книги из ГПНТБ / Ямалеев К.М. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей стареющими сплавами
.pdf+3
Р и с . 3 6 . Сетка для опреде ления координат ср и z с по мощью плоской рентгенограммы
Эвальда на поверхность, соответствующую пленке, линий пересе чения сферы Эвальда с плоскостями, перпендикулярными к оси Z. Положение последних определяет координату z. Расстояние между линиями соответствует расстоянию между плоскостями,
измеренному |
в масштабе |
а* |
исследуемого |
кристалла |
(напомним |
|
а* |
= 1 / а, а |
- параметр |
решетки;. Положение вершин гипербол |
|||
на |
рис. 37 и |
угол а конуса, |
образующего |
гиперболу, |
обычно |
устанавливаются путем графического построения. Дальнейший ход
гипербол |
рассчитывается |
по формуле |
z = |
/ х 2 + D2 |
/tga, |
||
где z и X |
- координаты на пленке. Такая сетка строится для |
||||||
излучения с определенной длиной волны 7. |
|
|
|||||
Координаты z |
и ф |
находят простым |
наложением пленки |
||||
(рентгенограммы) |
на |
сетку |
(сама сетка |
обычно |
наносится |
на |
прозрачную рентгеновскую пленку без эмульсии). Для получения координаты г используется вторая сетка (рис. 37). Концентрич ные круги на этой сетке представляют собой проекцию следов, соответствующих гиперболам, пересечения сферы Эвальда плоскоі
тями на плоскость, |
перпендикулярную |
к z. |
Следовательно, эти |
||||||
круги определяют координату z. |
Радиальные |
линии соответству |
|||||||
ют |
следам |
плоскостей, |
проходящих |
через ось |
Z , |
т.е. определя |
|||
ют координату ф . |
Зная z |
и ф , с помощью |
этой проекции на |
||||||
ходим и координату |
г |
из |
условия, |
что |
точка |
с |
координатами z |
||
и ф |
должна лежать на сфере Эвальда. |
|
|
|
|||||
При построении |
для |
радиуса сферы Эвальда выбирается значе |
|||||||
ние |
ВД, |
где В |
- масштабный коэффициент. На второй сетке |
(см. рис. 37), как и на первой (см. рис. 36), расстояние менаду
плоскостями С в |
направлении z |
постоянно и выражено в едини |
цах а. От такой |
системы легко |
перейти графическим способом |
Р и с . 3 7 . Сетка для определения координат |
r^no^Cf и г |
и для пе- |
|||
эесчета полученных |
величин |
в координаты |
х, у |
u z |
в про |
странстве обратной |
решетки |
|
|
|
|
к системе координат, связанной с пространством обратной решет ки кристалла.
Для примера рассмотрим конкретный случай, когда осью пово- . ротов кристалла с ГЦК решеткой является кристаллографическое на^ правление [ 001] (ось Z). Тогда координаты z в обеих сис темах (связанных со сферой Эвальда и с обратной решеткой) рав
ны. Координаты X и у определяются следующим образом. |
На |
||
кальку наносится сетка, оси которой соответствуют |
осям |
X |
и |
Y обратной решетки, величина ячеек сетки равна |
Ва*. |
Каждая |
ячейка может быть разбита на еще более мелкую сетку для более точного определения координат. Калька накладывается на сетку, связанную со сферой Эвальда,таким образом, чтобы совпали нуле вые точки в обеих сетках, причем направление 0 - 0 устанавливает
ся так, чтобы оно совпало с кристаллографическим, параллельным первичному пучку.
На рис. 37 изображен случай, когда с первичным лучом совпа дает кристаллографическое направление, отклоненное на 2 2 ° от
оси [010]. Для каждого положения кристалла, как видно из рис. 37, переход от одних координат к другим производится про
сто, для этого необходимо только повернуть кальку на угол, соот ветствующий реальной ориентировке кристалла.
Точность измерений этим способом |
определяется |
лишь точно- |
|
стью построения сетки. Например, для |
кристаллов с |
* |
1 |
а |
=— = |
а
V 1 для |
іМо К —излучения ( Л =0,71 А) точность |
3 |
^ |
измерения около 0,05 а .
С помощью этого метода легко может быть сделан н обрат ный переход, т.е. расчет рентгенограммы по заданному располо жению эффектов диффузного рассеяния в обратном пространстве. Описанные сетки можно также построить для графического расче та рентгенограмм, полученных в цилиндрической кассете.
Изложенный метод особенно удобно применять в тех случаях, когда о.д.р. в обратном пространстве имеют достаточно большую протяженность.
