книги из ГПНТБ / Богатырев Ю.К. Импульсные устройства с нелинейными распределенными параметрами
.pdfми, обладающими по возможности большим коэффи циентом перекрытия величины нелинейного пара метра.
Рассмотрим две экспериментально проверенные па раметрические реактивные системы, построенные на ос нове линий передач с дискретными параметрами {93, 94]. Первая предназначалась для сжатия (компрессии) импульсов и содержала две линейные связанные линии
Рис. 4.10. Эквивалентная схема связанных нелинейно-параметри ческих линий с компенсирующим наводки включением индуктив ностей.
(рис. 4.10) с компенсационным включением обмоток ин дуктивностей звеньев для устранения электромагнитной связи между линиями. Компенсация наводимых из линии в линию сигналов достигается тем, что каждая из ин дуктивностей звена разбивается на две равные части L и L* с противофазным включением обмоток в каж дой из этих частей. Таким образом, на выходе любого звена каждой из линий напряжение, наведенное из смежной линии, было близко к нулю. Для того чтобы условия компенсации не нарушались в процессе перемагничивания феррита индуктивностей, необходимо предварительно подбирать ферритовые сердечники с одинаковой статической (лучше динамической) ха рактеристикой намагничивания. Поскольку индуктив ности L и L* нелинейны, ток, протекающий по любой из линий, вызывал изменение величины индуктивности и в смежной линии.
210
На вход первой линии поступает преобразуемый импульс. Синхронно с ним во вторую линию посылает ся управляющий сигнал в виде перепада тока, кото рый создает скачкообразное изменение индуктивности первой линии, распространяющееся со скоростью уп равляющего сигнала. Исходный импульс взаимодейст вует со скачком параметра, в результате чего умень шает свою начальную длительность и увеличивает амплитуду. Взаимодействие может быть как попут ным, так и встречным, а режим работы схемы — как квазилинейным, так и существенно нелинейным. В та кой линии было получено уменьшение длительности импульса в 10 раз, а увеличение его амплитуды в 100 раз [95] *>.
Пример системы, в которой осуществляется пара метрическое расширение импульсов, описан в работе [99]. Система содержала также две связанные линии (рис. 4.11), звенья одной из которых имели нелиней ные конденсаторы (на основе сегнетокерамика типа ВК-7), изменяющие под действием управляющего на
пряжения свою емкость примерно от 3 до |
12 пФ (L — |
= 0,05 мкГ; p m in “ 7 5 Ом; рта х — 150 Ом). |
По отноше |
нию к преобразуемому сигналу система работала в ли нейном режиме, поэтому исходный импульс с началь ной длительностью ^ио~5-10-9 с и фронтом 10-9 с преобразовывался в линии в импульс аналогичной формы, растянутый во времени и пространстве в два раза.
Следует отметить, что в качестве распределенных систем с нелинейной управляемой погонной емкостью весьма перспективны, на наш взгляд, полосковые ли нии на основе сегнетоэлектрических пленок из титаната (или.цирконата) бария толщиной в единицы мик рон. Такие пленки имеют максимальную диэлектриче-
*> Экспериментальная проверка работы данной системы была проведена в микросекундном диапазоне длительностей импульсов.
14* |
211 |
скую проницаемость ~1000 и |
сохраняют нелинейные |
|
н дисперсионные свойства в |
чрезвычайно широком |
|
диапазоне частот от довольно |
низких |
(103... 104 Гц) |
до весьма высоких (~ 1 0 10 Гц) |
[50, 51]. |
Поэтому пере |
стройка емкости линии может быть произведена за время приблизительно равное (1 ... 2) • 10-10 с. К недо-
L1
Рис. 4.11. Схема связанном линии с сегпеюьлекТричесКими кон денсаторами:
/ — вход управляющего сигнала; 2— преобразуемого.
статкам сегнетоэлектрпческих полосковых линий сле дует отнести высокую температурную чувствитель ность. Однако этот недостаток тем меньше, чем тонь ше сегнетоэлектрпческая пленка, и, кроме того, мо жет быть практически устранен помещением линии в термостабилизирующую среду.
Ключевые параметрические линии, как это будет показано ниже, по-видимому, более, чем реактивные, подходят для преобразования наносекундных видео импульсов (особенно однократных пли случайных) без искажения их формы. Ключевые линии должны удовлетворять ряду общих требований: а) обладать малой дисперсией и потерями во всем спектре частот преобразованного импульса; б) иметь малую инерци онность в управлении и, по-возможности, большее из менение величин параметров; в) быть линейными по отношению к преобразуемому импульсу; г) иметь до
212
статочно малую амплитуду паразитных наводок, обу словленных управляющим сигналом.
