Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Зубченко А.В. Новое в кинетике кристаллизации сахара

.pdf
Скачиваний:
12
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
6.11 Mб
Скачать

<100 мин 7 ( © ) « Q . Затем новые центры образуются очень быстро и три tza\t.4 скорость образования достига­ ет максимального значения. В это время начинает па­ дать концентрация раствора, изменяются условия для возникновения новых ядер и поэтому / (0) быстро умень­ шается до нуля.

С повышением степени пересыщения положение мак­ симума кривой / (0) изменяется. Максимум становится более узким и высоким, его положение на оси абсцисс соответствует времени / М п к о > ^ л - Например, при коэффи­ циенте пересыщения 1,818 и температуре 40°С /л ='14 мин. а £,чакг. =i29 мин. Фазовый переход начинается почти сра­ зу после начала перемешивания, хотя изменение концен­ трации некоторое время зарегистрировать не -удается. После скачкообразного изменения концентрации ско­ рость образования новых центров кристаллизации еще продолжает увеличиваться и достигает максимума, когда концентрация понижается с 80,9 до 78,55%. Таким обра-

• зом, для растворов сахарозы при температуре 40°С и ко­ эффициенте пересыщения а<1, 3 максимум скорости об­ разования центров кристаллизации соответствует латен­

тному периоду

на

кинетической кривой р (t) или С (it).

Для растворов

с

коэффициентом пересыщения а > 1 , 3

^ . ч а к с ^ " ^ л -

При уменьшении пересыщения раствора снижается общее количество кристаллов, образующихся к концу процесса. Максимальное значение скорости образования кристаллических центров / ( 0 ) м я к с достигается за более продолжительное время.

Интересно отметить, что процесс образования новых центров независимо от начального пересыщения раство­ ра практически заканчивается при С^72,75%, что соот­ ветствует коэффициенту пересыщения раствора сахарозы при температуре 40°С а ='1,144. В дальнейшем снижение концентрации раствора до равновесной происходит з а счет роста кристаллов.

ОБРАЗОВАНИЕ ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

ВПЕРЕОХЛАЖДЕННЫХ РАСПЛАВАХ САХАРОЗЫ

I

При расплаве веществ, способных .кристаллизоваться,, необходимое пересыщение .можно создать, охлаждая рас­ плав до определенной температуры. Согласно флуктуа-

ционной теории скорость возникновения центров кристал­ лизации в переохлажденной жидкости определяется уравнением [6, 17, 55, 56]

(81)

где £>2—работа образования трехмерного зародыша;

AT — переохлаждение.

Способность самопроизвольной кристаллизации саха­

розы исследовалась нами [27, 28] также

в ее расплавах.

В настоящее время у нас и за рубежом

разрабатывают­

ся методы получения аморфной сахарозы при быстром переохлаждении ее расплавов. Охлаждённые расплавы используются для приготовления кондитерских изделий. Не исключено, что упрощение технологической схемы по­ лучения карамельной массы пойдет по этому пути.

Для

исследования

кристаллизации переохлажденных

расплавов

сахарозы

.применяли

методику

Таммана. В

опытах

использовали

сахарозу

ч. д. а. с температурой

плавления

около

188° С. Чтобы за

короткий

отрезок вре­

мени достигнуть

полного ее расплава, плавление прово-

' дили

в

глицериновой

бане при температуре

195° С. 'При

этом

учитывали,

что

разложение

сахарозы

зависит от

продолжительности и температуры плавления. В плоских препаратах расплав сахарозы можно получить за 1 —

2

мин. За образованием центров кристаллизации наблю­

дали с помощью микроскопа МБИ-6 при

увеличении

в

63 раза. Схема примененной экспериментальной уста­

новки показана на рис. 20.

 

:

 

g

• Сеть

 

Рис. 20. Схема экспериментальной установки:

/ — микроскоп; 2 — обогреватель;

3 — вентилятор; 4 — трубки

с расплавом; 5 — с о с у д Д ы о а р а ;

6 — потенциометр; 7 — латр.

4*

51

Необходимую температуру экспозиции и «•проявления» поддерживали автоматически с помощью медькоистантаповой термопары, помещенной в установленный рядом контрольный образец препарата. Сигнал'от термопары подавался на прокалиброванный потенциометр мар,ки ЭПВ2-ПА, подключенный электрической схемой к обо­ гревательным элементам коробки, в которой находился контрольный образец и препарат с расплавом..

Многочисленные опыты показали, что в пределах тем­ пературы 188—130° С центры кристаллизации в расплаве сахарозы не образуются. При дальнейшем охлаждении кристаллизация • идет интенсивно, особенно в пределах температур 130—80° С. Здесь зависимость количества центров кристаллизации от температуры выражается экспоненциальной кривой, проходящей через максимум при 110°С (рис. 21) [27].

