Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Андреев Д.П. Механически перестраиваемые приборы СВЧ и разделительные фильтры

.pdf
Скачиваний:
18
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
10.44 Mб
Скачать

При соединении резонаторов широкими стенками конструкция фильтра получается наиболее компактной, так как его длина опре­ деляется суммой наименьших размеров волновода.

Однако необходимо отметить, что при всех достоинствах описан­ ного резонатора его характеристики весьма критичны к размерам и к геометрическому положению штырей связи, что нужно иметь в виду при конструировании фильтра с такими связям'и.

В настоящее время трудно отдать предпочтение способу пере­ стройки резонатора металлическим или диэлектрическим стержнем. Оба способа широко 'используются для перестройки фильтров. Од­ нако мы полагаем, что перестройка с помощью металлических стержней проще в реализации. Поэтому далее рассматриваются фильтры с перестройкой металлическими стержнями.

3.2. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЙ ИНДУКТИВНЫЙ РЕЗОНАТОР Индуктивный резонатор, перестраиваемый емкостью

Резонатор с реактивностями в виде решетки из стержней, замыкающими широкие стенки волновода, является наиболее рас­ пространенным типом индуктивного резонатора. Это обусловлено его конструктивной и технологической простотой. Однако закон изменения добротности индуктивного резонатора при его пере­ стройке оказывается неблагоприятным (добротность растет с уменьшением частоты). Поэтому ниже подробно рассматриваются возможные пути устранения этого недостатка.

Эскиз резонатора и его эквивалентная схема приведены на рис. 3.5. Волновод на эквивалентной схеме представлен в виде лп-

Рис. 3.5. Индуктивный резонатор, перестраиваемый емкостью: а) общий вид; б) эквивалентная схема

нии передачи, а индуктивные диафрагмы и емкостный стержень — в виде сосредоточенных реактивностей.

31

Расстояние между реактивностями выбирается из условия резо­ нанса на высшей частоте диапазона перестройки [ф-ла (3.1)]. Вве­ дение шунтирующей емкости в центр звена смещает резонансную частоту в сторону низких частот.

Добротность резонатора может быть вычислена - с помощью его частотной характеристики. Известно [2], что при малых откло­ нениях от частоты резонанса величина безразмерной расстройки X выражается через нагруженную добротность Q следующим обра­ зом:

X = 2Q — = X (©о) +

Асо

 

 

со

d со

со = <Оо,

где «о — частота резонанса.

 

 

Так как X (соо) =0, то

 

 

л

1

dX

 

 

Ц = — со —

 

 

 

2

d со

 

 

(3.2)

(3.3)

Учитывая связь [2] между нормализованной полной проводимостью контура В и безразмерной расстройкой X: В = 2Х, выражение для нагруженной добротности может быть записано в виде

Г) 1

dB

(3.4)

Ч = — со— .

4

d со

 

Частотная характеристика одиозвенного фильтра может быть запи­ сана через функцию рабочего затухания как [1; 2]:

А = і + х а = 1 + I Г12

(3.5)

”Н

 

откуда следует

Х = - Т 12.

Знак минус выбран из условия положительных значений доброт­ ности.

Составляя матрицу передачи нследуемого четырехполюсника и вычисляя коэффициент Тіъ нетрудно затем определить по ф-ле (3.3) нагруженную добротность фильтра. Для вычисления элемен­ та матрицы Ті2 запишем выражение для матрицы передачи [Г] че­ тырехполюсника, изображенного на рис. 3.5. Для этого найдем произведение матриц, составляющих четырехполюсник:

1

у

■ у

 

, с

. с

1

1

 

1 + і

X

[Г] =

_У_

 

 

 

 

1

 

1 + і

 

1-

. С

2

 

 

1 — І

 

 

 

 

 

 

X' еІѲ

 

 

 

— i JL

 

О

У

2

2

(3.6)

0 е-ІѲ

1

+ i X2

 

 

 

 

 

 

82

где у, С — нормированные проводимости диафрагмы и элемента перестройки соответственно;

0 2^ I

Л2 ’

Произведя вычисления, получим выражения для Ті2 и X:

X =

— Tw =

|t/2sin fei -|- 2ycoskl — C[1 +

у sin kl + у (1— cos ÄZ)]| ,

 

, 2я

 

 

 

 

 

(3.7)

 

 

 

 

 

 

 

где k = —

 

 

 

 

 

 

 

Л

 

 

 

 

 

 

Найдем теперь производную

 

, необходимую для

определе-

ния добротности резонатора:

О Ф

 

 

 

 

 

 

 

^ =

 

 

дХ_

dk_

 

(3.8)

 

д со

дС d со

ду d со

dk

d со

 

 

 

 

