книги из ГПНТБ / Зубченко А.В. Новое в кинетике кристаллизации сахара
.pdf<100 мин 7 ( © ) « Q . Затем новые центры образуются очень быстро и три tza\t.4 скорость образования достига ет максимального значения. В это время начинает па дать концентрация раствора, изменяются условия для возникновения новых ядер и поэтому / (0) быстро умень шается до нуля.
С повышением степени пересыщения положение мак симума кривой / (0) изменяется. Максимум становится более узким и высоким, его положение на оси абсцисс соответствует времени / М п к о > ^ л - Например, при коэффи циенте пересыщения 1,818 и температуре 40°С /л ='14 мин. а £,чакг. =i29 мин. Фазовый переход начинается почти сра зу после начала перемешивания, хотя изменение концен трации некоторое время зарегистрировать не -удается. После скачкообразного изменения концентрации ско рость образования новых центров кристаллизации еще продолжает увеличиваться и достигает максимума, когда концентрация понижается с 80,9 до 78,55%. Таким обра-
• зом, для растворов сахарозы при температуре 40°С и ко эффициенте пересыщения а<1, 3 максимум скорости об разования центров кристаллизации соответствует латен
тному периоду |
на |
кинетической кривой р (t) или С (it). |
Для растворов |
с |
коэффициентом пересыщения а > 1 , 3 |
^ . ч а к с ^ " ^ л -
При уменьшении пересыщения раствора снижается общее количество кристаллов, образующихся к концу процесса. Максимальное значение скорости образования кристаллических центров / ( 0 ) м я к с достигается за более продолжительное время.
Интересно отметить, что процесс образования новых центров независимо от начального пересыщения раство ра практически заканчивается при С^72,75%, что соот ветствует коэффициенту пересыщения раствора сахарозы при температуре 40°С а ='1,144. В дальнейшем снижение концентрации раствора до равновесной происходит з а счет роста кристаллов.
ОБРАЗОВАНИЕ ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ
ВПЕРЕОХЛАЖДЕННЫХ РАСПЛАВАХ САХАРОЗЫ
•I
При расплаве веществ, способных .кристаллизоваться,, необходимое пересыщение .можно создать, охлаждая рас плав до определенной температуры. Согласно флуктуа-
ционной теории скорость возникновения центров кристал лизации в переохлажденной жидкости определяется уравнением [6, 17, 55, 56]
(81)
где £>2—работа образования трехмерного зародыша;
AT — переохлаждение.
Способность самопроизвольной кристаллизации саха
розы исследовалась нами [27, 28] также |
в ее расплавах. |
В настоящее время у нас и за рубежом |
разрабатывают |
ся методы получения аморфной сахарозы при быстром переохлаждении ее расплавов. Охлаждённые расплавы используются для приготовления кондитерских изделий. Не исключено, что упрощение технологической схемы по лучения карамельной массы пойдет по этому пути.
Для |
исследования |
кристаллизации переохлажденных |
|||||
расплавов |
сахарозы |
.применяли |
методику |
Таммана. В |
|||
опытах |
использовали |
сахарозу |
ч. д. а. с температурой |
||||
плавления |
около |
188° С. Чтобы за |
короткий |
отрезок вре |
|||
мени достигнуть |
полного ее расплава, плавление прово- |
||||||
' дили |
в |
глицериновой |
бане при температуре |
195° С. 'При |
|||
этом |
учитывали, |
что |
разложение |
сахарозы |
зависит от |
продолжительности и температуры плавления. В плоских препаратах расплав сахарозы можно получить за 1 —
2 |
мин. За образованием центров кристаллизации наблю |
||
дали с помощью микроскопа МБИ-6 при |
увеличении |
||
в |
63 раза. Схема примененной экспериментальной уста |
||
новки показана на рис. 20. |
|
: |
|
|
g |
• Сеть |
|
Рис. 20. Схема экспериментальной установки:
/ — микроскоп; 2 — обогреватель; |
3 — вентилятор; 4 — трубки |
с расплавом; 5 — с о с у д Д ы о а р а ; |
6 — потенциометр; 7 — латр. |
4* |
51 |
Необходимую температуру экспозиции и «•проявления» поддерживали автоматически с помощью медькоистантаповой термопары, помещенной в установленный рядом контрольный образец препарата. Сигнал'от термопары подавался на прокалиброванный потенциометр мар,ки ЭПВ2-ПА, подключенный электрической схемой к обо гревательным элементам коробки, в которой находился контрольный образец и препарат с расплавом..
