книги из ГПНТБ / Смирнов В.И. Теория конструкций контактов в электронной аппаратуре
.pdfная часть границы между двумя кристаллитами не про водит ток от одного к другому, т. е. вдоль пленки. Для оценки правомерности этого допущения найдем величи ну тока, протекающего по верхнему слою пленки, перио дически перерезанному диэлектрическими барьерами.
Рассмотрим систему колинеарных зерен размером D каждое, разделенных диэлектрическими слоями толщи ной t (рис. 6.12,а), когда вдоль этой цепочки приложено равномерное электрическое поле напряженностью F. Уровень Ферми каждого последующего в направлении поля кристаллита смещен на величину eU ниже преды дущего, где е — заряд электрона; U=F(D + t). При ма лых D для преодоления потенциала зеркального изобра жения при переходе электрона от одного зерна к друго му необходимо совершить работу [20], равную
где ео, е—абсолютная и относительная диэлектрические проницаемости соответственно.
Воспользуемся полученными в [20] выражениями, определяющими плотность тока через единицу площади поперечного сечения такой цепочки при малых U:
а) для 8 £ > / г Г > е£/ |
|
|
|
|
|
I (U) - |
1,24 • 10»Q sin h |
^ |
exp |
j X |
|
|
X e x p ( - |
1,025 |
ДГ|/т*Ф); |
(6.13) |
|
б) для |
bE<kT |
|
|
|
|
|
X exp ( - |
1,025Д*1/т*Ф), |
(6.14) |
||
где Q=0/m*(At)2;x=nBkT;
В = Л(2Ф) - '/ 2 ; Л = 4 и М | / 2 т * ( / г ) - 1 ;
д,/г=/;_12(еФо)-1 .
Здесь Ф—.средняя высота потенциального барьера в ди электрическом зазоре; Фо — невозмущенное значение по следней, эВ; 8 — относительная диэлектрическая прони цаемость; т*—эффективная масса электрона в едини цах массы покоя; k — постоянная Больцмана; h —
160
постоянная. |
Планка. |
Величины Л и Б рассчитываются |
||||
в единицах |
системы СИ; U подставляется в вольтах; t и |
|||||
№ — в ангстремах; Т — в |
градусах Кельвина. Получен |
|||||
ный при этом |
результат |
j(V) |
выражен в |
практических |
||
единицах (А-,см- 2 ). |
|
|
|
|
||
Рассмотрим |
случай |
пленки из хрома |
(p=20-10_ s |
|||
Ом-м), размер |
зерна |
которой |
о |
|
||
100 А, а толщина границ |
||||||
о
между зернами 20 А. Предположим, в крайнем случае, что
плотность тока в сплошной части пленки |
/0 =300 |
А - с м - 2 , |
|||||||
тогда |
с/=/ 0 р( £ > - И)=0,72 - 10 - 8 |
В; £ 7 = 0 , 0 2 5 |
эВ(Г = |
||||||
= 300 |
К); б £ = 0 , 0 2 8 |
эВ, следовательно, |
6E>kT>eU |
и |
|||||
расчет |
следует |
вести |
по выражению (6.13). Учитывая, |
||||||
что для С г 2 0 3 |
е = 9 , 2 |
[106], а для хрома |
Ф0 |
= 4,38 |
эВ, и |
||||
принимая m*= 1, получаем |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
1 = 0,659-Ю-7 |
А-см-2. |
|
|
|
|
|
Аналогично |
для |
пленки с размером |
зерен |
1000 А |
|||||
б£ '=1,6 - 10 _ 3 |
эВ<й7 , = 0,025 эВ, и расчет плотности |
тока, |
|||||||
проведенный |
в этом |
случае по выражению |
(6.14), |
дает |
|||||
следующее значение: /=0,452- Ю - 5 А - с м - 2 . |
|
|
|
||||||
Следовательно, плотность тока в верхнем слое плен |
|||||||||
ки, разделенном окисленными |
границами, |
оказывается |
|||||||
на 7 .. . 9 порядков меньше, чем в сплошной части |
плен |
||||||||
ки. Аналогичный расчет, проведенный для толщины гра-
о
ниц 10 А, приводит также к величинам, на 3 .. . 5 поряд ков меньшим, чем /о.