Для

оценки величины

производной —

воспользуемся

экспери-

 

 

 

 

 

d со

 

 

ментальными данными [35], из которых следует, что при относитель­ ном диаметре стержня — =0,28 при его небольших погружениях

/і = 0,256

а

(h — глубина погружения настроечного стержня, а

ширина

волновода, 6 — высота волновода) в диапазоне волн

X

— = 0,65-^0,75 нормированная емкостная проводимость стержня

2а

почти не зависит от частоты (С = 0,585-^0,565). Поскольку при пе­ рестройке резонатора емкостным стержнем максимальная глуби­

на погружения последнего не превышает /і = 0,25й, можно в даль-

*’

dC

нейших расчетах положить — =0. Следовательно, ф-ла (3.8) при-

мет вид

 

 

 

d со

 

 

 

 

 

 

дХ _

дХ

dtj

^ дХ

dk

(3.9)

д со

ду

d со

dk

d со

 

Для принятой эквивалентной схемы резонатора, в которой не учи­ тывается емкостная составляющая индуктивной диафрагмы, прово­ димость индуктивной диафрагмы в полосе частот до 10% пропор­ циональна длине волны в волноводе [35]:

y = qx,

где с/ — коэффициент пропорциональности. Следовательно,

ду_

 

У

(3.10)

д со

со0

/ “ кр

 

 

\co„ J

 

 

 

 

83

Вычислим

 

dk

д

 

_

 

(3.11)

д со

/Икр'

 

 

\ и,“'о /Г.

 

Произведя дифференцирование и подставляя в ф-лу (3.3) выраже­ ния (3.10) 'и (3.11), получим

Q =

^ - j Iуkl (2sin kl у cos kl) + 2y (cos kl-}- у sin kl) +

-f

Cy j^y(cos kl — sin kl) + kl ^cos kl +

sin kl j j .

(3.12)

При перестройке резонатора емкостным стержнем длина резонанс­ ной полости I выбирается из условия резонанса (3.1) на верхней частоте заданного диапазона перестройки. Значение шунтирующей проводимости емкостного элемента перестройки определяется из условия Х=0[ф-ла (3.7)]:

 

С =

у (2cos kl + у sin kl)

 

 

 

(3.13)

 

-j- у sin kl

(1 — cos kl)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 3.1

 

 

 

 

 

Расчет -величины емкост­

 

 

 

 

 

 

 

ной проводимости элемента

Л

Емкостная проводимость элемента пере­

перестройки

по

ф-ле (3.13)

 

стройки при значениях у

 

 

(ом. табл.

3.1 и рис. 3.6) по­

Л о

5

7

 

15

j

20

казывает,

что она изменяет­

 

! 10

 

 

 

 

 

 

ся в зависимости от длины

1

0

0

0

0

0

 

волны -в волноводе по зако­

 

ну, близкому

к

линейному,

 

0 ,1 4 9 0 ,1 5 0 0 ,1 5 0 0 ,1 5 0

 

 

1 ,0 5

0 ,1 5 0

и почти не зависит от напру­

 

 

 

 

 

 

 

1,1

0 ,2 8 6

0 ,2 8 8

0 ,2 8 8

0 ,2 8 8

0 ,2 8 8

женной добротности резона­

1 ,2

0 ,5 3 3

0 ,5 3 6

0 ,5 3 6

0 ,5 3 6

0 ,5 3 6

тора (т. е. от 'величины реак­

 

 

 

 

 

 

 

тивной проводя мости у, об­

 

 

 

 

 

 

 

разующей

звено

фильтра).

Для сравнения рассмотрим изменение добротности резонатора

для случая,

когда

перестройка

осуществляется

іне

емкостным

стержнем, а изменением длины резонатора. В этом

случае в ф-ле

(3.12) следует положить С= 0 и добротность будет определяться по формуле

Q = -j- ^ - )

[ykl (2sin kl у cos kl) +

2у (cos kl + у sin kl)

 

 

 

 

(3.14)

С учетом ф-лы

(3.1) ф-ла (3.14) приобретает вид

Q = - H

4 -

kl VУ4 + 4У2+

ж-

(3.15)

ѴФ

 

 

 

 

84

Расчет нагруженной добротности по ф-лам (3.12) и (3.15) по­ казывает, что перестройка индуктивного резонатора емкостью не­ сколько сглаживает частотное изменение добротности по сравне­ нию с перестройкой путем изменения длины резонатора. Так, при перестройке резонатора, выполненного на волноводе сечением 48X Х24 мм, в диапазоне частот 8 % нагруженная добротность изменя­ ется от 135 на верхней частоте до 180 на нижней частоте, т. е. на

с

Q

Рис. 3.6. Зависимость емкостной прово­ димости настроечного стержня от дли­ ны волны в волноводе

