Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Ямалеев К.М. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей стареющими сплавами

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
3.92 Mб
Скачать

Р н с . 1 4 . Кривые распределения ин­ тенсивности рассеяния рентгеновских

лучей

в случае малых смещений уз­

лов обратной решетки зон ГП

(а) от

узлов

обратной решетки матрицы

("дырки") и результирующая

кривая

[ 2 8 ]

(б)'

 

1 - обусловленные рассеянием от зон ГП; 2 - рассеянием от "дырки"; 3 - интерференционным членом

Этот максимум экспериментально также трудно измерить из-за его близости к брэгговскому рефлексу от матрицы. Поэтому для сопоставления количественных расчетов с экспериментальными результатами нужно получить диффузный эффект (гало или серп с центральным диффузным пятном) с отклонением на некоторый угол от точного брэгговского положения Л Их. Тогда максимум интенсивности центрального диффузного пятна определяется умножением максимума интенсивности, вычисляемого по (1.29),

,2 д . 12

на е ” х; Здесь принято, что максимум центрального диффуз­ ного пятна совпадает с брэгговским максимумом от матрицы. Конечно, это не всегда верно, но отклонение одного от другого бывает настолько малым, что практически учесть это очень труі но. В этом случае максимум для диффузного кольца будет равен

 

о

l2

9

 

_ к 2 ( д н І1“ + л н

; )

L ѴВ

FB(I1)

 

 

 

 

 

здесь

12

Л* If-

 

ліГ"Ч ЛH X=

 

Так

как Fß(1I) =зец (Г1т 1В + гп2ВГ2)І11з.=эе'іі[Г2+тіВ(Г1_Г2)]Пз.

и F

(И)=зен ([1т 1д+ т 2д [2 )н

= « ц [f2 + т 1Д (fl _ f2 ^ Нд ■

ß

Ді

і

 

о

 

 

 

 

І;і ÖD

= - у * “ [f2 + ml B ( fl - W l"

‘ В:

 

 

 

 

 

 

 

 

9

о

 

 

мвмд

 

гд

 

 

 

N п

 

- 2эен Д—

О+

 

+ _ 3 2 “ ,|[f2 + -mi^(fi-f2) r

 

о

Н!

Ид.

ѵв ѵд

[f.

 

д

 

 

 

 

 

(1.30)

^ІВ^І—

Cf2 + т 1Д(Г1 - Г2^Нд.' '

 

 

 

Здесь se.I ]

- множитель, учитывающий базис

элементарной ячейки

кристаллической

решетки;

и fo

- функции атомного

рассея­

ния легирующего

и основного

компонентов; т^ в н гп^д -

концент­

рации легирующего компонента соответственно в зоне ГП и "дыр­ ке" (матрица). Для центрального диффузного пятна выражение приобретает вид

к-ДІІо"

о1 N B

*Ti [f- +тів<

N;i

 

—k“ All“

 

(1.31)

 

[ ( 9 +mi ^1 1

(*">) i

 

В случае

трехкомпонентного сплава формула (1.30) записы­

вается следующим образом:.

 

 

 

9

 

 

 

 

 

А В

 

 

9

+

1 ( | | ) = —

[f3 + m1B(f1f3) +4l2B(f2_f3)]“

 

V-

И

 

 

В;

l\

! J ^

-

9

 

 

+ ~

[

f3 + ral / l (fl —f3} + m23(f2 - f3) ] H

-

 

Д

 

 

i

 

о % \ ' l

 

 

 

 

- &7

BV- t f3 + ml B ^ l - f3)+m2B(f2_f3)]||B

^3+т1Д (fl - f3)+

+ ІП9 ’[(Ip —fo )] ..

>

(1.31a)

m l B » m 2B ' m 3B = l _ m l B ~ m 2B И т щ , т 2 д , т 3 д = 1- т 1д - ш 2д -

■концентрации атомов легирующих компонентов 1 и 2 атомов ос­

новного компонента в зонах и матрице соответственно. Формулы (1.30) и (1.31) позволяют определить концентрацию

зон ГП и матрицы ('дырки"), число зон в единице объема крис­ талла стареющего сплава (т.е. плотность зон ГП) и объемы элеме; тарных ячеек зон и матрицы.