Таким образом, постулировавшееся ранее отсутствие тока в этой части пленки следует рассматривать как приемлемое допущение.
6.6. Влияние распределения зерен по размерам
Проведенный в настоящей главе анализ явлений, ле жащих в основе структурной зависимости переходного сопротивления пленочного контакта, опирался на моде ли пленок, содержащих одинаковые кристаллиты. Изве стно, однако, что нанесенные любым методом пленки, всегда обладают тем или иным распределением зерен по размерам, причем характер и размах распределения зависят от технологии и параметров технологического процесса осаждения пленки [93], что указывает на прин ципиальную возможность активного воздействия с целью получения желаемых распределений.
11—411 |
161 |
В этом параграфе будет рассмотрено влияние неко торых типичных распределений на величину переходного сопротивления контакта на примере его составляющей, обусловленной туннельной проводимостью окисного слоя и определяемой выражением (6.3). Другие составляю щие могут быть исследованы аналогичным образом.
Как |
известно, среднее значение А любой |
функции |
|
А (х) от |
переменной |
х, характеризующейся |
некоторой |
Плотностью распределения f[x), определяется |
выраже |
||
нием |
|
|
|
|
А = |
^A(x)f(xydx. |
(6.15) |
|
|
—со |
|
Подставляя сюда выражение (6.3), а также выражение для какого-либо распределения зерен по размерам и инте грируя, получаем среднее значение нормализованной туннельной проводимости, соответствующее этому_распределению и среднему значению размеров зерен D.
Рассмотрим зависимости У Т ( Л ) , рассчитанные для следующих распределений, которые либо встречаются на практике, либо могут служить аппроксимациями истин ных распределений;
а) |
равномерное распределение |
|
|
||||||
|
/(D) = 2/A |
при Л - Д < Я < / ; + |
Д; |
||||||
|
f(D)=0 |
|
при D-Д>£>Л |
+ |
Д; |
||||
б) треугольное |
распределение |
|
|
||||||
|
f(D)=l/A + |
(Z) —В)/Д" при |
D-b<D<B; |
||||||
|
f(D)=\!b-(D-D)jtf |
|
|
|
|
при |
B<D<D-\-A\ |
||
|
f(D) = |
0 при 7 J - Д > £ > > Л + |
Д; |
||||||
в) |
параболическое |
распределение |
|
|
|||||
f(D) = ^ [ l |
^ |
- |
^ |
l |
] |
при |
|
D-A<D<D-+Al |
|
|
f ( D ) = 0 |
|
при Л - Д > 7 з + Д ; |
|
|||||
г) |
распределение |
|
Гаусса |
|
|
|
|
||
w = = |
T i h - e x |
p |
[ ~ |
9 |
: |
У |
3 п р и |
- < * > < * > < * * |
|
,162 |
• • |
• • |
д) и е)—распределения Чакраверти, выражения ко
торых приводились в § 6.1. |
|
Во всех случаях, кроме д) |
и е), расчет выполнен |
для двух значений размаха распределения Д: |
|
Д = 5 и Д = |
5/2, |
причем размах гауссова распределения принимался рав
ным утроенной стандартной величине. Для |
распределе |
||
ний Чакраверти размах задается |
самим распределением. |
||
_ На |
рис. 6.13 представлены |
кривые |
зависимости |
Y t ( D ) |
для равномерного, треугольного и |
параболичес |
|
кого распределений при двух значениях размаха каждо
го. Для сравнения здесь же показана кривая YT(D), |
ко |
||||
торая была |
получена в § 6.3 |
для |
гипотетической пленки |
||
с зернами |
разных |
размеров. |
Из |
рисунка следует, |
что |
при малом |
размахе |
(A—D/2) |
кривые разных распреде |
||
лений расположены весьма близко друг к другу, и ха рактер распределения не играет существенной роли. При большем размахе (A*=D) выделяется случай равномер ного распределения, которое приводит к уменьшению проводимости на величину, на 10 ... 12% большую по
сравнению с другими при малых размерах зерен._ |
_ |
На рис. 6.14 приведены кривые зависимостей |
Yi(D) |
для гауссова распределения и распределений Чакравер ти. Распределение зерен по размерам в неотожженных пленках .приводит к заметному уменьшению переходной проводимости пленочного контакта.