2 . Графический метод построения областей диффузного рассеяния[Щ
Известно, что одним из эффективных для изучения о.д.р. явля ется метод поворотов на малые углы при съемке кристалла на монохроматическом излучении. Метод графического построения о.д.р. для этого случая ограничивается следующими предположе ниями: 1 ) используется монохроматическое излучение; 2 ) о.д.р,
локализованы у узлов обратной решетки матрицы; 3) исследуется о.д.р. в окрестности узлов, дающих рефлексы на нулевой слоевой
линии. Точку М |
на рентгенограмме будем характеризовать дву |
||||
мя |
координатами |
(х,у). |
Ось Y |
направим вдоль слоевой линии, |
|
ось |
X - |
перпендикулярно к ней. |
Выберем на плоскости обратной |
||
решетки |
оси координат |
х*, у*, |
проходящие через нулевой узел, |
Масштабы на осях должны быть одинаковыми и пропорциональны
ми |
периоду обратной решетки а* (рис. 38). |
В обратном пространстве положение проекции на плоскость |
|
X*0 |
Y* точки М* соответствующей точке М пленки, опре |
деляется пересечением двух окружностей: экватора сферы Эвалы
и окружности |
LM*K с центром в нулевом |
узле и радиусом R , |
определяемым |
известным соотношением |
|
IR* I = 2 — sin© . |
(3.1) |
|
Л |
|
|
Положение точки пересечения окружностей можно задать пере сечением касательных к ним, проведенных в точках прохождения через обе окружности радиуса-вектора исследуемого узла. При описании построения касательных предполагается, что точка каса ния определяется пересечением радиуса-вектора узла, в окрестне сти которого изучается о.д.р., и соответствующей окружности. Но это верно только в том случае, если точка М о.д.р. нахо дится на том же радиусе-векторе. В общем случае радиус-векто точки М* повернут на некоторый угол относительно радиуса-век тора узла. Однако вносимая этим ошибка меньше той, которая
допускается при предположении, что все касательные к экватору сферы ЭЬальда для данного узла параллельны.
Для построения касательных к каждой окружности достаточно располагать двумя параметрами: расстоянием от исследуемого узла до точки пересечения каждой касательной-с радиусом-векто ром и величиной угла, составляемого касательной и радиусом-век тором. Найдем параметры касательной AB (см. рис. '38) к окруж ности LM* К. I Расстояние, отсекаемое касательной на радиусе-
векторе, |
из (3.1) равно 2 -^-зіпѲ. ’ Поскольку радиуо-вектор яв- |
|
|
|
Л • |
ляется |
диаметром окружности, то угол, составленный им к каса |
|
тельной, |
равен 90°. |
|
Для |
максимального уменьшения расчетов желательно получить |
прямую зависимость между положением точки на радиусевекторе,
через которую проходит касательная к окружности |
'LM*К, '■ и |
||
положением точки диффузного рефлекса на пленке. |
|
||
Из |
(3.1) |
разложением в ряд по Ѳ получим, ограничиваясь |
|
третьим членом, |
|
||
о* |
=-2—(зтѲ 0 —ДѲ.со&Ѳ0 + —(Д 0)2 sift Ѳ0+ . . . ) , ' |
|
|
ПѲ. |
X |
2 |
|
откуда |
|
|
|
AR* =-R0 |
.- R o = - 2 |cosB o( l -^-ДѲ t;g0 o)AQ. ' |
(3.2) |
где Ѳ - брэгговский угол для узла обратной решетки, в окрести ности которого исследуется о.д.р., а ДИд - расстояние вдоль радиуса-вектора от узла до точки прохождения касательной Через радиус-вектор. Вторым членом, стоящим в скобках, можно прене бречь при Ѳ0 < 60°, так как ошибка не превышает 5%. При боль
ших значениях Ѳ его влияние необходимо учесть. Если обозна чить расстояние на пленке между точкой М и точкой, соотвѳт-
ствующей положению .брэгговского рефлекса, через Ду, > то для
цилиндрической пленки
Ду ДѲ =-— ,
2 |
г |
где г - |
радиус кассеты. |
Подставив полученные выражения для ДѲ в (3.2) и объеди |
|
нив все |
коэффициенты, получим |
* ■ |
=-k Ay; |
ДИ g |
тогда можно записать:
* |
а |
co s0 A 0 |
=kAy, |
|
|
ARQ =-2 — |
|
(3.3) |
|||