 

 

 

 

 

 

Рис. 21. Зависимость числа цен­

Рис. 22.

Зависимость от пере­

тров кристаллизации от

темпе­

 

 

 

 

охлаждения:

ратуры переохлаждения

рас­

 

 

 

д

UIRT

плава сахарозы.

1 — множителя

е

 

• мно ­

 

 

жителя е

"

-

' '

; 3 — в е р о я т ­

 

 

ность образования

центров кристал ­

 

 

 

 

 

 

лизации.

Сравнивая рис. 19 и 31, можно отметить, что центры кристаллизации в пересыщенных растворах и переохлаж­ денных расплавах сахарозы •образуются по одному зако­ ну. Если схематически представить кривую I = f (ДГ) и

52

кривые, описываемые первым и вторым экс-поненциаль-- ными .множителями в уравнении (81), то оказывается (рис. 2:2), что увеличение скорости появления центров но-' вой .фазы / три малых 'переохлаждениях вызывается дей­ ствием множителя ехр [—D2 /T (AT)2]. Уменьшение / при более глубоких переохлаждениях связано с замедлением

подвижности молекул, г. е. определяется

действием мно­

жителя ехр ( — AU/RT) . Таким образом, расположение

кривой I—f (AT)

и положение ее максимума определяют­

ся соотношением величин В, AU/RT

и D2/T

(AT)2.

При низких температурах множитель

ехр-[—D2 /T(AT)2 )

настолько незначительно влияет

-на "зависимость скоро­

сти образования

центров* кристаллизации

от переохлаж­

дения, что этим

влиянием можно

пренебречь [65]. Поэто­

му при' больших переохлаждениях число наблюдаемых

кристаллических зародышей должно удовлетворять соот­ ношению

/ - • В, ехр ( - Д U RT)

(82)

или

In В, — AU RT,

 

l n / =

 

где В]—постоянная величина.

 

График зависимости

In / от \/Т—прямая

линия, по

угловому коэффициенту которой можно вычислить энер­ гию активации вязкого движения молекул.

Т а б л и ц а 8

Зависимость скорости образования центров кристаллизации от температуры расплава сахарозы

Эксперимен­ тальная тем­ пература, °С

 

 

 

-.х

 

 

 

s-

 

 

 

|_

 

 

 

S

10»/Г

<

шт.

и

 

In /

Д U.'RT

s

N r

 

•я

 

о

 

О

f

 

 

4-

 

 

^

х

 

 

С

 

 

 

 

 

393

55.02

24

56,6

—2,87

29,32

26,45

391

52,19 ,

30

70.8

-2,2Г)

29,46

26,81

389 .

49,58

44

105.0

—2,25

29,64

27,39

387

47,18

60

141,6

— 1,95

29,77

27,82 .

385.

45,79

66

156,0

—1,86

29,92

28,06

383

2,62

52,50

6S

160,5

—1,83

30.0S

•28,25

 

 

 

380

2,64

 

67

158,1

— 1,84

30,32 .

28,4S

 

378

2,65

5S

136,9

- 1,9 9

30,48

2S.49

376

2.66

- —

51

121,3

-2,11

30,64

28,53

372

2,69

37

S7,4

—2,44

30,97

2S.53

369

2,71

31

73,2

• —2,61

31,22

23,61

 

 

 

 

 

 

 

Значения I , необходимые для построения данной за­ висимости, получены из 'кривой на рис. 21. Результаты расчетов (приведены в табл. 8, а график зависимости In / от 1,/Г — на рис. 23.

На рис. 23 видно, что экспериментальные точки удов­ летворительно укладываются на прямой линии. Значение

 

 

 

 

 

 

энергии

 

активации,

най­

\

 

 

 

 

денное

по этому .графику

 

 

 

 

(At; = 96370

Дж/'моль),

 

 

 

 

хорошо согласуется с дан­

-1,9

 

 

 

 

 

ными других, авторов

для

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

органических веществ.

-2.1

 

 

 

 

 

При

 

высоких темпера­

 

 

 

 

 

 

турах

(три

.малых иере-

-2.3

 

 

 

 

 

охл ажден иях

расплава)

 

 

 

 

 

 

скорость

 

образования

-2.5

 

 

 

 

 

центр ов

кр исталлиз ации

 

 

 

Ч о

 

определяется

в основном

 

 

 

 

 

 

работой

образования

за­

-?,7l

2.SB 2.В8

?,70

10$

родышей.