Список литературы
1. Х о л ь м Р. Электрические |
контакты. |
М., ИЛ, 1961. |
2. С о т е к о в Б. С. Основы |
расчета и |
конструирования элементов |
автоматических и телемеханических устройств. М., Госэиергоиздат, 1953.
3.Л е в и и А. П. Контакты электрических соединителей радиоэлек тронной аппаратуры. М., «Сов. радио», 1972.
4. Б е л о у с о в А. |
К., С а в ч е н к о |
В. С. Электрические разъем |
ные контакты в |
радиоэлектронной |
аппаратуре. М., «Энергия», |
1967. |
|
|
|
|
|
|
|
5. Х а р и н е к и й |
А. Л. Основы |
конструирования элементов ра |
|||||
диоаппаратуры. Л., «Энергия», |
1971. |
|
|
|
|||
6. W i l l i a m s o n |
J. В. P. Recent |
Studies on |
the Physics of |
Elec |
|||
trical |
Connector Surfaces. — «1ЕЕЕ |
Trans. |
РМР», |
1966, |
v. 2, |
||
№ 3. |
|
|
|
|
|
|
|
7. К а м и н с к и й |
M. Атомные и ионные столкновения |
на поверхно |
|||||
сти металла. М., «Мир», 1967. |
|
|
|
|
|
||
8. Окисление металлов. Под ред. Ж- М. Бенара. М., ИЛ, 1968. |
|||||||
9. X а у ф ф е К. Реакции в твердых |
телах н |
на поверхности. М., |
|||||
ИЛ, |
1963. |
|
|
|
|
|
|
10.Е р м о л а е в Ю. П. Конструирование и расчет контактов в ин тегральных и пленочных схемах. Казань, Изд. КАИ, 1967.
11.M o r t o n A n t l e r . Current Topics in Surface Chemistry of Con tacts.—«1ЕЕЕ Trans. РМР», 1966, v. 2, № 3, p. 59.
12. |
М е л ь н и ч е н к о . А. |
Т. Контактирование выводов |
в |
микросхе |
||||||
|
мах. Л., Изд.ЛЭИС, |
1967. |
|
|
|
|
|
|||
13. М е р л В. Электрический |
контакт. |
М., Госэнергоиздат, |
1962. |
|||||||
14. |
А й н б и н д е р |
С. В. О |
площади |
контакта |
между |
трущимися |
||||
|
поверхностями. — «Известия АН СССР, ОТН (механика |
и маши |
||||||||
|
ностроение)», |
1962, № 6. |
|
|
|
|
|
|
||
15. |
К р а г е л ь с к и й |
И. В. Трение и износ. М., |
«Машиностроение», |
|||||||
|
1968. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
16. Д е м к и н Н. Б. |
Контактирование |
шероховатых |
поверхностей. |
|||||||
|
М., «Наука», |
1970. |
|
|
|
|
|
|
|
|
17.J o n e s . Electrical Contact Materials — Properties and Selection.— «Electron. Technob, 1962, v. 69, № 6, p. 72.
18. |
Ф у к с |
M. Я. О |
связи |
между электропроводностью и |
плотно |
||
|
стью |
дислокаций |
в твердом теле. — «Физика |
твердого |
тела», |
||
|
1969, т. II, вып. 8, с. 2399. |
|
|
||||
19. |
Е л и н с о н . |
Основные |
механизмы переноса |
носителей |
заряда |
||
|
в пленочных |
системах. — «В кн.: Вопросы пленочной электрони |
|||||
ки. М., «Сов. радио», 1966.
166
26.H i 11 .R. M. Electrical Conduction in Discontinuous Metal Films.— «Contempr. Phys.», 1969, v. 10, № 3, p. 221.