Многочисленные опыты показали, что в пределах тем пературы 188—130° С центры кристаллизации в расплаве сахарозы не образуются. При дальнейшем охлаждении кристаллизация • идет интенсивно, особенно в пределах температур 130—80° С. Здесь зависимость количества центров кристаллизации от температуры выражается экспоненциальной кривой, проходящей через максимум при 110°С (рис. 21) [27].
|
|
|
|
|
|
4Т |
Рис. 21. Зависимость числа цен |
Рис. 22. |
Зависимость от пере |
||||
тров кристаллизации от |
темпе |
|
|
|
|
охлаждения: |
ратуры переохлаждения |
рас |
|
|
|
д |
UIRT |
плава сахарозы. |
1 — множителя |
е |
|
• мно |
||
|
|
жителя е |
" |
- |
' ' |
; 3 — в е р о я т |
|
|
ность образования |
центров кристал |
|||
|
|
|
|
|
|
лизации. |
Сравнивая рис. 19 и 31, можно отметить, что центры кристаллизации в пересыщенных растворах и переохлаж денных расплавах сахарозы •образуются по одному зако ну. Если схематически представить кривую I = f (ДГ) и
52
кривые, описываемые первым и вторым экс-поненциаль-- ными .множителями в уравнении (81), то оказывается (рис. 2:2), что увеличение скорости появления центров но-' вой .фазы / три малых 'переохлаждениях вызывается дей ствием множителя ехр [—D2 /T (AT)2]. Уменьшение / при более глубоких переохлаждениях связано с замедлением
подвижности молекул, г. е. определяется |
действием мно |
||
жителя ехр ( — AU/RT) . Таким образом, расположение |
|||
кривой I—f (AT) |
и положение ее максимума определяют |
||
ся соотношением величин В, AU/RT |
и D2/T |
(AT)2. |
|
При низких температурах множитель |
ехр-[—D2 /T(AT)2 ) |
||
настолько незначительно влияет |
-на "зависимость скоро |
||
сти образования |
центров* кристаллизации |
от переохлаж |
|
дения, что этим |
влиянием можно |
пренебречь [65]. Поэто |
|
му при' больших переохлаждениях число наблюдаемых |
кристаллических зародышей должно удовлетворять соот ношению
/ - • В, ехр ( - Д U RT) |
(82) |
|
или |
In В, — AU RT, |
|
l n / = |
|
|
где В]—постоянная величина. |
|
|
График зависимости |
In / от \/Т—прямая |
линия, по |
угловому коэффициенту которой можно вычислить энер гию активации вязкого движения молекул.
Т а б л и ц а 8
Зависимость скорости образования центров кристаллизации от температуры расплава сахарозы
Эксперимен тальная тем пература, °С
|
|
|
-.х |
|
|
|
s- |
|
|
|
|_ |
|
|
|
S |
10»/Г |
< |
шт. |
и |
|
In / |
Д U.'RT |
s |
N r |
|
•я |
|||||
|
о |
|
О |
f |
|
|
4- |
|
|
^ |
х |
|
|
С |
|
|
|
|
|
|
393 |
— |
55.02 |
24 |
56,6 |
—2,87 |
29,32 |
26,45 |
|
391 |
52,19 , |
30 |
70.8 |
-2,2Г) |
29,46 |
26,81 |
||
389 . |
49,58 |
44 |
105.0 |
—2,25 |
29,64 |
27,39 |
||
387 |
47,18 |
60 |
141,6 |
— 1,95 |
29,77 |
27,82 . |
||
385. |
— |
45,79 |
66 |
156,0 |
—1,86 |
29,92 |
28,06 |
|
383 |
2,62 |
52,50 |
6S |
160,5 |
—1,83 |
30.0S |
•28,25 |
|
|
— |
|
|
|||||
380 |
2,64 |
|
67 |
158,1 |
— 1,84 |
30,32 . |
28,4S |
|
— |
|
|||||||
378 |
2,65 |
— |
5S |
136,9 |
- 1,9 9 |
30,48 |
2S.49 |
|
376 |
2.66 |
- — |
51 |
121,3 |
-2,11 |
30,64 |
28,53 |
|
372 |
2,69 |
— |
37 |
S7,4 |
—2,44 |
30,97 |
2S.53 |
|
— |
||||||||
369 |
2,71 |
31 |
73,2 |
• —2,61 |
31,22 |
23,61 |
||
|
|
— |
|
|
|
|
|
Значения I , необходимые для построения данной за висимости, получены из 'кривой на рис. 21. Результаты расчетов (приведены в табл. 8, а график зависимости In / от 1,/Г — на рис. 23.