Зависимость

232

скорости

от

температуры

 

 

 

 

 

 

адесь другая, чем при .низ­

Рис. 23.

Зависимость In

/

от

1/Г

ких температурах, и опре­

 

для

расплава

сахарозы.

деляется

уравнением JJ28]

 

 

/ = В3

ехр [—

D, Т Т)-].

 

 

(S3)

После логарифмирования уравнения (83)

In / = l n f i a - D . T ( 4 7")=

получим-уравнение прямой, по тангенсу угла наклона ко­ торой к оси абсцисс можно найти D% — работу образова­ ния трехмерных зародышей. Допустим, что зародыш кри­ тического размера имеет форму сферы, тогда работа об­ разования его равна

D-2 =

° - •

• (84)

где а — поверхностное натяжение

на границе

зародыш — расплав;

Т0 — температура плавления сахарозы, К;

молекулу;

Vo — средний объем, приходящийся на одну

ц— теплота плавления, отнесенная к одной молекуле; k — постоянная Больцмана.

Для определения параметра D2 по эксперименталь­ ным данным [27, 28] на рис. 24 построен график зависи-

54

масти In I + MJ/RT от l/T {AT)2. Как видно из рис. 24, точки удовлетворительно укладываются на прямой. По

тангенсу

.угла ее

наклона определяем, что D 2 =

= 210413167 « 2 , l i l t ) 7

. '

 

 

LnJ+AlllRT

 

 

28

Рис. • 2Л.

Зависимость

\nI+AU/RT

от 1/Г (ДГ)3

27

для расплава сахарозы.

 

 

26

 

 

 

 

 

 

 

ЦЦ

46

W

50

52

5Ц 10°lT(itf

Подставив

необходимые значения то сахарозе в урав­

нение

(84), найдем величину о по формуле

 

 

0 = 1 /

! -

= 1 /

2,39-

О- -1 7

—— •

Is -1 )

 

• | /

tjv.?

У,

 

 

v..

 

 

16г. — —

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

г д е - У 2

= MlpN0.

 

 

 

 

 

 

" а оказалось .равным 15,6 - Ю" 3 Дж/м2 , что хорошо со­ гласуется (то порядку величины) со значениями поверх­ ностного натяжения на границе кристалл — расплав для других органических веществ [17, 58].

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ РЕЛАКСАЦИИ

[Полученные численные значения функций / (в) при решении уравнения (67) позволили применить уравнение Зельдовича для скорости образования центров кристал: лизации с учетом нестационарного режима

,

I (t) = 10е-~-< .

(S6)

После логарифмирования уравнения . ('86) получим уравнение трямой

1п/ (/) = In /„ х t.

(87)

При выражении'графической зависимости .In / (/) от

\/t тангенс угла наклона

этой прямой к оси абсцисс ра­

вен т.

.

15 4 |3 \ у >

\

•13

\

11

60 ВО 100 120 Щс1

о го

Рис. 25. 'Зависи­ мость In / (/)- or \jt для растворов,

сахарозы при тем­ пературе 4ЮРС и ко­ эффициентах пере-

сыщення а:

Г1,29; 2 — 1.32; 3 — 1,36; 4 — 1,43, 5 — 1.82.

Как зид.но из рис. 25, полученные прямые удовлетво­ ряют уравнению (86), что говорит о правильности вычис­ ленных значений'скорости образования/центров кристал­ лизации. С уменьшением начального пересыщения раст­ воров сахарозы наклон кривых резко увеличивается. Ви­ димо, при коэффициенте пересыщения а = 1,2 кривая за­ висимости In / (t) от \ lt пойдет параллельно оси ординат. Для такого раствора т = оо, т. е. процесс образования за­ родышей новой фазы никогда не достигнет стационарно­ го режима.

Найденные по этим зависимостям значения времени релаксации для растворов сахарозы с различным началь­ ным пересыщением при температуре 40° С приведены ниже.

 

Время релаксации т для растворов

сахарозы

 

 

 

 

при температуре 40°С

 

 

а 0

.

1,287

. 1,32 •

1,36

И,434

.1,818

т, ч

.

44,9 .

33,4

16,8

5,5

0,6

График

зависимости In / (t) от \/t

позволяет

также

определить значения / 0

 

 

 

 

 

In / 0 =

l;7a lll./(*i) — l// 1 lll/(/,)

 

(S8)

 

. °

\\U -

1Ц!

 

 

 

Полученные значения In Iq И Iq приведены ниже.

In / 0

и / 0 при температуре

40°С » различных

коэффициентах

 

 

 

пересыщения раствора

сахарозы

In / 0 . . .

40,77

36,1

33,19

24,90

19,9

/„ . . .