21.С и д о л л Г. Свойства пассивных элементов схем. — В кн.: Пле
|
ночная |
микроэлектроника. Под ред. М. И. Елинсоиа. М., «Мир», |
|||||||||||||||||
|
1968. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
22. S i m m o n s |
J. G. Potential |
Barriers |
and |
|
Emission-Limited |
Cur |
|||||||||||||
|
rent Flow between Closely Spaced Metal |
|
Electrodes. — «J. Appl. |
||||||||||||||||
|
Phys.», |
1964, v. 35, № 8, p. 2472. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
23. D u k e |
С. B. Electronic Structure of Clean Metallic |
Interfaces.— |
|||||||||||||||||
|
«J. Vac. Sci. Technob, |
1969, v. 6, № 1, p. 152. |
|
|
|
|
|
||||||||||||
24. Э г p e н |
П. Электронные |
|
процессы |
в твердых |
телах. М., |
ИЛ, |
|||||||||||||
|
1962. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
25. |
О м е л ь ч е н к р В. Т. Определение |
температуры |
перегрева |
кон |
|||||||||||||||
|
тактов |
из |
разнородных |
|
материалов. — «Электричество», |
1966, |
|||||||||||||
|
№ 6, с. 67. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
26. |
L 1 е w 1 у n |
J o n e s . |
The |
Physics of |
Electrical |
Contact |
Phenome |
||||||||||||
|
na.— «Br. J . Appl. Phys.», |
1966, |
v. 12, № |
|
7, p. |
318. |
|
|
|
||||||||||
27. А г t h u r |
J. С a p p. |
Electrical |
Contact |
Considerations. — «Elec- |
|||||||||||||||
|
tron. World.», |
1967, № 4, p. 49. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
28. A r t h u r |
|
|
J . |
К о da. |
|
Mercury—Wetted |
Relays. — «Electron. |
||||||||||||
|
World.», |
1967, № 4, p. 56. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
29. Б о н о м |
|
Ф. Франц. пат. № 1 • 199 • 488. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
30. |
L a s e r |
L., K l e i n |
D. Neues Anlauf — Schutzmittler |
fur Silber.— |
|||||||||||||||
|
«Internat. |
elektron. |
Rundschau», |
1968, Bd. 22, № |
5, |
S. |
118. |
||||||||||||
31. K r u m b e i n |
S i m e o n |
J., A r t h u r |
M o r t o n . |
Corrosion |
|||||||||||||||
|
Inhibition and Wear Protection of Gold |
Plated |
Connecton |
Con |
|||||||||||||||
|
tacts—«1ЕЕЕ Trans. РМР», |
1968, v. 4, № 1, p. 3. |
|
|
|
|
|||||||||||||
32. R о v n у a k |
R. M. Arc, |
Surge |
and |
Noise |
Suppression. — «Elec- |
||||||||||||||
|
tron. World», 1967, № 4, p. 46. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
33. Ф p о л о в |
|
В. |
В. |
Теоретические |
основы |
|
сварки. |
М., |
«Высшая |
||||||||||
• школа», |
1970. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
34. М а н к о |
|
Г. Пайка |
и припои. Металлы, конструкции, |
технология |
|||||||||||||||
иметоды расчета. М., «Машиностроение», 1968.
35.А л о в А. А. Основы теории процессов сварки и пайки. М., «Машиностроение», 1964.
36. |
Л о ц м а н о в |
С. Н., П е т р у н и н И. Е. Пайка |
металлов. М., |
|
|
«Машиностроение», |
1966. |
|
|
37. |
К у л и к о в |
Ф. В., |
Л е х ц и е р И. Р. Твердая |
пайка. М.—Л., |
|
Госэнергоиздат, 1959. |
|
||
38.М и л ь н е р Д. Р. Обзор научных принципов смачивания и рас текания. Пер. № 69-816, М., Изд. ГКСМ по электронной тех нике, 1963.
39. |
М а р т ы н о в Г. К. Надежность |
электрических |
соединений, вы |
||
|
полненных пайкой легкоплавкими припоями. М., Изд-во стандар |
||||
|
тов, 1968. |
|
|
|
|
40. |
М i с h а е 1 U t h е P. Variables |
Affecting |
Weld |
Quality in |
Ul |
|
trasonic Aluminium Wire Bonding. — «Solid |
State |
Technol.», |
1969, |
|
v.12, № 8, p. 72.