3. Диффузное рассеяние в неоднородных, искаженных кристаллах

Дилатационные изменения в сплавах, которые происходят в процессе зародышеобразования, приводят к упругим искажениям окружающей матрицы. Степень их определяется соотношением упругих постоянных и отношением модулей упругости матрицы и ядра фазы выделения. Упругие искажения матрицы вокруг зар о ­ дышей новой фазы приводят к своеобразным диффузным рассея­ ниям рентгеновских лучей, изучение которых является одной из основных задач рентгенографии кристаллов. Багаряцкий [ 27,29] впервые сделал попытку учесть разницу в периодах решеток в ядре, оболочке и матрице. Им было предложено следующее вы­ ражение для амплитуды диффузного рассеяния:

Дд= n jIF B P B tR jU l-II^ g )] - FCP BtRl<H—Hhk]>G)] I

+

+^ 2 iFCPC СП2(И—nhk).C^—r MPc t R2(H—Rhkl,M^} *

Ü -32)

где Hj^] у, ІІ^ід в» ^hkl С

“ вектоРЬІ обратных реіИеток

областей

трех

типов; гд

и По -

числа атомов, соответствующих объему

ядра

и объему

всего комплекса. Функция Паттерсона [3 0 ]-

P(W) = P[H(U-Hhkl] = -J jP (llA k ))-

 

Выражение

(1.32) выведено без сторогого доказательства,

однако оно относительно правильно отражает существо дела, хотя в нем не учитываются появляющиеся вследствие разницы атомных объемов (периодов решеток) упругие неоднородные ис­

кажения (смещения ) атомов. Здесь диффузное рассеяние у разных узлов обратной решетки сохраняет вид полых оболочек, но уже несимметричных относительно соответствующих узлов как по положению максимума интенсивности, так и по величине интен­ сивности, причем эта асимметрия будет увеличиваться при уве­ личении порядка отражения. По диаметру оболочек и узлов об­ ратной решетки может быть определен размер (диаметр) комп­ лексов, по асимметрии интенсивности можно оценить величину Ла между ядром и оболочкой, что успешно сделано в работе

[29] для сплава состава Fe2NіAl.

Рассмотренная модель не учитывает возможности появления неоднородных искажений решетки вследствие разных атомных объемов. Нанлучшее согласие с опытом дает модель, представлен­ ная в работе Герольда [31] для сплава AI—Cif: центральная атом­ ная плоскость, параллельная ( 1 0 0 ), целиком состоит из атомов

меди; прилегающие к ней плоскости, состоящие из атомов алюми­ ния, смещены с исходных положений на ту или иную величину, при­ чем смещению подвергнуто значительное количество (до 15) плос­ костей с каждой стороны от центральной.

Расчет амплитуды диффузного рассеяния Ад

производится

по формуле

 

 

 

 

А д = 2Nf[Y 0

+ Y g - Y u],

 

V

1

г

1 .

fg - атомный фактор для

центральной

где Y0=~ [ — -

1 ],

плоскости зоны (состоящей в случае сплавов AI—Си из атомов

меди);

fg

- атомный фактор для окружающей матрицы (атомы

алюминия),’ Y

и Yu

зависят лишь от величин смещений атомных

плоскостей из6 положений, соответствующих средней решетке, и не зависят от fç и fg. 1 Отсюда видно, что при наличии аналогичных

образований в других сплавах с таким же расположением смеще­ ний, но с другими величинами fQ и fg величину Ад легко

получить простым смещением на графике оси абсцисс на величину

Yo

от положения, соответствующего

= 0

(сплошная линия на

рис.