Рис. 3.7. Зависимость добротности ин­ дуктивного резонатора от частоты:

I —перестройка

длиной резонатора (рас­

чет); 2 — перестройка емкостью

(расчет);

2' — перестройка

емкостью (эксперимент);

3 — перестройка

индуктивностью

(расчет);

4 — перестройка

индуктивностью

контура

(расчет)

 

 

33% вместо 55% при перестройке резонатора изменением его дли­ ны (рис. 3.7). Резкое изменение нагруженной добротности индук­ тивного резонатора обусловлено тем, что индуктивные проводимо­ сти, образующие резонатор, не остаются постоянными, а изменя­ ются приблизительно пропорционально длине волны в волноводе.

Индуктивный резонатор, перестраиваемый индуктивностью

Эскиз такого резонатора и его эквивалентная схема при­ ведены на ркс. 3.8. Расстояние между реактивностями выбирает­ ся из условия резонанса на низшей частоте диапазона перестройки по ф-ле (3.1). Введение шунтирующей проводимости смещает ре­ зонансную частоту в сторону высоких частот. Нагруженная доб­

85

ротность вычисляется аналогично случаю перестройки резонатора ■емкостью и выражается формулой

Q = ^ Iykl (2sin kl у sin kl)-\-2y (cos klу sin kl)

C'y ^y (cos kl — sin kl) + kl ^cos kl -f У sin kl

+

+C' ^1+у sin kl + ~ (1— cos kl)j .

(3.16)

Последний член в ф-ле (3.16) обусловлен тем, что при вычислении учитывалось изменение проводимости настроечного элемента при

Рис. 3.8. Индуктивный резонатор с перестройкой индуктивностью: а) общий вид; б) эквивалентная схема

дХ

изменении частоты [ — вычислялось по ф-ле (3.8)]. Величина

д со

индуктивной проводимости элемента перестройки определяется из условия резонанса (Х=0) по той же ф-ле (3.13), что и для ем­ костной перестройки. Расчет нагруженной добротности по ф-ле (3.16) показывает, что добротность в этом случае, как и при пере­ стройке емкостью, изменяется меньше, чем при перестройке изме­ нением длины резонатора (рис. 3.7).

Индуктивный резонатор, перестраиваемый с помощью индуктивности дополнительного контура

Основная идея этого способа перестройки резонатора за­ ключается в том, что резонатор перестраивается на более высокие частоты с помощью индуктивности дополнительного контура, вво­ димого в резонатор. При этом образуется система связанных кон­ туров, общая добротность которой получается выше, чем у исход­ ного контура.

86

Эскиз резонатора и его эквивалентная схема приведены на рис. 3.9. Расстояние между реактивностями выбирается из условия ре­ зонанса на высшей частоте диапазона перестройки. Введением по­ стоянной емкости Сн резонансная частота смещается на нижний край диапазона перестройки. Перестройка звена на более высокие

Рис. 3.9. Индуктивный резонатор с перестройкой индуктивностью допол­ нительного контура:

а) общий вид; б) эквивалентная схема

частоты ведется с помощью переменной индуктивности. Перемен­ ная индуктивность С' определяется из условия, что суммарная ре­ активная проводимость подстроечного контура Сн—С' должна рав­ няться значению емкостной проводимости С, полученному из ф-лы (3.13): С— СнС', откуда

С' = Сн — С.

(3.17)

Выражение для безразмерной расстройки X можно представить в следующем виде:

Х = Х0 + (Сп^ С ') Х и

(3.18)

где Х0— значение безразмерной расстройки без учета реактивной про­

водимости настроечного элемента; Хі — коэффициент при члене С из ф-лы (3.7).

Для определения добротности Q необходимо определить — ;

Два

— =

-кс„—

 

— — Хі

d со

С) —

(3.19)

 

d со

d со

d ш

d (о

 

 

первых слагаемых в ф-ле (3.19) совпадают с соответствующи-

 

 

dX

 

 

ми слагаемыми для —

в случае перестройки емкостью. С учетом

d со

87

dC'

третьего слагаемою — Хі формула для расчета добротности при- d ш

мет вид

2у (cos kl-\- у sin kl) ykl (2sin kl у cos kl)

Су

у (cos kl — sin kl)-\- kl (cos kl +

sin kl j—

C'

l + y s m k l -^-(1 — cos &)]

(3.20)

Расчетная зависимость дббротыости от частоты для резонатора сечением 48X24 мм, перестраиваемого в диапазоне частот 8 % с помощью индуктивности дополнительного контура, представлена кривой 4 на рис. 3.7. Видно, что при изменении частоты на 8 % добротность изменяется от 180 до 155 (на 16%), т. е. более плав­ но, чем в случае перестройки резонатора емкостью или индуктив­ ностью.