|
А |
----------- |
— >• |
|
|
где k |
- постоянный для данного узла |
коэффициент. |
|
||
Определим |
параметры касательной |
PN (см. рис. |
38) к эквато |
ру сферы Эвальда. Будем характеризовать положение сферы углом
а |
между выбранной осью ОХ* |
и направлением рентгеновского |
|||||||||
пучка |
S. ' Из рис. 38 следует, |
что |
|
|
|
||||||
|
Ra = -2— cos (а + у) =-2 Y casS >1 |
|
(3-4) |
||||||||
где |
у |
- угол, |
образованный радиусом-вектором и осью ОХ. |
|
|||||||
|
Очевидно, tgy =— |
, |
здесь |
х* 0 |
и |
У* - координаты |
изу |
||||
чаемого узла обратной решетки матрицы. |
|
|
|||||||||
|
Пусть aQ |
определяет одно из |
положений сферы Эвальда. Тог |
||||||||
да ее повороты можно задать как |
небольшие изменения До |
отно |
|||||||||
сительно этого |
положения. |
|
|
|
|
|
|
||||
|
Приведем расчету для касательной к сфере Эвальда. Разлагая |
||||||||||
R |
из уравнения. (3.4) |
в ряд |
по |
SQ, ' |
получим |
|
|||||
|
AR* =-R |
-R * =•- 2-^ smS0( 1 - |
ic t g 5 0 |
)Aa. |
|
||||||
|
Величина AR |
задает |
точку радиуса-вектора относительно |
||||||||
некоторого |
выбранного за |
опорное положения сферы Эвальда, |
|||||||||
определяемого |
значением |
Rоа |
по уравнению (3.4). Влиянием |
||||||||
второго члена в скобках можно пренебречь |
при SQ > 30 . Таким |
||||||||||
образом, и в |
этом случае |
|
|
|
|
|
|
||||
|
AR*„ = кі Ла; |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
тогда |
можно записать: |
|
|
|
|
|
|
|
*а
А п |
— аіпбп Д а =-ki Д а . |
(3.5) |
|||
а |
л |
0 |
1 |
|
|
Угол |
(5, ' образованный |
касательной и радиусом-вектором, ра |
|||
вен 90° - 6 . |
|
|
|
|
|
Изменением |
величины |
|
ß при небольших углах поворота (2-3°) |
можно пренебречь и считать, что все касательные к сфере Эваль да образуют семейство параллельных прямых. ‘
Таким образом, определены положения обеих касательных, точка пересечения которых даст две координаты (х, ■у ) точки обратного пространства.
Для нахождения третьей координаты можно, например, вос пользоваться соотношениями, приведенными в методе Елистрато
ва |
(см. гл. Н>. |
Тогда на основании допущения 3 |
в случае ци |
|||
линдрической пленки для точек с |
х « q |
имеем z* = х/г |
, ■ где |
|||
z* |
- координата |
точки обратного |
пространства на |
оси, |
перпен |
|
дикулярной к плоскости X*OY*;x |
-расстояние от |
измеряемой |
||||
точки до нулевой слоевой линии. |
|
|
|
|
||
|
Аналогично для |
плоской пленки |
|
|
|
|
*X
2 |
= 7 ^ 7 5 ? ’ ' |
|
|
|
|
|
|
где |
D - |
расстояние |
от |
образца до пленки; |
у - |
расстояние от |
|
центра пленки до измеряемой точки вдоль слоевой линии. Пред |
|||||||
ложенный авторами [ 56 ] метод был использован |
ими при иссле |
||||||
довании распада пересыщенного твердого раствора |
сплава |
Al—Zn. |
|||||
Ими был предложен таюке специальный планшет (рис. 39) |
[5 8 ], ■ |
||||||
позволяющий намного ускорить операцию определения координат |
|||||||
X* |
и у* |
в обратном пространстве кристалла. В |
этом случае |
||||
координата |
z точки |
М |
обратного пространства, |
соответствую |
|||
щая выбранной точке |
М |
на рентгенограмме, |
определяется |
из |
|||
очевидного |
соотношения |
|
|
|
|
где Гд |
- радиус сферы Эвальда. |
На |
планшете вычерчивается полуокружность радиусом Rg, |
представляющим собой проекцию экваториального сечения Сферы
Эвальда |
на плоскость |
планшета |
(X. О Y ), |
и два |
транспортира: |
один для |
отсчета угла |
поворота |
а кристаллика, другой - угла |
||
<р • В центре первого |
транспортира, совпадающем с |
нулевым уз |
лом обратной решетки, помещается полоска кальки с нанесенной на нее линией (ось X ). Поворот кальки вокруг нулевого узла имитирует поворот кристаллика при съемке серии рентгенограмм.