15). Для сплава Cu-Be (fg= fge

и

^ =

положение

оси

абсцисс

отмечено пунктирной линией. При этом на рентгено­

грамме должны наблюдаться Длинные диффузные штрихи вдоль

<1 0 0

> , вытянутые от узлов средней решетки в сторону меньших

углов Ѳ ,

а не больших, как в случае

сплава

AI—Си.

Рассеяние рентгеновских лучей неоднородными твердыми раст­ ворами в более общем виде, но относительно подробно было рас­ смотрено в работах [32-34] . В них, в отличие от описанных , проделан расчет не только диффузного фона, но и изменений ин­ тенсивности селективных отражений с учетом следующих пред­ положений. В упругой изотропной матрице образуются выделения второй фазы, структура которых может быть такой же, как и у матрицы, пли отличаться от последней. Но при этом предполага­ ется, что на границе между матрицей и фазой выделения нет ка­

сательных напряжений, т.е. выделения действуют

как центры ди­

латации. Расчеты сделаны в континуальном приближении.

Как и в случае однородных твердых растворов, рассеяние

рентгеновских лучей можно представить острыми

5-образными

максимумами в положениях, соответствующих некоторой средней

Cu-ae

ЛІ-Cu.

Cu.-0e

ЯІ-Са

Р и с .

1 5 .

Амплитуда диффузного

рассеяния,

рассчитанная для слу­

чая зон

ГП

 

1

-

положение оси абсцисс для

9 о =0

; 2

-т о

же, для случая AI-Си

(<Л)= 0 ,5 )

и

Си—Ве(Ср0 = —0 ,4 4 ) .

Индекс Д относится к направлениям [likje ] с четными Іі и к; индекс и -( нечетными Іі и к

решетке, и диффузным фоном. Интенсивность, определяемая 5 -об­ разным максимумом, выражается формулой

I = 8 л3 ^ F2 e - MS (k ).

V

где к - отклонение от узла обратной решетки, соответствую­ щей средней решетке твердого раствора.

Представляют интерес выводы о характере изменения вели­ чины м в зависимости от различных параметров неоднородного твердого раствора (величины выделений, их объемной доли и т.д.).

Для случая малых искажений и малых индексов отражения (м а-

3

 

лых ГТ), когда сс2 п2 / 3 2

Ь?'<<1 0 , Для м справедливо выражение

і = 1

М =

2

2/3

3

I

 

,3/3

 

ЬГ + ‘О-

 

а.зз

гпц а ^п

2

 

 

 

 

 

 

 

І= 1

 

1 0

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

і= 1

 

 

 

где rrig

-

объемная

концентрация

 

выделений;

п

-

число

атомов

в зародыше;

h

-

индексы

отражения

( S lit"

пропор-

шгонально IL);

 

 

 

 

 

 

■І=1

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

■J6 И

,1

+ н

•IL

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

указывает

на степень искажения кристаллической решетки;

V

--=

для

гранецентрированной и ѵ ■=yj~2' для объемно-центри-

- эффективные атомные объемы выделения и матрицы.

В случае a2n2/S ^ Іі^. » Ю

4\/ 2тг

тг> (а2п2/3

)

3/4

м .~_.j-----

(1.34)

5

и

1

 

Выраженіи (1.33) и (1.34) выведены для случая, когда выделение имеет структуру, отличную от структуры матрицы, и вокруг него нет обедненного слоя. Из этих выражений видно, что интенсив­ ность селективных максимумов падает с ростом величины вы­ делений, их объемной доли, разности атомных объемов матрицы и выделения и с увеличением порядка отражения.

Можно учесть влияние на величину м обедненного слоя, появляющегося вокруг выделения, анизотропии упругих свойств кристалла и формы выделения. Наличие обедненного слоя может существенно уменьшить м.

Анизотропия кристалла в случае сферических выделений не

оказывает существенного влияния на величину

м ,

так

же как

и изменение их формы. Так,

при ß =

1/8

(

ß -

отношение

толщины диска выделения к его диаметру)

поправочный коэффи­

циент cp(ß) = 0,728; при

ß

= 1/125 cf(ß)

= 0,315

и лишь при

ß = 1/8000

поправочный коэффициент,

уменьшается весьма су­

щественно - до 0,0785. Аналогичный характер изменение

Cp(ß)

имеет при

ß >

1 , т.е. для игольчатых

выделений.