41.Е л и н с о н M. И. Современное состояние и перспективы пленоч ной электроники и некоторых разделов оптоэлектроники. — «Ра
|
диотехника и электроника», 1968, т. |
XIII, |
№ 1, |
с. 3. |
|
|
42. |
S о р h е г R., Т о 11 а P. SLT Device |
Metallurgy |
and |
Its |
Mono |
|
|
lithic Extention. — «IBM J . Res. Develop., |
1969, v. |
13, |
p. |
226. |
|
43. |
M с К с о w n P. J . A., P e а с о с k R. D. Flip-Chip |
Semiconductor |
||||
|
Devices. — «Electr. Commun.», 1966, v. 41, |
N° 4, p. 431. |
|
|||
167
44. |
M i l i e f |
L. F. Controlled |
Collapse Reflow |
Chip |
Joining. — «1ВМ |
||||||||
|
J. Res. Develop.*, 1969, v. 13, № 3, p. 239. |
|
|
|
|
|
|||||||
45. |
L e p s e l t e r |
M. |
P. |
Beam-Lead |
Sealed-Junction |
Technology.— |
|||||||
|
«Bell Lab. Rec.», |
1966, v. 44, № 9, |
p. |
298. |
|
|
|
|
|
||||
46. |
F i e 1 d |
R. K. The |
New |
World |
of |
«Leaded» |
|
Chips. — «Electron. |
|||||
|
Eng.», 1968, Aug., p. 100. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
47. |
T h o r n t o n |
C. G. |
New |
Trends |
in |
Microelectronic |
Fabrication |
||||||
|
Technology— 1965—1966. — «SCPE |
Solid |
State |
|
TechnoU, 1966, |
||||||||
|
March, p. |
42. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
48. |
М и л л е р |
Л. Ф. Обзор |
методов |
присоединения кристаллов. — |
|||||||||
|
«Зарубежная |
электронная |
техника», |
1970, |
№ |
3, |
с. |
72. |
|||||
49. |
О h a n i a n |
М. |
Bonding |
Techniques for |
Microelectronics. — |
||||||||
|
«Solid State Technol.», 1967, Aug. p. |
45. |
|
|
|
|
|
||||||
50. |
S a n d b a n k |
C. P., |
M c R c o w n |
P. J . A. New |
Interconnection |
||||||||
|
Techniques for Multichip and Hybrid |
Integrated |
Circuits. — «Ргос. |
||||||||||
|
I E E E * , 1964, |
v. 62, № 12. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
51.К а р р е н Л. Перспективы усовершенствования методов сборки ИС. — «Электроника», 1968, № 24, с. 3.
52. |
H o w a r d |
К. |
D i c k e n , |
D a v i d |
В. К ret. |
Assembling |
Inte |
||
|
grated Circuits. — «Electron. Eng.», |
1966, |
v. |
25, № 10, p. |
66. |
||||
53. |
М а т т а |
Ф. Ю. |
Сравнительный |
обзор |
и классификация |
кон |
|||
|
струкций контактов в интегральных |
схемах. — «Известия ЛЭТИ», |
|||||||
|
1971, вып. 113, |
с. |
18. |
|
|
|
|
|
|
54. |
W i l l i a m |
В. |
Н u g 1 е |
et al. Flip-Chip |
Assembly. — «SoIid |
State |
|||
|
Technol.», |
1969, |
Aug., p. |
62. |
|
|
|
|
|
55.B a g r o w s k i C. et al. Interconnection of Monolithic Integrated Circuits through the Use of Advanced Materials and Techniques.—
|
«1ЕЕЕ Trans. РМР», 1966, v. 2, № 4, p. 90. |
|
|
|
|
|
|||||||
56. |
What Reliability Figuers Can I Expect from ICs and |
How |
Are |
||||||||||
|
they Derived? — «Electron. Design*, |
1968, |
v. |
16, № 2, |
p. |
108. |
|
||||||
57. |
T h o m a s |
J. |
A. |
Material |
Problems |
in |
Integrated |
Circuits.— |
|||||
|
«1ЕЕЕ Inter. Conven. Rec.», |
1967, |
v. |
15, № 7, p. 95. |
|
|
|
||||||
58. |
С и n n i n g h a m |
J . A., H a r p e r |
J . C. Semiconductor |
Reliability: |
|||||||||
|
Focus on |
the |
Contacts. — aElectron. |
Eng.», |
1967, Jan., |
p. |
74. |
|
|||||
59. |
3 e л и к с о н |
Б., |
Л о н г о |
Т. А. |
|
Изучение |
«пурпурной |
чумы» |
|||||
|
и ее роли в интегральных схемах. — «ТИИЭР», 1965, т. 52, № |
12, |
|||||||||||
с.1778.