На рис. 23 видно, что экспериментальные точки удов летворительно укладываются на прямой линии. Значение
|
|
|
|
|
|
энергии |
|
активации, |
най |
|
\ |
|
|
|
|
денное |
по этому .графику |
||||
|
|
|
|
(At; = 96370 |
Дж/'моль), |
|||||
|
|
|
|
хорошо согласуется с дан |
||||||
-1,9 |
|
|
|
|
|
ными других, авторов |
для |
|||
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
органических веществ. |
||||
-2.1 |
|
|
|
|
|
При |
|
высоких темпера |
||
|
|
|
|
|
|
турах |
(три |
.малых иере- |
||
-2.3 |
|
|
|
|
|
охл ажден иях |
расплава) |
|||
|
|
|
|
|
|
скорость |
|
образования |
||
-2.5 |
|
|
|
|
|
центр ов |
кр исталлиз ации |
|||
|
|
|
Ч о |
|
определяется |
в основном |
||||
|
|
|
|
|
|
работой |
образования |
за |
||
-?,7l |
№ |
2.SB 2.В8 |
?,70 |
10$ |
родышей. |
Зависимость |
||||
232 |
скорости |
от |
температуры |
|||||||
|
|
|
|
|
|
адесь другая, чем при .низ |
||||
Рис. 23. |
Зависимость In |
/ |
от |
1/Г |
ких температурах, и опре |
|||||
|
для |
расплава |
сахарозы. |
деляется |
уравнением JJ28] |
|||||
|
|
/ = В3 |
ехр [— |
D, Т (Д Т)-]. |
|
|
(S3) |
•После логарифмирования уравнения (83)
In / = l n f i a - D . T ( 4 7")=
получим-уравнение прямой, по тангенсу угла наклона ко торой к оси абсцисс можно найти D% — работу образова ния трехмерных зародышей. Допустим, что зародыш кри тического размера имеет форму сферы, тогда работа об разования его равна
D-2 = |
° - • |
• (84) |
где а — поверхностное натяжение |
на границе |
зародыш — расплав; |
Т0 — температура плавления сахарозы, К; |
молекулу; |
|
Vo — средний объем, приходящийся на одну |
ц— теплота плавления, отнесенная к одной молекуле; k — постоянная Больцмана.
Для определения параметра D2 по эксперименталь ным данным [27, 28] на рис. 24 построен график зависи-
54
масти In I + MJ/RT от l/T {AT)2. Как видно из рис. 24, точки удовлетворительно укладываются на прямой. По
тангенсу |
.угла ее |
наклона определяем, что D 2 = |
= 210413167 « 2 , l i l t ) 7 |
. ' |
|
|
|
LnJ+AlllRT |
|
|
28 |
Рис. • 2Л. |
Зависимость |
|
\nI+AU/RT |
от 1/Г (ДГ)3 |
27 |
для расплава сахарозы.