 

 

Учет формы выделения приводит к зависимости

м

не только

от величины

Н,

но и от

его направления. В

случае анизотроп­

ности упругих свойств кристалла эта зависимость наблюдается

не только в области промежуточных значений

И,

но и в пре­

дельном случае

больших

Н,

причем она существует и для рав­

новесных выделений. Амплитуда диффузного фона для случая сфе­ рических выделений имеет следующий вид:

А/Г ЗР3

у

Л(к,г)

НК

(1.35)

2 "

 

 

 

 

 

 

■де у

 

-

число атомов

в элементарной ячейке; Fg

- структур- .

гая амплитуда

матрицы;

xcosx —sinx

 

л (х) = ____________ характеризует

 

 

 

 

 

X3

 

колоколообразное распределение вокруг узлов матричной фазы

( к= 0

),

ширина которого убывает с ростом радиуса

( г ) заро­

дышей,

 

 

 

 

 

,

1

+ ц

Ѵ 1 - ѵ3

і

 

9(l-u) ѵз

Кроме того, должны наблюдаться максимумы у узлов фазы вы­ деления, амплитуда которых равна

А;г З І 'і- ч (kB>r).

 

(1.36)

->

характеризует

удаление

от узла обратной решетки

где I<ß

равномерно упругодеформированного

выделения.

Как следствие неоднородной деформации матрицы здесь появ­

ляется член

(второй член

в (1.35)),

приводящий к резкому воз­

растанию интенсивности диффузного фона вблизи узлов средней решетки матрицы (как в случае твердых растворов). Диффузное рассеяние, связанное с искажениями, растет с удалением от на­

чала обратной решетки

пропорционально II,

тогда

как интен­

сивность селективных

максимумов падает с

ростом

II. - Если

узлы обратной решетки матрицы и выделения будут близко рас­ положены (а это в основном имеет место на начальных стадиях превращения), то следует ожидать появления интерференционных эффектов, связанных с перекрытием максимумов диффузного рас­

сеяния

вокруг этих

узлов.

 

Можно провести

анализ изменения картины рассеяния для

случая

больших значений м,

соответствующих, как следует

из формул (1.33) и (1.34), увеличению размера выделений, по­ рядка отражения 2 h^ , объема, занятого выделениями, или ве­

личины а , характеризующей степень нскажеиности сплава. При

м » 1 интенсивность 5-образных максимумов, соответствующи средней решетке, и диффузный фон вокруг них, пропорциональный l:/k“, пропорциональны е ~ х, т.е. малы и экспериментально не будут обнаруживаться, как и в случае дефектов 2-го рода [35].

Однако

интегральная интенсивность

по ячейке обратной решетки

должна

равняться 2ттЗ—

F? . -Было показано, что интенсивность

 

V

3

максимумы. Кроме того,

фона сгущается в колоколообразные

по-прежнему, должны наблюдаться и максимумы, соответствуют! 1

узлам обратной решетки фазы вьщеления, определяемые формулоі (1.36). Центры, колоколообразных максимумов будут зависеть от положений максимумов средней решетки матрицы, окружающеі

выделение и имеющей атомный объем

Vj,

отличающийся от ато:

ного объема

ѵд матричной фазы того же состава,

но не со­

держащей выделений, на величину

Лѵ= 8

тт

^

с(с

- отношеш1,

 

 

 

 

 

1

+ Р

 

 

числа выделений к общему

числу атомов

кристалла). Для случая

равноосных

выделений с=

1 + ц

у,

—у.,

3

 

.