5,08-10»

4,78-1015

2,55-104

6,52-101» 4,39-10*

56

in Г

У"

Рис. 26. Зависимость

In т от

6

li/ln <Хо для растворов

сахарозы

-

при температуре 40°С.

5

2-

Зависимость In т от 1/ln а0 по уравнению (78) въиражается прямой линией (рис. 26), наклон которой позво­ ляет определить значение энергии связи двухмерного за­ родыша Е

4

откуда

k т

о

Полученное значение £ = , 3 • Ю - 7 Дж/молекула.

АНАЛИЗ ОПЫТНЫХ КРИВЫХ СКОРОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ НА ОСНОВЕ ФЛУКТУАЦИОННОИ ТЕОРИИ

Выше уже .говорилось, 4TQ скорость образования цент; ров кристаллизации / (в) в начальный период при С = =oonst равна нулю, а затем, постепенно увеличиваясь,, достигает максимума и снова падает до нуля. Анализ кривых .кинетики C\(t) и / (в) для одного и того же зна­ чения температуры и .начального пересыщения раствора показывает, что точка перегиба на кривых / (в) в сторо­ ну уменьшения скорости образования новых центров не всегда соответствует .моменту скачкообразного изменения концентрации раствора на кривых С (i). В то .же время известно, что с уменьшением пересыщения раствора уве­ личивается размер критического зародыша г к по 'форму-

•57'

ле (79) и это в свою очередь увеличивает значение тер­ модинамического потенциала системы ДФк, или работу •образования кристаллического центра

д Ф,, =

16л iW3

«зз Na

(90)

Зр2 ^ П и 2

С/С

 

 

•Скорость образования зародышей новой фазы, соглас­ но флуктуанионной теории определяется

/0 = А е х р ( - Л Фк.-А 7"),

(91)

где /1 • постоянный множитель.

Подставляя в формулу (91) значение ДФк, получим

_

16* Л/„.'УРо»

.

А е

S9'R'Т"

in'ас^

(92)

 

 

 

Таким образом, работа образования навык центров кристаллизации при изменяющемся пересыщении раство­ ра входит в экспоненциальный член уравнения (92).

Обозначим

и схематически представим

кривую / (i)

и кривые, опи­

сываемые множителем ехр

( •—x/t)

в уравнении

(5'3) и

множителем ехр [—Df(\n

С/С*,)2 ]

• в

уравнении

(92)

(рис. 27). Из рис. 27 видно, что восходящая ветвь кри­ вой / (i) удовлетворительно описывается уравнением (53). Не доходя максимума кривой / (t), линейная зави-

Рис. 27. Зависимость скорости, образования центров новой фа­ зы от времени кристаллизации:

/ - / (О; 2 - е -т/с.

3-

- D . l n * CjCco

 

58

симость In / (t) от l/t нарушается. Это совпадает с умень­

шением концентрации

на кинетических кривых

С (t).

Следовательно, с этого момента на ход кривой / (t)

вли­

яет экспоненциальный

множитель ехр (—D/ln2

С/С^),

т. е. начинается биэкслоненциальная зависимость скоро­

сти образования центров кристаллизации

/ (О = const e~':l e~D]n~ сс.

" (93)

Таким образом, положение кривой I (t) на оси абс­ цисс и высота ее максимума будут определяться соотно­ шением величин т./7 и D/ln2 С/С*,.

Прологарифмировав уравнение (93), получим уравне-» пне прямой •

In / (0 In const — xjt - D/ln= C.'Cco ,

(94)

l'л И

 

In / (() -;- lit = In const — D/lns C , C ~ .

(95)

Допустим, что ниспадающая ветвь кривой / (if) описы­

вается только множителем ехр [—£>/(1п С/С*,)2].

Тогда

для аппроксимации опытной кривой можно на оси абс­ цисс отложить значения \/]п2С/Ссо, а на оси ординат — In / (i) . Если точки опытной кривой .хорошо ложатся на прямую, описываемую теоретической формулой (94), тог­ да наклон этой прямой даст величину D, а отрезок на оси ординат, отсекаемый этой прямой,— значение пара­ метра xft.

Однако, как видно из рис. 28, такое допущение не да­ ет удовлетворительной линейной зависимости, и наблю­ дается большой разброс точек. Точки вблизи максимума кривой / (i) не подлежат выпрямлению. Построенная на-

 

 

 

 

Ln3(t)

 

 

 

 

16

Рис.

28.

Зависимость

 

In /

(0 от

I/In2

С/С„

 

•при

температуре

40°С

^

и коэффициенте

пере­

 

 

сыщения а = 1,29.

 

 

 

 

я _

зоо .

иоо •

500

i

тщцс»

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