|
|
26 |
|
|
|
|
|
|
|
ЦЦ |
46 |
W |
50 |
52 |
5Ц 10°lT(itf |
Подставив |
необходимые значения то сахарозе в урав |
||||||
нение |
(84), найдем величину о по формуле |
|
|||||
|
0 = 1 / |
! - |
= 1 / |
2,39- |
О- -1 7 |
—— • |
Is -1 ) |
|
• | / |
tjv.? |
У, |
|
|
v.. |
|
|
16г. — — |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
3 |
|
г д е - У 2 |
= MlpN0. |
|
|
|
|
|
|
" а оказалось .равным 15,6 - Ю" 3 Дж/м2 , что хорошо со гласуется (то порядку величины) со значениями поверх ностного натяжения на границе кристалл — расплав для других органических веществ [17, 58].
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ РЕЛАКСАЦИИ
[Полученные численные значения функций / (в) при решении уравнения (67) позволили применить уравнение Зельдовича для скорости образования центров кристал: лизации с учетом нестационарного режима
, |
I (t) = 10е-~-< . |
(S6) |
После логарифмирования уравнения . ('86) получим уравнение трямой
1п/ (/) = In /„ — х t. |
(87) |
При выражении'графической зависимости .In / (/) от
\/t тангенс угла наклона |
этой прямой к оси абсцисс ра |
вен т. |
. |
15 4 |3 \ у >
\
•13 |
\ |
|
11 |
||
60 ВО 100 120 Щс1 |
||
о го |
Рис. 25. 'Зависи мость In / (/)- or \jt для растворов,
сахарозы при тем пературе 4ЮРС и ко эффициентах пере-
•сыщення а:
Г— 1,29; 2 — 1.32; 3 — 1,36; 4 — 1,43, 5 — 1.82.
Как зид.но из рис. 25, полученные прямые удовлетво ряют уравнению (86), что говорит о правильности вычис ленных значений'скорости образования/центров кристал лизации. С уменьшением начального пересыщения раст воров сахарозы наклон кривых резко увеличивается. Ви димо, при коэффициенте пересыщения а = 1,2 кривая за висимости In / (t) от \ lt пойдет параллельно оси ординат. Для такого раствора т = оо, т. е. процесс образования за родышей новой фазы никогда не достигнет стационарно го режима.
Найденные по этим зависимостям значения времени релаксации для растворов сахарозы с различным началь ным пересыщением при температуре 40° С приведены ниже.
|
Время релаксации т для растворов |
сахарозы |
|
|||
|
|
|
при температуре 40°С |
|
|
|
а 0 |
. |
1,287 |
. 1,32 • |
1,36 |
И,434 |
.1,818 |
т, ч |
. |
44,9 . |
33,4 |
16,8 |
5,5 |
0,6 |
График |
зависимости In / (t) от \/t |
позволяет |
также |
|||
определить значения / 0 |
|
|
|
|
||
|
In / 0 = |
l;7a lll./(*i) — l// 1 lll/(/,) |
|
(S8) |
||
|
. ° |
\\U - |
1Ц! |
|
|
|
Полученные значения In Iq И Iq приведены ниже. |
||||||
In / 0 |
и / 0 при температуре |
40°С » различных |
коэффициентах |
|||
|
|
|
пересыщения раствора |
сахарозы |
||
In / 0 . . . |
40,77 |
36,1 |
33,19 |
24,90 |
19,9 |
|
/„ . . . |
5,08-10» |
4,78-1015 |
2,55-104 |
6,52-101» 4,39-10* |
56
in Г
У"
Рис. 26. Зависимость |
In т от |
6 |
li/ln <Хо для растворов |
сахарозы |
- |
при температуре 40°С. |
5 |
2-
Зависимость In т от 1/ln а0 по уравнению (78) въиражается прямой линией (рис. 26), наклон которой позво ляет определить значение энергии связи двухмерного за родыша Е
4
откуда
k т
о
Полученное значение £ = , 3 • Ю - 7 Дж/молекула.
