|
|
|
//. Н а ч а л ь н ы е т о к а (м к а ) |
|
|
|
Определение |
|
Обозначе |
Величина |
|
|
|
|
|
|
|
|
ние |
мин. |
макс. |
|
|
|
|
|
|
|
Ток коллекторного перехода при хх |
|
0,4 |
|
в |
цепи |
эмиттера |
и UK= 5 |
в |
I кбо |
ш |
Ток коллекторного перехода при хх |
^кбо |
1.2 |
ГГГ7 |
в |
цепи |
эмиттера |
UK= 20 в |
|
|10| |
Ток |
эмиттерного |
перехода |
при хх |
|
|
|
в |
цепи |
коллектора |
£/эо = 2 |
в |
■^эбо |
15- |
1100 j |
|
|
III. |
У с и л и т е л ь н ы е |
п а р а м е т р ы |
|
|
при температуре окруоюающей |
среды |
Г ° = + 20±5° С |
|
|
при У к= 5 в\ /к =5 лш а /=270 гц |
|
1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА а) ПАРАМЕТРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ
Определение |
Обозна |
чение |
Входное |
сопротивление |
^11Э |
Входное |
|
сопротивление |
|
при / к = |
1 м а |
|
^11Э |
Коэффициент |
обратной |
|
связи |
по напряжению |
h\2b |
Выходная проводимость |
h223 |
Коэффициент |
передачи |
h2\s |
тока |
|
|
|
Входное сопротивление |
^21б |
Входное- |
сопротивление |
|
при / |
к = 1 м а |
^21б |
Коэффициент |
обратной |
|
связи'по напряжению |
^ 12б |
Выходная |
проводимость |
^22б |
Коэффициент |
передачи |
|
тока |
|
|
|
^21б |
Един.
изм.
ОМ
о м
—
м к с и м
____
ом
ом
____
м к с и м
—
Величина
мин. макс.
200 |
800 |
700 |
2500 |
1 ,0 -10"4 |
8,5 • 10” *4 |
100 |
300 |
30 |
100 |
5 |
7 |
24 |
29 |
1 |
|
О |
1 2 -10” 4 |
|
1,8 |
3,0 |
0,97 |
0,992 |
IV . П а р а м е т р ы п е р е к л ю ч е н и я |
|
|
|
при температуре |
окружающей среды |
Т°с = + 20±5°С |
|
|
|
Величина |
|
Режим |
|
Определение |
Обозна- |
Един. |
|
|
измерений |
|
|
|
|
чение |
изм. |
|
'к |
'в |
|
|
|
мин. |
макс. |
/, гц |
|
|
|
|
ма |
ма |
|
Время рассасывания
Напряжение |
коллек |
тор — эмиттер |
в ре |
жиме насыщения
Напряжение эмиттер — база в режиме насы щения
ТР |
нсек |
— |
| 4001 |
1 0 |
1 |
103 |
|
в |
1,2 |
2 |
2 0 0 |
2 0 |
|
U бэн |
в |
0,3 |
0,5 |
10 |
1 |
— |
ТРАНЗИСТОР ГТ320Б
|
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
при температуре |
окружающей |
среды |
Тс = + 2 0 ±5° С |
|
|
Обозна |
Един. |
Величина |
Режим измерений |
Определение |
|
|
|
|
|
чение |
изм. |
мии. |
макс. |
V K. e |
'к- |
/» кгц |
|
|
|
|
Модуль коэффи |
|
|
|
|
|
|
|
циента пере |
|
|
|
|
|
10 |
20 • 10* |
дачи |
тока |
1 ^21Э 1/ |
|
ш |
|
5 |
Коэффициент |
|
|
|
“ |
|
|
|
передачи тока |
^21Э |
|
йо] |
|120J |
1 |
10 |
0,27 |
Коэффициент |
|
|
No] |
|
|
200 |
|
передачитока |
Л21Э |
|
|
3 |
0,27 |
Напряжение |
|
|
|
|
|
|
|
коллектор — |
|
|
|
|
|
|
|
эмиттер при |
^кэо |
|
on |
— |
— |
— |
— |
Л21б — 1 |
в |
|
|
|
|
|
|
|
|
То же |
при |
|
|
on |
|
|
|
|
R Q = |
1 к о м |
" к * |
в |
— |
— — |
— |
Время |
расса |
|
нсек |
|
|
|
10 |
|
сывания |
ТР |
|
500 |
|
Юз |
/ б = 1 м а
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерении ГТ320А,
Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ320А—ГТ320В для
Зависимость коэффициента передачи тоКа транзцСТ0р0В • ГТ320А—ГТ320В от тока
эмиттера '
Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ320А для схемы с общим эмиттером
Типовые выходные характеристики транзисторов |
ГТ320Б для схемы с общим |
тером |
мнт' |
-типовая зависимость, -границы 80-процентного разброса
Зависимость предельно допустимого напряжения и кэ$ транзисторов ГТ320А—ГТ320В
от температуры окружающей среды:
----------типовая зависимость,
--------- границы 80-процентиого разброса
Зависимость предельно допустимого напряжения U кэлг= 1 ком транзисторов ГТ32ЭА—ГТ320В от температуры окружающей среды:
----------типовая зависимость,
--------- границы 80-процентного разброса
Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов ГТ320А—ГТ320В от темпе ратуры окружающей среды
