Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Богатырев Ю.К. Импульсные устройства с нелинейными распределенными параметрами

.pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.03 Mб
Скачать

ми, обладающими по возможности большим коэффи­ циентом перекрытия величины нелинейного пара­ метра.

Рассмотрим две экспериментально проверенные па­ раметрические реактивные системы, построенные на ос­ нове линий передач с дискретными параметрами {93, 94]. Первая предназначалась для сжатия (компрессии) импульсов и содержала две линейные связанные линии

Рис. 4.10. Эквивалентная схема связанных нелинейно-параметри­ ческих линий с компенсирующим наводки включением индуктив­ ностей.

(рис. 4.10) с компенсационным включением обмоток ин­ дуктивностей звеньев для устранения электромагнитной связи между линиями. Компенсация наводимых из линии в линию сигналов достигается тем, что каждая из ин­ дуктивностей звена разбивается на две равные части L и L* с противофазным включением обмоток в каж­ дой из этих частей. Таким образом, на выходе любого звена каждой из линий напряжение, наведенное из смежной линии, было близко к нулю. Для того чтобы условия компенсации не нарушались в процессе перемагничивания феррита индуктивностей, необходимо предварительно подбирать ферритовые сердечники с одинаковой статической (лучше динамической) ха­ рактеристикой намагничивания. Поскольку индуктив­ ности L и L* нелинейны, ток, протекающий по любой из линий, вызывал изменение величины индуктивности и в смежной линии.

210

На вход первой линии поступает преобразуемый импульс. Синхронно с ним во вторую линию посылает­ ся управляющий сигнал в виде перепада тока, кото­ рый создает скачкообразное изменение индуктивности первой линии, распространяющееся со скоростью уп­ равляющего сигнала. Исходный импульс взаимодейст­ вует со скачком параметра, в результате чего умень­ шает свою начальную длительность и увеличивает амплитуду. Взаимодействие может быть как попут­ ным, так и встречным, а режим работы схемы — как квазилинейным, так и существенно нелинейным. В та­ кой линии было получено уменьшение длительности импульса в 10 раз, а увеличение его амплитуды в 100 раз [95] *>.

Пример системы, в которой осуществляется пара­ метрическое расширение импульсов, описан в работе [99]. Система содержала также две связанные линии (рис. 4.11), звенья одной из которых имели нелиней­ ные конденсаторы (на основе сегнетокерамика типа ВК-7), изменяющие под действием управляющего на­

пряжения свою емкость примерно от 3 до

12 пФ (L —

= 0,05 мкГ; p m in “ 7 5 Ом; рта х 150 Ом).

По отноше­

нию к преобразуемому сигналу система работала в ли­ нейном режиме, поэтому исходный импульс с началь­ ной длительностью ^ио~5-10-9 с и фронтом 10-9 с преобразовывался в линии в импульс аналогичной формы, растянутый во времени и пространстве в два раза.

Следует отметить, что в качестве распределенных систем с нелинейной управляемой погонной емкостью весьма перспективны, на наш взгляд, полосковые ли­ нии на основе сегнетоэлектрических пленок из титаната (или.цирконата) бария толщиной в единицы мик­ рон. Такие пленки имеют максимальную диэлектриче-

*> Экспериментальная проверка работы данной системы была проведена в микросекундном диапазоне длительностей импульсов.

14*

211

скую проницаемость ~1000 и

сохраняют нелинейные

н дисперсионные свойства в

чрезвычайно широком

диапазоне частот от довольно

низких

(103... 104 Гц)

до весьма высоких (~ 1 0 10 Гц)

[50, 51].

Поэтому пере­

стройка емкости линии может быть произведена за время приблизительно равное (1 ... 2) • 10-10 с. К недо-

L1

Рис. 4.11. Схема связанном линии с сегпеюьлекТричесКими кон­ денсаторами:

/ — вход управляющего сигнала; 2— преобразуемого.

статкам сегнетоэлектрпческих полосковых линий сле­ дует отнести высокую температурную чувствитель­ ность. Однако этот недостаток тем меньше, чем тонь­ ше сегнетоэлектрпческая пленка, и, кроме того, мо­ жет быть практически устранен помещением линии в термостабилизирующую среду.

Ключевые параметрические линии, как это будет показано ниже, по-видимому, более, чем реактивные, подходят для преобразования наносекундных видео­ импульсов (особенно однократных пли случайных) без искажения их формы. Ключевые линии должны удовлетворять ряду общих требований: а) обладать малой дисперсией и потерями во всем спектре частот преобразованного импульса; б) иметь малую инерци­ онность в управлении и, по-возможности, большее из­ менение величин параметров; в) быть линейными по отношению к преобразуемому импульсу; г) иметь до­

212

статочно малую амплитуду паразитных наводок, обу­ словленных управляющим сигналом.