Все построения проводятся на этой кальке. |
|
|
Ориентируя кальку по угл^г поворота кристалла |
а , <отмечаем |
|
на ней точку пересечения ( МХу ) окружности Rg |
с |
прямой, |
проходящей через центр сферы Эвальда под углом |
Ср |
к первично- |
му лучу (это осуществляется с помощью второго транспортира и линейки Л).
|
Отменённая точка и будет проекцией точки М на плоскость |
|
X О Y . |
Перенося эту точку* на оси находим ее координаты |
|
X* |
и у*. |
Аналогичные построения проводим для всех точек, |
6 |
526 |
85 |
Р и с . 3 9 . Схема планшета для по. строения областей диффузного рас» сеяния в пространстве обратной решетки кристалла
отмеченных на данной пленке, и всех пленок данной серии. По скольку точки выбирались на контуре экстрапятен, где интенсив ность диффузного рассеяния равна нулю, можно получить проек ции на плоскость X 0Y сечений сферой Эвальда изодиффузных поверхностей нулевой интенсивности. Затем легко строятся соот ветствующие им проекции на плоскости X 0Z и Y 0Z*. По этим проекциям воссоздают пространственную форму изодиффуэной поверхности.
3. Геометрический метод анализа диффузных эффектов от сферических областей нарушений в кристаллах [57]
Известно, что на лауэграммах, полученных с грубозернистых и монокристаллических образцов некоторых сплавов (например, Al—Ag), наблюдаются диффузные эффекты в виде гало (см. рис. 1,6). Было установлено, что этим эффектам в обратном простран стве соответствуют о.д.р. в виде полых сфер с ядром интенсив ности в центре. Из теории диффузного рассеяния известно (см.
гл. |
II ), что |
каждую из сфер можно рассматривать как резуль |
тат |
наложения |
одной на другую двух о.д.р, также сферической |
формы, но разного размера. Одна из них обусловлена равноосны ми зонами ГП, другая - размерами и формой областей нарушений в матрице, в которых находятся зоны (эффект "дырок"). Дырки и зоны ГП дают рассеивание рентгеновских лучей с противополож ными фазами, поэтому общая интенсивность рассеяния определя ется разностью средних рассеивающих способностей атомов зон ГП и основной решетки кристалла.
На рис. 32 показана схема образования диффузных эффектов
на ренгенограммах сплава |
Al—Ag. |
На схеме изображены |
о.д.р. |
||
I и II |
типа, которые пересекаются тремя сферами отражения, |
||||
их радиусы равны соответственно |
l/Xj, 1 /^ , I A 3 1 |
где |
Xj, |
||
Л3 |
- длины волн характеристического излучения; |
А, А, А — |
|||
центры сферы отражения; |
000 - начало координат обратной решет- |
86
Р и с . 4 0 . Распределение диф фузного рассеяния вблизи узла обратной решетки
ки; S - направление первичного пучка; S' S", S'" - направ
ления рассеянных рентгеновских лучей. В результате пересечения областей диффузного рассеяния сферами отражения на рентгенов ской пленке получаются кольцевые диффузные эффекты (гало).
На рис. 40,а,в,д изображена схема распределения амплитуд интенсивности рассеяния около узла обратной решетки в случае, когда постоянные кристаллических решеток зон и матрицы сов
падают, а на |
рис. 40, б,г,е - когда они |
несколько отличаются |
( Н - вектор |
обратной решетки). Рис. |
40,а,в,д в то же время |
является схематическим изображением гало, возникающего при прохождении сферы отражения через узел обратной решетки. По
схеме размер о.д.р. II |
типа определяется величиной С^, |
т.е. |
|||
внешними |
краями гало, |
а размер о.д.р. I |
типа - расстоянием |
||
между максимумами почернения на гало |
0^. |
По размерам |
о.д.р. |
||
I и II |
типа находят |
величины зон ГП и “'дырок", а по раз |
|||
нице радиусов последних - ширину переходного |
слоя между |
мат>- |
|||
рицей и зонами. |
|
|
|
|
По сдвигу одной о.д.р. относительно другой можно определить величину постоянной кристаллической решетки зон ГП, если из вестна постоянная кристаллической решетки твердого раствора. Этот сдвиг равен ( х^—Х9 )/2 , где н х2 “ шиРина
гало в направлении от следа первичного пучка. Зная постоянную зон ГП, можно определить их состав по правилу Вегарда.