АНАЛИЗ ОПЫТНЫХ КРИВЫХ СКОРОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ НА ОСНОВЕ ФЛУКТУАЦИОННОИ ТЕОРИИ
Выше уже .говорилось, 4TQ скорость образования цент; ров кристаллизации / (в) в начальный период при С = =oonst равна нулю, а затем, постепенно увеличиваясь,, достигает максимума и снова падает до нуля. Анализ кривых .кинетики C\(t) и / (в) для одного и того же зна чения температуры и .начального пересыщения раствора показывает, что точка перегиба на кривых / (в) в сторо ну уменьшения скорости образования новых центров не всегда соответствует .моменту скачкообразного изменения концентрации раствора на кривых С (i). В то .же время известно, что с уменьшением пересыщения раствора уве личивается размер критического зародыша г к по 'форму-
•57'
ле (79) и это в свою очередь увеличивает значение тер модинамического потенциала системы ДФк, или работу •образования кристаллического центра
д Ф,, = |
16л iW3 |
«зз Na |
(90) |
||
Зр2 ^ П и 2 |
С/С |
||||
|
|
•Скорость образования зародышей новой фазы, соглас но флуктуанионной теории определяется
/0 = А е х р ( - Л Фк.-А 7"), |
(91) |
где /1 • постоянный множитель.
Подставляя в формулу (91) значение ДФк, получим
_ |
16* Л/„.'УРо» |
. |
|
А е |
S9'R'Т" |
in'ас^ |
(92) |
|
|
|
Таким образом, работа образования навык центров кристаллизации при изменяющемся пересыщении раство ра входит в экспоненциальный член уравнения (92).
Обозначим
и схематически представим |
кривую / (i) |
и кривые, опи |
||
сываемые множителем ехр |
( •—x/t) |
в уравнении |
(5'3) и |
|
множителем ехр [—Df(\n |
С/С*,)2 ] |
• в |
уравнении |
(92) |
(рис. 27). Из рис. 27 видно, что восходящая ветвь кри вой / (i) удовлетворительно описывается уравнением (53). Не доходя максимума кривой / (t), линейная зави-
Рис. 27. Зависимость скорости, образования центров новой фа зы от времени кристаллизации:
/ - / (О; 2 - е -т/с.
3- |
- D . l n * CjCco |
|
58
симость In / (t) от l/t нарушается. Это совпадает с умень
шением концентрации |
на кинетических кривых |
С (t). |
Следовательно, с этого момента на ход кривой / (t) |
вли |
|
яет экспоненциальный |
множитель ехр (—D/ln2 |
С/С^), |
т. е. начинается биэкслоненциальная зависимость скоро
сти образования центров кристаллизации |
• |
/ (О = const e~':l e~D]n~ сс™ . |
" (93) |
Таким образом, положение кривой I (t) на оси абс цисс и высота ее максимума будут определяться соотно шением величин т./7 и D/ln2 С/С*,.
Прологарифмировав уравнение (93), получим уравне-» пне прямой •
In / (0 In const — xjt - D/ln= C.'Cco , |
(94) |
l'л И |
|
In / (() -;- lit = In const — D/lns C , C ~ . |
(95) |
Допустим, что ниспадающая ветвь кривой / (if) описы |
|
вается только множителем ехр [—£>/(1п С/С*,)2]. |
Тогда |
для аппроксимации опытной кривой можно на оси абс цисс отложить значения \/]п2С/Ссо, а на оси ординат — In / (i) . Если точки опытной кривой .хорошо ложатся на прямую, описываемую теоретической формулой (94), тог да наклон этой прямой даст величину D, а отрезок на оси ординат, отсекаемый этой прямой,— значение пара метра xft.
Однако, как видно из рис. 28, такое допущение не да ет удовлетворительной линейной зависимости, и наблю дается большой разброс точек. Точки вблизи максимума кривой / (i) не подлежат выпрямлению. Построенная на-
|
|
|
|
Ln3(t) |
|
|
|
|
16 |
Рис. |
28. |
Зависимость |
|
|
In / |
(0 от |
I/In2 |
С/С„ |
|
•при |
температуре |
40°С |
^ |
|
и коэффициенте |
пере |
|
||
|
сыщения а = 1,29. |
|
||
|
|
|
• |
я _ |
зоо . |
иоо • |
500 |
i |
тщцс» |