60.3 е л и к с о н Б. Механизмы отказов в интегральных схемах на
|
скоплениях вакансий. — «ТИИЭР», |
1969, т. 57, № 9, с. |
143. |
|
||||||||||||||||
61. |
В l e c h |
I. A., S e l l о |
Н. Some New |
Aspects of |
Gold—Aluminium |
|||||||||||||||
|
Bonds. —«J. Electrochem. Soc.», |
1966, |
v. |
113, |
p. |
|
1052. |
|
|
|
|
|||||||||
62. |
S e l l k s o n |
B. Diffusion |
Anomalies |
in |
Thin Metallic |
Films. |
|
|||||||||||||
|
«Appl. Phys. |
Letters*, |
1969, v. 14, |
№ |
9, |
p. |
283. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
63. |
P h i I о J s k у |
E l l i o t t . |
Intermetallic |
Formation |
in |
Gold — Alu |
||||||||||||||
|
minium |
Systems. — «Solid |
State |
Electron.*, |
1970, |
v. |
13, |
№ |
10, |
|||||||||||
|
p. |
1391. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
64. |
Г р а н б е р г |
И. |
А. |
Исследование |
интерметаллических |
соедине |
||||||||||||||
|
ний, полученных после нагрева сварного контакта образцов типа |
|||||||||||||||||||
|
МОП-транзисторов. — «Электронная |
|
техника. |
Сер. |
|
6. |
|
Микро |
||||||||||||
|
электроника», 1969, вып. 6 (21), |
с. 126. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
65. |
Н о |
P. |
S., |
H u n t i n g t o n |
Н. |
В. |
Electromigration |
and Void |
||||||||||||
|
Observations |
in |
Silver. — «J. |
Phys. |
Chem. Solids*, |
1966, |
v. |
27, |
||||||||||||
|
p. |
1319. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
66. |
G h a t e |
P. B. Some |
Observations on |
Electromigration |
in |
Alumi |
||||||||||||||
|
num Films. — «Appl. |
Phys. Letters*, |
1967, |
v. |
11, |
№ |
1, |
p. |
14, |
|
||||||||||
168
67. |
A m е s' |
I., |
d'H e u r l e |
F. M., |
H o r s t m a n |
|
R. |
E. Reduction |
of |
||||||||||||||||
|
Electromigration |
in |
Aluminum |
Films by |
Copper |
Doping. — «IBM |
|||||||||||||||||||
|
J . Res. Develop.*, 1970, v. 14, № 4, p. 461. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
68. |
H о w a r d |
J. |
K-, |
R o s s |
R. |
|
F. |
Electromigration |
in |
Aluminum |
|||||||||||||||
|
Film |
on |
|
Silicon |
Substrate. — «AppI. Phys. |
Letters*, |
1967, |
v. |
11, |
||||||||||||||||
69. |
№ |
3, p . |
85. |
Т. E . , |
В 1 a i r |
J. C. Electromigration |
in |
Thin |
Gold |
||||||||||||||||
H a r f m a n |
|||||||||||||||||||||||||
|
Films. — «1ЕЕЕ |
Trans. |
Electron. |
Devices*, |
1969, |
|
v. |
16, |
№ |
4, |
|||||||||||||||
|
p. |
407. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
70. |
В 1 а с к |
|
J. R. Electromigration — A Brief |
Survey |
and |
Some |
Re |
||||||||||||||||||
|
cent |
Results. — «1ЕЕЕ |
Trans. |
|
Electron. |
Devices*, |
|
1969, |
v. |
16, |
|||||||||||||||
|
№ |
4, |
p. |
338. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
71. |
B l a i r |
J . C , |
G h a t e |
P. В., |
H a y w o o d |
|
С. T. Electromigra |
||||||||||||||||||
|
tion— Induced Failures in Aluminum |
Film |
Conductors. — «Appl. |
||||||||||||||||||||||
|
Phys. Letters*, 1970, v. |
17, |
№ |
7, p. |
281. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
72. |
К р е с и н |
|
О. M., Х а р ' Н н с к и й |
А. Л. Математический |
анализ |
||||||||||||||||||||
|
тонкоплеиочного |
|
контакта. — «Вопросы |
|
радиоэлектроники. |
||||||||||||||||||||
|
Сер. III. Детали и компоненты аппаратуры», |