Г лав а IV
МЕТОДЫ МАЛОУГЛОВОГО ДИФФУЗНОГО РАССЕЯНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ
1. Особенности рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами
Из общей теории рассеяния известно, что если кристалл объ ема V состоит из N ячеек объема ѵ, то статистически распре деление центров этих ячеек в узлах кристаллической решетки приставляет собой ряд дельта-функций. Трансформанта Фурье
Z (Н ) |
также будет |
рядом дельта-функций в узлах обратной ре |
|||||||
шетки |
[ 2 |
] |
|
|
|
|
|
|
|
Z ( H ) = — |
2 |
|
s(H- w - |
|
|
||||
|
|
v hkl |
|
|
|
||||
a функция интерференции имеет тогда вид |
|
||||||||
КН) = |
|
2 8 |
(Й_Т* |
) |
I Z(H)l" |
|
|||
|
|
Ѵѵ hkl |
|
|
hkl |
|
|
|
|
Применяя |
свойство сверток, |
находим |
|
||||||
|
|
1 |
2 |
|
|
|
|
|
(4.1) |
І(Н)=-— |
|
V |
" - |
V |
I * ' |
||||
|
♦ |
Ѵv hk) I |
|
||||||
|
- |
суперпозиция |
последовательных совмещений макси |
||||||
где І( Н ) |
|||||||||
мумов функций |
1 |
|
( Н) Р |
|
соответствующих каждому узлу |
||||
|
2 |
|
обратной решетки. Эти узлы теперь будут окружены небольшой областью отражения, определяющейся размерами и формой цело
го кристалла. |
В центре |
каждой области, т.е. обычно в узлах |
|
( Н - rhkl ^ |
функция интерференции достигает максимального |
||
значения |
|
|
|
I(hkl) = |
V2. |
ѵ_ |
= N. |
|
v |
||
“Ѵѵ" |
|
||
Максимальное значение |
рассеивающей способности |
IN (hkl) =-N Fgk, 1(Н ) = N2 F2
hkl
Уменьшение размеров кристаллов приводит к расширению интер ференционной линии. Функция интерференции маленького кристалла
(40.) |
справедлива для кристаллов любой формы. В формуле |
(4.1) |
І( Н ) |
есть частное от деления рассеивающей способности |
ячей |
ки кристалла на квадрат структурного фактора, т.е. 1 (H ) = |
|
Поскольку области отражения узкие, то за F
п9 принять значение, которое этот фактор имеет в рассматриваемом
узле, т.е. FJ^ J ; 2 ( H ) — |
трансформанта Фурье функции формы |
||
кристалла 5 ( х )., равная |
единице внутри кристалла и нулю вне |
||
его. Функция 2 ( H) , ' даже |
для достаточно маленьких |
кристаллов, |
|
отличается от нуля только |
в том случае, если I ÎT I |
очень мало |
по сравнению с размерами ячейки обратной решетки. Отсюда сле дует, что для любой точки обратного пространства имеет значение только один член суммы (4.1), который соответствует узлу, наи более близкому к этой точке. Таким образом, обратное простран ство маленького кристалла образуется наложением центров этих небольших областей, которые все подобны [ 2 ] . ] Распределение интенсивности в каждой из этих областей отражения определяет ся выражением’ !2(Н)| 2, где Н - вектор, соединяющий точку обратного пространства с ближайшим узлом. Следует отметить,
что выражение Г2(Н)|2 |
обладает важным свойством: |
трансфор |
манта Фурье действительной функции сг(х) такова, что |
12(H) І=- |
= І2 (—Й)І , т.е. область отражения всегда центрально-симметрична.
На основе изложенного заключаем, что все узлы обратной ре
шетки малого |
кристалла, |
включая |
узел 0 0 0 |
, окружены одинаковы |
ми областями |
отражения. |
В связи |
с этим, |
согласно формуле |
(4.1 ), в непосредственной близости от начала обратной решетки рассеивающая способность, отнесенная к одной ячейке малого
кристалла, |
будет равна |
|
|
.*. |
р2 |
| 2 . , |
(4.2) |
КН) =•— 12(H) |
|||
Для очень |
малых углов F равно |
числу электронов на ячейку, и, |
|
следовательно, F /v |
представляет |
среднюю электронную плотность |
кристалла р. Таким образом, полная рассеивающая способность кри сталла равна
І\(Н)=-І і( Н ) — =р2 12(H)!2. 1 |
(4.3) . |
Центральный пик интенсивности, зависящий исключительно от внешней формы объекта, появляется для аморфных тел только в
центре рентгенограммы, тогда |
как для совершенных кристаллов |
|
он повторяется вокруг каждого |
узла. Прд. Н = 0 |
максимальная ин |
тенсивность пика равна . р2у2, |
ибо 2(H) = V |
— объему малого |
объекта (рѴ — общее число п |
электронов в объеме V). 1 Этот |