Рис. 3.3.27. Схема формирования картины микродифракции
Величина XL называется постоянной прибора.
Она находится с помощью вещества с известным межплоскостным расстоянием
Операция индицирования картины микроди фракции обычно проводится путем сравнения с эталонными схемами дифракции от решеток, для которых оси зон известны. Эталонные схемы для ГЦК, ОЦК, гексагональной плотно упакованной решетки и решетки алмаза представлены в табл. 3.3.3. Приведенные схемы содержат рефлек сы с наименьшими индексами dhki, которые чаще всего встречаются в практике.
По геометрическому рисунку, составленному из наблюдаемых рефлексов на полученной микродифракционной картине, подбирается аналог из набора эталонных схем. Правильность выбора проверяется расчетом углов ф между радиусамивекторами R (рис. 3.3.28 и табл. 3.3.4), направлен ными из центра изображения в соответствующие рефлексы (hkt).
Вторым критерием правильности индицирова ния микродифракционной картины является вы
Постоянная прибора XL, определяющая масштаб ди фракционной картины, колеблется в пределах нескольких процентов. Съемка микродифракционных картин предполага ет их эталонирование.
полнение условия*: отношение |
R... |
должно быть |
равно обратному отношению соответствующих межплоскостных расстояний (табл. 3.3.5).
Рис. 3.3.28. Пример индицирования рефлексов на микродифракционной картине
Индицирование рефлексов на микродифракци онной картине предполагает назначение кристал лографических индексов {hid) для каждого зареги стрированного отражения. При этом должны вы полняться следующие правила:
•\h \k\l]] + [h2k2l2] = [h3k3l3]-
•индексы рефлексов, расположенных вдоль одной прямой, проведенной из центра (000), крат ны их расстоянию от центра и имеют кратные ин дексы: [h2 к2 12], [2h2 2к2 2к2].
Индексы оси зоны [uvw] определяются из урав нения
= [/г,/2 - / 2£р /,/г2 -/г,/2, h^k2-£,/z2].
При этом всегда справедливо выражение:
hu +kv +lw = 0.
Если указанные критерии выполняются, карти на микродифракции расшифрована и ось зоны кристаллографических плоскостей определена. Алгоритм выполнения операций индицирования следующий:
• кроме центрального пятна, выбрать два реф лекса, не лежащих на одной прямой, проходящей через центральное пятно;
|
|
|
|
*Систематическое отношение R\ : R2 |
: = d~] d~l |
d„l |
~ g\ • gi |
gn• Модуль вектора обратной решетки |
g i = d~l |
однозначно характеризует тип структуры для вы |
бранного направления дифракции.