Эти условия и ограничивают выбор параметриче­ ских систем, пригодных для линейного преобразова­ ния импульсов по длительности. В частности, при ис­ пользовании параметрических линий с нелинейными реактивными элементами L или С, вышеперечислен­ ные требования являются в значительной мере проти­ воречивыми. Так, первые два условия требуют от ре­ активных элементов сильной нелинейности и слабой дисперсии. Однако такие, например, нелинейные мате­ риалы, как ферриты и сегнетоэлектрики, обладают такими свойствами только на относительно низких частотах. Требование линейности системы относитель­ но преобразуемых импульсов приводит к необходимо­ сти использовать управляющие сигналы с амплитудой, значительно превосходящей амплитуду преобразуе­ мых импульсов. Поэтому влияние паразитных наводок возрастает и, следовательно, усложняются развязы­ вающие цепи. Все это ограничивает применение реак­ тивных параметрических линий для преобразований длительности импульсов без искажения формы. Ряд преимуществ в этом отношении имеют ключевые па­ раметрические линии с последовательной или одно­ временной коммутацией переключающих элементов. Возможности таких линий видны из простого примера.

Если все ключи замыкаются в один и тот же мо­ мент времени, то для линии с переключением емкостей (рис. 4.5,а) длительность преобразованного импульса

6i = ^Ioyo/y) = 6io[(C’ + Ci)/C]1/2

для

линии с переключе­

нием индуктивностей (рис.

4.5)

6i = 6m[Ei/(L + Li)]1/2.

Преимущество ключевых линий перед реактивными заключается еще в том, что, во-первых, ключевые ли­ нии— линёйные системы, во-вторых, для управления ключами требуются сигналы относительно малой амп­ литуды (а это облегчает задачу подавления паразит­ ных наводок в цепи преобразуемого импульса) и,

213

в-третьих, при использовании достаточно быстродейст­ вующих ключей можно осуществить параметрическое преобразование длительности наносекундных импуль­ сов в диапазоне 10-8... 10~9 с и менее.

В практической реализации таких систем центр тя­ жести лежит на ключевых устройствах. Они должны обладать малым порядка 10~9... 10 -10 с) временем коммутации, низким внутренним сопротивлением, иметь линейные характеристики вплоть до самых уров­ ней преобразуемого сигнала и, кроме того, обладать малыми паразитными параметрами.

Из всех известных нам и экспериментально прове­ ренных к настоящему времени ключевых элементов (электровакуумных, газоразрядных, полупроводнико­ вых и других коммутаторов) наиболее подходящими, с точки зрения вышеперечисленных требований, явля­ ются, по-видимому, высокочастотные транзисторы, ра­ ботающие в ключевом режиме.

Одним из примеров параметрической линии с тран­ зисторными ключами является система, принципиаль­ ная схема которой приведена на рис. 4.12. Работа схе­ мы была проверена экспериментально [95] при следую­

щих значениях ее параметров:

Т — типа

П402; L —

= 1,5-10~7 Г; С= 10 пФ; С*=40

пФ; Р=11

кОм. В ли-

Рис. 4.12. Схема параметрической линии с транзисторными клю­ чами.

214

нии происходило параметрическое расширение исход­ ного импульса, который поступал на вход (клеммы 12) линии. Управляющий сигнал (амплитудой по­ рядка 10 В) подавался одновременно на все транзи­ сторные ключи (клеммы 2—5), когда преобразуемый сигнал уже полностью находился внутри линии и за­

мыкал их. При

замыкании ключей линия изменяла

свое

волновое

сопротивление с рА= 120 Ом до рг=

= 50

Ом; скорость распространения импульса на звено

линии уменьшалась с щ «8,1-109 с-1 до У2~3,5-109с-1.

В результате

длительность

импульса увеличивалась

с /ио~25-109

с до 70-10~9 с, что хорошо совпадало

с расчетными

данными. Искажения формы сигнала

были весьма незначительные

(не превышали 10%) и,

в основном,

определялись

ограниченностью полосы

пропускания системы и наводками из цепи управле­ ния. Наводки были обусловлены током, проходящим через емкость коллектор — база. Этот ток и ограни­ чивает минимально допустимую амплитуду входного сигнала. Для уменьшения искажений необходимо либо снижать амплитуду управляющего сигнала, либо ис­ пользовать схемы компенсации. Однако уменьшение амплитуды управляющего сигнала приводит к сущест­ венному возрастанию времени переключения транзи­ сторов. Поэтому, уменьшая амплитуду управляющего сигнала, необходимо использовать более быстродей­ ствующие транзисторы.

В схемах компенсации напряжение соответствую­ щей формы и полярности и компенсирующее наводки может подаваться в систему распределенным образом, т. е. во все узловые точки ключевой линии, где возни­ кает напряжение наводки, или (применительно к реак­ тивным линиям) сосредоточенным образом, только на выходе системы. Но из-за значительного усложнения системы метод компенсации может быть использован, по-видимому, только в схемах преобразования началь­ ного наносекундного диапазона длительностей.