1964, |
вып. 5, |
с. |
15. |
||||||||||||||||||||
73. |
К р е е и и |
|
О. |
М., |
Р о г и н е к и й |
И. |
М., |
Х а р и н е к и й |
А. |
Л. |
|||||||||||||||
|
Метод расчета мощности, выделяющейся в тоикопленочном кон |
||||||||||||||||||||||||
|
такте.— «Вопросы |
радиоэлектроники. |
Сер. |
III. Детали |
и |
ком |
|||||||||||||||||||
|
поненты |
|
аппаратуры», |
1965, вып. 6, с. |
75. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
74. |
К р е е и н |
|
О. |
М. |
Экспериментальное |
исследование |
|
пленочного |
|||||||||||||||||
|
контакта |
(на |
моделях). — «Электронная |
техника. Сер. 6. |
Микро |
||||||||||||||||||||
|
электроника», |
1967, |
вып. 5, с. |
96. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
75. |
Ш е в ч е н к о |
О. И. Переходное сопротивление контакта |
«плен |
||||||||||||||||||||||
|
ка— пленка».—«Известия |
ЛЭТИ», |
1967, |
вып. 66, |
ч. |
1, с. |
91. |
|
|||||||||||||||||
76. |
Э л ь с т и |
иг |
О. Г. Туннельное сопротивление контактов |
к |
пле |
||||||||||||||||||||
|
ночным |
|
изделиям. — В |
кн.: |
Микроэлектроника. |
|
Под |
ред. |
|||||||||||||||||
|
Ю. П. Ермолаева. Вып. II. Казань, Изд. КАИ, |
1966. |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
77. |
К о л е с и и к о в |
Д. П. Электрические |
характеристики |
контактов |
|||||||||||||||||||||
|
в |
пленочных |
микросхемах—«Электронная |
техника. |
Сер. |
6. |
|||||||||||||||||||
|
Микроэлектроника», 1968, |
вып. 4 |
(12), |
с. |
59. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
78.Е р м о л а е в Ю. П. Переходное сопротивление фигурных кон тактов между проводящими и резистивнымп пленками. — «Изве стия вузов СССР. Радиотехника», 1966, № 4, с. 553.
79.Е р м о л а е в Ю. П. Переходное сопротивление контакта между резистивной пленкой переменной толщины и проводящей об
|
ластью.— «Труды |
казанского |
авиационного |
института», |
1968, |
|||||||||||||
|
вып. 94, |
с. ПО. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
80. |
Ч о п р а |
К. |
Л. |
Электрические |
явления |
в тонких пленках. |
М., |
|||||||||||
|
«Мир», |
1972. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
81. |
Г е р ц р и к е и |
С. Д., Д е х т я р |
И. |
Я. Диффузия |
в металлах |
|||||||||||||
|
•и сплавах в твердой фазе. М., ГИФМЛ, |
1960. |
|
|
|
|
|
|||||||||||
82. |
С м и р н о в |
А. А. Теория |
электросопротивления сплавов. |
Киев, |
||||||||||||||
|
Изд-во АН УССР, |
1960. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
83. |
G а 11 a |
R. |
Т. |
et al. Evalnation of the Interfacial Resistance |
of |
|||||||||||||
|
Thin Film Interconnexions. — «Microelectron. |
Reliab.», |
1968, |
v. |
7, |
|||||||||||||
|
p. 185. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
84. |
В e n j a m i n |
P., |
W e a v e r |
C. Measurement |
of |
Adhesion |
of |
Thin |
||||||||||
|
Films. — «Ргос. |
Roy. |
Soc, |
A», |
1960, |
v. |
254, |
№ |
1277, |
p. |
163. |
|
||||||
85. |
X и p с |
Д., |
П а у н д |
Г. Испарение и |
конденсация. М., |
«Метал |
||||||||||||
|
лургия», 1966. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
86. |
П а л а т н и к |
Л. С, |
П а й и р о в |
И. Н. Эпитаксиальные |
пленки. |
|||||||||||||
|
М., «Наука», |
1971. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Щ