (μ ≥ 3 • 103 ) на частотах f≤100 Гц имеет вид

 

 

 

 

 

 

ì

 

 

 

ZM

 

 

 

 

ü

 

 

 

 

 

 

 

K(H ) = K(o) = 20lg

ï1+

 

 

k

 

t

ï

 

 

 

 

 

(6.11)

 

 

 

M

ý

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

í

 

 

 

2Z

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

Д

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

î

 

 

 

 

 

 

þ

 

 

 

 

 

 

 

из немагнитных материалов (μ.= 1; ZНД /ZM >> 1)

 

 

 

 

 

 

 

 

ì

 

 

 

 

Н

 

 

 

 

 

ü

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

Z Д

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

K(0) = 20lgí1+

 

 

 

 

 

 

th(kM t)ý

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Z

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

Д

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

î

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

þ

 

 

 

 

 

 

 

 

При kм t→0 K(п)→0 и

ì

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ü

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ì

 

 

 

fRtü

 

ï

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K(H ) = K(0) = 20lg

 

Z Д

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

í1

+

 

 

 

 

(kM t)ý

 

= 20lg

í1

+ 4

×10

 

 

 

ý (6.12)

2Z

 

 

 

 

ρ

 

 

ï

 

Д

 

 

ï

 

 

 

 

 

 

î

 

 

 

 

þ

 

î

 

 

 

 

 

 

þ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

269

 

Эффективность

 

магнитных

 

 

экра-

 

нов

увеличивается с

ростом

частоты/

 

(рис. 6.23) и толщины стенок t (рис. 6.24).

 

Однако

с увеличением

размеров

экрана

 

R К(Н) заметно снижается. Основными

 

материалами для таких экранов следует

 

выбирать

магнитомягкие

 

материалы:

 

технически

чистое

железо

 

(АРМКО,

 

005ЖР, 008ЖР), карбонильное железо,

 

низкоуглеродистые

 

нелегированные

Рис. 6.23. Частотная зависимость

стали

и

пермаллои.

 

Эти

 

материалы,

волновогосопротивленияэкрана

имеющие

требуемые

магнитные

 

свойст-

 

ва, удобны для изготовления экраниру-

 

ющих оболочек разными методами пла-

 

стической деформации. Самым про-

 

стым и надежным материалом следует

 

считать технически чистое железо. Оно

 

служит основным компонентом боль-

 

шинства магнитных материалов. Маг-

 

нитные

свойства

его

 

будут

 

определять-

 

ся количеством и составом примесей, из

 

которых наиболее вредными являются:

 

углерод (С), кислород

 

(О), сера (S), во-

 

дород (Н). Из электротехнических

ста-

 

лей

для

магнитных

экранов

подходят

 

те, которые допускают пластическую

 

деформацию,

например

10895,

 

ЭТ20895,

 

ЭТ21895. Лучшими материалами для

 

магнитных экранов следует считать же-

 

лезо-никелевые

сплавы

(пермаллои),

Рис. 6.24. Эффективность магнит-

обладающие

наибольшей

 

магнитной

ногоэкранав зависимостиоттол-

проницаемостью

в

слабых

 

магнитных

щиныстенкидляферромагнит-

полях. С учетом пригодности

к

пласти-

ных материалов на частоте 10 кГц

ческой

деформации

лучше

 

всего

при-

менять пермаллои марок: 79НМ,80ХНС, 50ХНС, 81НМА. Основные свойства перечисленных материалов приведены в табл. 6.1.

Магнитные экраны эффективны лишь при постоянном токе и в диапазоне низких частот. С увеличением частоты повышенная магнитная проницаемость теряет свое значение из-за вытеснения магнитного поля ближе к поверхности экрана.