Недостатком перестройки резонатора с помощью индуктивно­ сти или индуктивности дополнительного контура является труд­ ность практической реализации переменной индуктивности.

Изменение нагруженной добротности индуктивного резонатора с помощью корректирующей реактивности

Как следует из ф-лы (3.12), основное влияние на измене­ ние добротности индуктивного резонатора оказывает частотная за­ висимость реактивностей, образующих резонатор. Изменить частот­ ный ход этих реактивностей в нужном направлении (чтобы они увеличивались с ростом частоты или были постоянными) можно путем введения дополнительных реактивностей, расположенных вне или внутри резонатора (рис. 3.10). Величина корректирующей

Рис. 3.10. Схема пере- :транваемого резонатора с корректирующими ре­ активностями:

а) корректирующие ре­ активности вне резона­ тора; б) корректирую­ щие реактивности внутри резонатора

реактивности и расстояние Ік между нею и основной реактивностью выбираются тдкиім образом, чтобы получить ,в заданном диапазоне перестройки желаемый закон изменения суммарной реактивности. Для индуктивного резонатора корректирующие реактивности дол­ жны быть емкостного характера и должны располагаться от основ­ ной .реантіивноістін на іраісіьтояінии, меньшем четверти длины волны.

Этот шособ івдріре'ктіИ'рюівки хода напруженной добротности щ,рю-

88

верен на резонаторе сечением 48X24 мм. В этом резонаторе основ­ ные реактивности выполнены в виде диафрагм из трех индуктив­ ных стержней. Корректирующие емкости выполнены в виде емко­ стных стержней различной длины и располагаются вне резонатора на расстоянии /к = 0,2/. Звено перестраивается обычным емкост­ ным стержнем. Результаты измерений представлены на рис. 3.11.

Рмс. 3.11. Зависимость добротности индуктивного резонатора с корректирующими реактивностями от частоты

Как видно, при отсутствии корректирующих реактивностей (ук= = 0) нагруженная добротность изменяется в 10%-ном диапазоне перестройки на 40%-ный. При введении и увеличении корректирую­ щей реактивности ход добротности постепенно выравнивается н за­ тем добротность даже растет с ростом частоты. Таким образом, подбирая величину корректирующей реактивности, можно придать желаемый характер закону изменения нагруженной добротности индуктивного звена с частотой. Для многозвенных фильтров с чет­ вертьволновыми связями корректирующие реактивности следует помещать внутрь звена, так как расположение их вне звена затруд­ няет осуществление четвертьволновой связи.

3.3. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЙ ЕМКОСТНЫЙ РЕЗОНАТОР

Емкостный резонатор представляет собой резонансную по­ лость в прямоугольном волноводе, ограниченную двумя одинако­ выми емкостными диафрагмами конечной толщины и настраивае­ мую при помощи стержня, расположенного в центре волновода. Эскиз емкостного резонатора изображен на рис. 3.12. Здесь через t обозначена толщина емкостной диафрагмы, Ь' — ширина зазора емкостной диафрагмы, I — расстояние между диафрагмами.

Емкостный резонатор отличается от индуктивного тем, что его інапріуж'анінаія добротность ірастет с іроіет-оім частоты, что является

89

благоприятным фактором для конструирования перестраиваемых фильтров. Необходимо также отметить, что эквивалентная схема емкостной диафрагмы конечной толщины представляет собой П-об- •разный четырехполюсник из двух сосредоточенных параллельных •емкостей и последовательной индуктивности. Поэтому нагружен-

ш

- t

 

 

 

!■ - .....— “

-b'

I

ь

)

L

 

 

--------- а ------- а-

U —— /?—

-

Рис. 3.12. Эскиз емкостного резонатора

ная добротность резонатора зависит от толщины диафрагмы и из­ меняется три конечИ'Ой ее толщине в диааіааоіне частот меньше, чем в случае бесконечно тонкой емкостной диафрагмы. Таким образом, подбирая толщину диафрагмы, можно регулировать закон измене­ ния добротности емкостных звеньев, придавая ему желаемый ха­ рактер, от пропорционального частоте до независимого от частоты.

Для вывода формулы нагруженной добротности перейдем к эк­ вивалентной схеме емкостного резонатора (рис. 3.13). На этой

Рис. 3.13. Эквивалентная схема емкостного резонатора

-схеме волновод представлен в виде линии передачи, а емкостная диафрагма и подстроечный стержень — в виде сосредоточенных ре­ активностей. На эквивалентной схеме приняты следующие обозна­ чения: С — проводимость емкостного стержня настройки; у — ем­ костная проводимость диафрагмы; г/j — индуктивная проводи­ мость диафрагмы.

:90

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