Эти условия и ограничивают выбор параметриче ских систем, пригодных для линейного преобразова ния импульсов по длительности. В частности, при ис пользовании параметрических линий с нелинейными реактивными элементами L или С, вышеперечислен ные требования являются в значительной мере проти воречивыми. Так, первые два условия требуют от ре активных элементов сильной нелинейности и слабой дисперсии. Однако такие, например, нелинейные мате риалы, как ферриты и сегнетоэлектрики, обладают такими свойствами только на относительно низких частотах. Требование линейности системы относитель но преобразуемых импульсов приводит к необходимо сти использовать управляющие сигналы с амплитудой, значительно превосходящей амплитуду преобразуе мых импульсов. Поэтому влияние паразитных наводок возрастает и, следовательно, усложняются развязы вающие цепи. Все это ограничивает применение реак тивных параметрических линий для преобразований длительности импульсов без искажения формы. Ряд преимуществ в этом отношении имеют ключевые па раметрические линии с последовательной или одно временной коммутацией переключающих элементов. Возможности таких линий видны из простого примера.
Если все ключи замыкаются в один и тот же мо мент времени, то для линии с переключением емкостей (рис. 4.5,а) длительность преобразованного импульса
6i = ^Ioyo/y) = 6io[(C’ + Ci)/C]1/2 |
для |
линии с переключе |
нием индуктивностей (рис. |
4.5) |
6i = 6m[Ei/(L + Li)]1/2. |
Преимущество ключевых линий перед реактивными заключается еще в том, что, во-первых, ключевые ли нии— линёйные системы, во-вторых, для управления ключами требуются сигналы относительно малой амп литуды (а это облегчает задачу подавления паразит ных наводок в цепи преобразуемого импульса) и,
213
в-третьих, при использовании достаточно быстродейст вующих ключей можно осуществить параметрическое преобразование длительности наносекундных импуль сов в диапазоне 10-8... 10~9 с и менее.
В практической реализации таких систем центр тя жести лежит на ключевых устройствах. Они должны обладать малым порядка 10~9... 10 -10 с) временем коммутации, низким внутренним сопротивлением, иметь линейные характеристики вплоть до самых уров ней преобразуемого сигнала и, кроме того, обладать малыми паразитными параметрами.
Из всех известных нам и экспериментально прове ренных к настоящему времени ключевых элементов (электровакуумных, газоразрядных, полупроводнико вых и других коммутаторов) наиболее подходящими, с точки зрения вышеперечисленных требований, явля ются, по-видимому, высокочастотные транзисторы, ра ботающие в ключевом режиме.
Одним из примеров параметрической линии с тран зисторными ключами является система, принципиаль ная схема которой приведена на рис. 4.12. Работа схе мы была проверена экспериментально [95] при следую
щих значениях ее параметров: |
Т — типа |
П402; L — |
= 1,5-10~7 Г; С= 10 пФ; С*=40 |
пФ; Р=11 |
кОм. В ли- |
Рис. 4.12. Схема параметрической линии с транзисторными клю чами.
214
нии происходило параметрическое расширение исход ного импульса, который поступал на вход (клеммы 1—2) линии. Управляющий сигнал (амплитудой по рядка 10 В) подавался одновременно на все транзи сторные ключи (клеммы 2—5), когда преобразуемый сигнал уже полностью находился внутри линии и за
мыкал их. При |
замыкании ключей линия изменяла |
|
свое |
волновое |
сопротивление с рА= 120 Ом до рг= |
= 50 |
Ом; скорость распространения импульса на звено |
линии уменьшалась с щ «8,1-109 с-1 до У2~3,5-109с-1.
В результате |
длительность |
импульса увеличивалась |
с /ио~25-109 |
с до 70-10~9 с, что хорошо совпадало |
|
с расчетными |
данными. Искажения формы сигнала |
|
были весьма незначительные |
(не превышали 10%) и, |
|
в основном, |
определялись |
ограниченностью полосы |
пропускания системы и наводками из цепи управле ния. Наводки были обусловлены током, проходящим через емкость коллектор — база. Этот ток и ограни чивает минимально допустимую амплитуду входного сигнала. Для уменьшения искажений необходимо либо снижать амплитуду управляющего сигнала, либо ис пользовать схемы компенсации. Однако уменьшение амплитуды управляющего сигнала приводит к сущест венному возрастанию времени переключения транзи сторов. Поэтому, уменьшая амплитуду управляющего сигнала, необходимо использовать более быстродей ствующие транзисторы.
В схемах компенсации напряжение соответствую щей формы и полярности и компенсирующее наводки может подаваться в систему распределенным образом, т. е. во все узловые точки ключевой линии, где возни кает напряжение наводки, или (применительно к реак тивным линиям) сосредоточенным образом, только на выходе системы. Но из-за значительного усложнения системы метод компенсации может быть использован, по-видимому, только в схемах преобразования началь ного наносекундного диапазона длительностей.