215

Из возможных способов уменьшения искажении, обусловленных управляющим сигналом, можно отме­ тить способ, который состоит: а) в применении клю­ чей, коммутирующих такими сигналами, частотный спектр которых лежит вне частотного спектра преоб­ разуемых импульсов (например, использование в ка­ честве управляющих импульсов модулированных СВЧ сигналов); это позволит без особых трудностей от­ фильтровать сигнал наводки; б) в применении ключей,

Рис. 4.13. Схема спиральной параметрической линии с транзистор­ ными ключами.

управляемых сигналами, не вызывающими электро­ магнитных наводок в цепи преобразования (например, использование в качестве управляющих импульсных световых сигналов, а в качестве ключей — фотодиодов или фототрподов)

Как пример параметрического компрессора импуль­ сов наносскундной длительности рассмотрим другую ключевую систему, эквивалентная схема которой при­ ведена на рис. 4.13 [95]. Она представляет собой спи­ ральную линию, намотанную на ферритовых стержнях в три провода. Поверх первичной спирали проложены полиэтиленовая изоляционная пленка и затем вторич­ ная секционированная обмотка. Каждая секция вто­ ричной обмотки могла коммутироваться на землю че­ рез полупроводниковый триод, включенный по схеме с общим эмиттером. Погонной емкостью линии служи­ ла емкость между первичной и вторичной обмотками.

216

всей длины полупроводником в с собственной прово­ димостью (например, очищенным германием). Если на

поверхность направить

коммутирующее

воздействие

7

 

(например,

поток

быст­

 

рых электронов или фо­

 

 

 

 

тонов 7),

то

вследствие

 

 

генерации электронно-ды­

 

 

рочных пар проводимость

 

 

полупроводника

резко

 

 

возрастет и обе полоско­

 

 

вые линии окажутся элек­

 

 

трически замкнутыми, об­

Рис. 4.15. Конструкция распре­

разуя единую электромаг­

нитную

систему. Переме­

деленной ключевой параметри­

ческой системы.

 

щением

коммутирующее

пости полупроводника

 

воздействие вдоль поверх-

с заданной

скоростью

можно

обеспечить требуемую скорость перемещения скачка параметра.

Если волновое сопротивление и скорость распрост­ ранения сигнала в первой линии равны соответственно Pi и Vi, а во второй линии рг и vt, то после замыкания

обеих

линий общее

волновое

сопротивление

будет

равно

Р = Р1Р2[ЩУ2/(Р1У1+ Р2У2) (piW2+p2Wl)]1/2 И

О б щ а я

скорость У= [щи2(рЩ2+ Р2Щ)/(рЩ1+ р2а2)]1;2.

 

Так, например,

если pi = р2

и щ > и 2, то щ> у> у2.

Значит, если по обеим линиям распространяются сиг­ налы, то после замыкания сигнал в первой линии будет тормозиться и, следовательно, увеличиваться по дли­ тельности, а сигнал во второй линии ускорится и уменьшится по длительности. Время коммутации такой системы может составлять 10~10 с и менее, что позво­ ляет использовать ее в качестве параметрического пре­ образования импульсов длительностью 10-9... 10 ~10 с и СВЧ сигналов.

5

ГЕНЕРИРОВАНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ В ВОЛНОВЫХ НЕЛИНЕЙНО-ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ

СИСТЕМАХ

Одним из новых видов импульсных устройств вол­ нового типа являются параметрические генераторы им­ пульсных колебаний, построенные на основе волновых

систем с

переменными реактивными параметрами

[9,

100].

параметрических генераторов подобного

 

Основой

типа является резонансная система, выполненная в ви­ де отрезка (или кольца) линии с нелинейными реак­ тивными элементами, в которой происходит преобра­ зование энергии волны гармонической накачки в энер­ гию импульсных колебаний.

Для параметрического генератора импульсов ха­ рактерны специфические особенности *): во-первых, резонатор генератора должен обладать спектром соб­ ственных частот, близким к эквидистантному — при этом взаимодействует наибольшее число мод. Во-вто­ рых, фазовые соотношения между возбужденной вол­ ной импульсных колебаний и волной накачки долж­ ны быть такими, чтобы поле генерируемых колебаний (импульса) имело максимальное значение в реактив­ ном элементе при уменьшении величины реактивности во времени иод действием поля волны накачки, и близ­ ко к нулю при увеличении реактивного параметра. В этом случае условия синхронизации фаз между мо­ дами оптимальны, поэтому изменение поля носит им­ пульсный характер. Кроме того, изменение реактив­ ного параметра вдоль длины резонатора должно быть неоднородным по фазе, чтобы обеспечить эффектив­ ную перекачку энергии из волны накачки.

*> По сравнению, например, с одночастотными параметриче­ скими генераторами [87, 88].

219

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