—------. ’ —Ч;—- г 0 1

Поправка Лѵ

 

 

9(1 —м J

 

ѵз

 

*

 

 

связана с однородной деформацией матрицы вследствие так на­ зываемых поверхностных сил зеркального изображения, явля­ ющихся результатом наличия в кристалле хаотически распреде­

ленных выделений. Наибольшая интенсивность этих диффузных мак­

симумов

равна I'11ах = 9,5М КГ./(\'Ш3,гае В = nißa' q (q

число

атомных

О

определяется как

плоскостей).

Интегральная ширина 2к

 

 

 

Р

4

3

ошрина распределения, заключенного в сфере объема

у = — тгк" ,

с

шах

 

 

3

СР

интенсивностью \ ^

и с той же интегральной интенсивностью,

что и рассматриваемое

распределение,

и равна 3,6 В. Таким

обра­

зом, эта ширина растет с ростом q,

величины искаженное™

а 1

и trig- 1

 

 

 

 

 

Изложенная теория справедлива для случая, когда зародыши

новой фазы в неискаженном состоянии

обладают такой же (куби­

ческой) симметрией, как и матрица, т.е. служат как бы центром дилатации. Однако во многих сплавах на самых начальных ста­ диях старения возможно появление в матрице зародышей с сим­ метрией, отличной от симметріи матрицы. В этом случае рас­ четы проводятся также в континуальном приближении, учитыва­

ется

анизотропия упругих свойств

кристалла [3 6 ]. Предполага­

ется,

что наибольший размер

L

зародыша значительно меньше

р - расстояния между ними. Это

позволяет пренебречь изменением

атомного объема исходной матрицы при выделении из нее заро­ дышей второй фазы, поэтому связанные с этим эффекты, напри­ мер асимметрия диффузных максимумов относительно узлов сред­ ней решетки, не рассматриваются. Разной рассеивающей спо­ собностью матрицы и зародышей также пренебрегают,,т.е. учи­ тываются лишь эффекты, связанные с возникновением вокруг зародышей полей упругих искажений.

Общая характеристика для интенсивности диффузного рассея­

ния в этом случае будет

 

 

 

 

 

 

 

1Л(Н)= V~2|ifTq)H

и (іГ)+ f(T)i2,

 

 

 

 

 

где Ti( k ) и f( k )

Фурье—компоненты поля смещений (из

положе­

ния средней решетки) атомов ti( Г)

и флюктуирующей части рас­

сеивающей способности

Д f ( г ).

 

 

 

 

 

 

 

Кристаллогеометрия

превращения

(изменение формы и сим­

метрии

превращенного

объема)

задается

тензором к0 ^>

опре-

деляющимся через деформацию

е 0

превращенного

объема при

отсутствии в нем внутренних напряжении

а

vu

-

г.

 

 

и,

 

ѵц

 

vpaß

ap

 

 

 

 

 

 

 

 

к 0

+ X

6 0

 

 

 

 

 

 

 

 

,ѵц ali

— константы упругости.

 

 

 

 

 

 

где X

 

 

 

 

 

 

 

Для интенсивности диффузного рассеяния,

лежащего

в на­

правлении осей симметрии, было получено следующее относитель­ но простое выражение:

 

 

 

• 9

 

Vr'R

NB S

[1 I£ s ( к)]~ач( к )

 

Ід(Н)=Г(чГ

 

(pv“)2 к

 

(1.3]

 

 

 

 

 

V“

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

V

- объем

элементарной ячейки;

Vg“ -

среднее квадрата

объема

выделений;

 

 

-

количество

выделений; р— плот­

ность

кристалла;

vs

- скорость звука

с поляризацией s; Е^(к)-

подяризационньш

вектор.

 

 

 

 

 

Величина

а

определяется из

выражения

 

v ß

-*•

ß

-*•

 

г)

и

-*■

 

 

(1.38

D Р ( к ) £ g( k ) = a s (k)k“ Es (k),

 

 

где

ПѴР ,7\

Vßn а

Ьм к

 

vßp а

есть

тензор

четвертого ранга

D

( к ) = А

 

,а А

ѵц aß

 

Знак

<•..'>

 

означает

усреднение

по всем ориента­

0 ^ к г > .