270

 

 

 

 

Таблица 6.1

 

 

 

 

 

Материал

Толщина

ρ-10-6,

μ

ГОСТ, ТУ

 

листа,

Ом·мм

 

 

Технически

 

 

 

 

чистое железо

0,1 ... 3,9

100

250

ТУ14-1-1720-76

Карбонильное

 

 

 

 

железо

0,1 ... 3,9

100

4000

ГОСТ 13610-79

Электротехни-

 

 

 

 

ческие нелеги-

 

 

 

 

рованные

0,1 ... 3,9

140

3000

ГОСТ 3836-83

стали: 10895,

 

 

 

 

20895, 11895,

 

 

 

 

21895

 

 

 

 

Пермаллои:

0,005

550

10000 ...

ГОСТ 10160-75

79НМ

... 22

620

25000

ГОСТ 10160-75

80ХНС

0,005

800

25000 ...

ГОСТ 10160-75

Немагнитные

материалы,

такие

как

 

 

ла-

 

 

 

тунь, сплавы алюминия, магния, титана,

 

 

 

действуют как электромагнитные экраны.

 

 

 

Поэтому их эффективность при защите от

 

 

 

магнитных полей очень мала, что подтвер-

 

 

 

ждают графики рис. 6.25.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электростатические

 

экраны

с

целью

 

 

 

уменьшения

потенциала

 

вторичной

помехи

 

 

 

целесообразно изготовлять из материалов с

 

 

 

высокой проводимостью. Такими конструк-

 

 

 

ционными материалами,

прежде

всего,

 

слу-

 

 

 

жат двойные латуни (Л70, Л80, Л85, Л90),

 

 

 

деформируемые

алюминиевые

сплавы

АДО,

 

 

 

АД1, АМц. Если экран изготовляется путем

Рис. 6.25. Эффективность

механической

обработки

(резание,

точение,

фрезерование), то более удобны свинцови-

магнитных экранов из

немагнитных материалов на

стые латуни ЛС63-1, ЛС74-3, ЛС64-2,

дура-

ли Д16, В95.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

частоте 10 кГц

Эффективность

электростатического

 

 

 

 

экрана оценивается по формуле

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K(E) = 20lgì1+

Z ДE

(k

 

t)ü

= 20lg

ì1+

1.11×1012 t ü

 

 

M

 

 

 

 

 

ý

 

í

 

2ZM

 

ý

 

 

í

 

 

fρR

 

 

î

 

 

 

þ

 

 

î

 

 

 

þ

271

Экранирующий эффект конструкционных материалов корпусов радиоаппаратуры, рассчитанный по этой формуле, представлен на графиках рис. 6.26 и 6.27 для R = 50 мм. Из графиков видно, что при/= 0 экранирующий эффект стремится к бесконечности, но с ростом частоты снижается. Причина заложена в частотной зависимости волнового сопротивления пространства электрической составляющей поля:

ZE Д =(ωε0R)-1.

(6.14)

Рис. 6.26. Зависимость эффекРис. 6.27. Зависимость эффективности

тивности электростатического

электростатическогоэкрана отчастоты

экрана оттолщины стенки

 

Обязательным условием такого экранирования является соединение экрана с корпусом прибора или землей. Роль электростатического экрана может выполнять металл с любым удельным сопротивлением. Например, на частоте/= 104 Гц эффективность экранирования для высокоомного титана ВТЗ и низкоомного АМц будет равна:

ρ(ВТЗ) = 1360 10-6 Ом мм, K(E) = 180дБ,

ρ(АМц) = 3010 -6 Ом мм, K(E) = 210дБ.

Относительное изменение эффективности экранирования и удельного сопротивления составит:

ΔК(Е)/К(Е) = (210-180)/210=14%,

ρ ( ВТЗ)/ρ( АМц)=1360·10-6/30·10-6 = 45,3%.

Нет особых требований и к толщине экрана. Из рис. 6.30 находим

К(Е)А1=220ДБ для t=10мм,

К(Е)Аl=160дБ для t=1мкм.

272