215
Из возможных способов уменьшения искажении, обусловленных управляющим сигналом, можно отме тить способ, который состоит: а) в применении клю чей, коммутирующих такими сигналами, частотный спектр которых лежит вне частотного спектра преоб разуемых импульсов (например, использование в ка честве управляющих импульсов модулированных СВЧ сигналов); это позволит без особых трудностей от фильтровать сигнал наводки; б) в применении ключей,
Рис. 4.13. Схема спиральной параметрической линии с транзистор ными ключами.
управляемых сигналами, не вызывающими электро магнитных наводок в цепи преобразования (например, использование в качестве управляющих импульсных световых сигналов, а в качестве ключей — фотодиодов или фототрподов)
Как пример параметрического компрессора импуль сов наносскундной длительности рассмотрим другую ключевую систему, эквивалентная схема которой при ведена на рис. 4.13 [95]. Она представляет собой спи ральную линию, намотанную на ферритовых стержнях в три провода. Поверх первичной спирали проложены полиэтиленовая изоляционная пленка и затем вторич ная секционированная обмотка. Каждая секция вто ричной обмотки могла коммутироваться на землю че рез полупроводниковый триод, включенный по схеме с общим эмиттером. Погонной емкостью линии служи ла емкость между первичной и вторичной обмотками.
216
всей длины полупроводником в с собственной прово димостью (например, очищенным германием). Если на
поверхность направить |
коммутирующее |
воздействие |
|||||
7 |
|
(например, |
поток |
быст |
|||
|
рых электронов или фо |
||||||
|
|
||||||
|
|
тонов 7), |
то |
вследствие |
|||
|
|
генерации электронно-ды |
|||||
|
|
рочных пар проводимость |
|||||
|
|
полупроводника |
резко |
||||
|
|
возрастет и обе полоско |
|||||
|
|
вые линии окажутся элек |
|||||
|
|
трически замкнутыми, об |
|||||
Рис. 4.15. Конструкция распре |
разуя единую электромаг |
||||||
нитную |
систему. Переме |
||||||
деленной ключевой параметри |
|||||||
ческой системы. |
|
щением |
коммутирующее |
||||
пости полупроводника |
|
воздействие вдоль поверх- |
|||||
с заданной |
скоростью |
можно |
обеспечить требуемую скорость перемещения скачка параметра.
Если волновое сопротивление и скорость распрост ранения сигнала в первой линии равны соответственно Pi и Vi, а во второй линии рг и vt, то после замыкания
обеих |
линий общее |
волновое |
сопротивление |
будет |
равно |
Р = Р1Р2[ЩУ2/(Р1У1+ Р2У2) (piW2+p2Wl)]1/2 И |
О б щ а я |
||
скорость У= [щи2(рЩ2+ Р2Щ)/(рЩ1+ р2а2)]1;2. |
|
|||
Так, например, |
если pi = р2 |
и щ > и 2, то щ> у> у2. |
Значит, если по обеим линиям распространяются сиг налы, то после замыкания сигнал в первой линии будет тормозиться и, следовательно, увеличиваться по дли тельности, а сигнал во второй линии ускорится и уменьшится по длительности. Время коммутации такой системы может составлять 10~10 с и менее, что позво ляет использовать ее в качестве параметрического пре образования импульсов длительностью 10-9... 10 ~10 с и СВЧ сигналов.
5
ГЕНЕРИРОВАНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ В ВОЛНОВЫХ НЕЛИНЕЙНО-ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ
СИСТЕМАХ
Одним из новых видов импульсных устройств вол нового типа являются параметрические генераторы им пульсных колебаний, построенные на основе волновых
систем с |
переменными реактивными параметрами |
|
[9, |
100]. |
параметрических генераторов подобного |
|
Основой |
типа является резонансная система, выполненная в ви де отрезка (или кольца) линии с нелинейными реак тивными элементами, в которой происходит преобра зование энергии волны гармонической накачки в энер гию импульсных колебаний.
Для параметрического генератора импульсов ха рактерны специфические особенности *): во-первых, резонатор генератора должен обладать спектром соб ственных частот, близким к эквидистантному — при этом взаимодействует наибольшее число мод. Во-вто рых, фазовые соотношения между возбужденной вол ной импульсных колебаний и волной накачки долж ны быть такими, чтобы поле генерируемых колебаний (импульса) имело максимальное значение в реактив ном элементе при уменьшении величины реактивности во времени иод действием поля волны накачки, и близ ко к нулю при увеличении реактивного параметра. В этом случае условия синхронизации фаз между мо дами оптимальны, поэтому изменение поля носит им пульсный характер. Кроме того, изменение реактив ного параметра вдоль длины резонатора должно быть неоднородным по фазе, чтобы обеспечить эффектив ную перекачку энергии из волны накачки.
*> По сравнению, например, с одночастотными параметриче скими генераторами [87, 88].
219