 

циям решетки

выделений

относительно решетки матрицы. Тензор

, i V | j a ß

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

л

А ^

г симметричен

относительно перестановок ѵ г м , a ? ß и

(ѵ,р )

-> (a

ß). Если

для

выделения равновероятны все возмож-

ные

ориентировки,

то

 

 

. upaß

 

 

тензор А

имеет симметрию матрицы и,

следовательно, столько же независимых компонентов, сколько тензор упругости AV|jaß . Для кубической матрицы А ^ ^ =д2222 _

-

АЗЗЗЗ = аі1;

ДІ122 = А1133 =.А2233 =аі2

и д 1212 = дІЗІЗ ш.

=

д2323_д j

 

обозначения

ац,а^2 11 а44

ВБедены по аналогии

С

 

111 1_

 

- 11'

ill 1 2 2 .

0 и

АІ2 1 2 =.

 

 

 

 

AJ

 

 

 

' 1 2

•44*

 

 

 

 

 

 

Выразив

ад

с

помощью уравнения

(1.38) через ар,а-|р

а ,,

и рѵ

2

с

 

 

ix

J.I

ѵдаР іт а

Р

 

помощью уравнения Кристоффеля л

kMk

е .=

44

“ г ’ s

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

9

 

через

Cjp

с ^ і разрешив уравнение

(1.37) относи­

 

рѵ^а3

 

тельно

1 < 2

для направлений симметрии

у узлов

обратной решет

(h| hr>h^),получаем выражения для радиусов изодиффузных поверз костей в направлениях [ 1 0 0 ], [ПО] и [Ш ]!

 

 

 

 

 

 

 

9

9

 

 

о

 

 

— 2

 

n

I

h

+ h

_

 

 

 

 

2

3

 

k2([100])~f(q)

9 all

+

 

'44

a44

 

 

 

 

 

c^

 

 

 

 

 

 

 

 

1

1

 

 

 

 

 

k2([110])~f(q)2

 

(hj +I1

2 )

 

(aH + a 1 2

+'2 a ^ ) +

((<11+

12 + “c44

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

+ М

v9

,

 

ч

 

h3 a44

 

У Ü-39)

,

- с 1

^al l _a12^ +

 

 

 

1 1

 

 

 

 

 

44

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9

 

 

2\

(hi+h2 + ho)

 

 

к ([111])~ f(q) ]

 

 

 

 

g

(a, 1+al 2+^a44^+

 

 

 

 

(с11+с12+4с44Г

 

 

 

2

 

2

2

) -(h jh o + h^n^ + h^h^)]

 

2

/,h j

^

2 + ^

3

 

+ ---------------------------^

----------------

(al l “ a12+a44)

 

( C 1 1

— C 1 2

+;c4 4 ^ 2

 

 

 

 

Полученные результаты позволяют в ряде случаев просто оце­ нить радиусы изодиффузных поверхностей в направлениях симмет­ ріи для различных случаев кристаллогеометрических соотношений и модулей упругости кристалла. Следует отметить, что, как и для равновесных твердых растворов, иная симметрия центров ис­ кажений (в нашем случае зародышей новой фазы) приводит к по­ явлению более сложного рассеяния, чем в тех случаях, когда за­ родыши являются центрами дилатации. Как это следует из ряда описанных работ и из выражений (1.39), изодиффузные поверхнос­ ти имеют характер лемнискат, проходящих через соответствую­ щий узел обратной решетки. Если же симметрия зародыша отлич­ на от симметрии исходной матрицы, то нзодиффузные поверхности имеют эллипсоидальный характер, с узлом обратной решетки в центре. Направления, в которых вытянуты эти эллипсоиды, опре­ деляются как характером изменения формы исходной матрицы при образовании зародыша, так и типом анизотропии упругих свойств матрицы.

4 . Диффузное рассеяние в сплавах с модулированной структурой

В отличие от изложенного в предыдущем разделе рассмотрим случай, когда количество зародышей в матрице велико и поэтому

справедливо предположение L « a . • Чаще всего это приводит к

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