книги из ГПНТБ / Ямалеев К.М. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей стареющими сплавами
.pdfР н с . 1 4 . Кривые распределения ин тенсивности рассеяния рентгеновских
лучей |
в случае малых смещений уз |
|
лов обратной решетки зон ГП |
(а) от |
|
узлов |
обратной решетки матрицы |
|
("дырки") и результирующая |
кривая |
|
[ 2 8 ] |
(б)' |
|
1 - обусловленные рассеянием от зон ГП; 2 - рассеянием от "дырки"; 3 - интерференционным членом
Этот максимум экспериментально также трудно измерить из-за его близости к брэгговскому рефлексу от матрицы. Поэтому для сопоставления количественных расчетов с экспериментальными результатами нужно получить диффузный эффект (гало или серп с центральным диффузным пятном) с отклонением на некоторый угол от точного брэгговского положения Л Их. Тогда максимум интенсивности центрального диффузного пятна определяется умножением максимума интенсивности, вычисляемого по (1.29),
,2 д . 12
на е ” х; Здесь принято, что максимум центрального диффуз ного пятна совпадает с брэгговским максимумом от матрицы. Конечно, это не всегда верно, но отклонение одного от другого бывает настолько малым, что практически учесть это очень труі но. В этом случае максимум для диффузного кольца будет равен
|
о |
l2 |
9 |
|
_ к 2 ( д н І1“ + л н |
; ) |
|
L ѴВ |
FB(I1) |
|
|
|
|
|
|
здесь |
12 |
Л* If- |
|
ліГ"Ч ЛH X= |
|
||
Так |
как Fß(1I) =зец (Г1т 1В + гп2ВГ2)І11з.=эе'іі[Г2+тіВ(Г1_Г2)]Пз. |
||
и F |
(И)=зен ([1т 1д+ т 2д [2 )н |
= « ц [f2 + т 1Д (fl _ f2 ^ Нд ■ |
ß |
Ді |
і |
|
"В |
о |
|
|
|
|
І;і ÖD |
= - у * “ [f2 + ml B ( fl - W l" |
‘ В: |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
9 |
о |
|
|
мвмд |
|
|
гд |
|
|
|
|||
N п |
|
- 2эен Д— |
О+ |
|
||
+ _ 3 2 “ ,|[f2 + -mi^(fi-f2) r |
|
|||||
о |
Н! |
Ид. |
ѵв ѵд |
[f. |
|
|
д |
|
|
|
|
|
(1.30) |
^ІВ^І— |
Cf2 + т 1Д(Г1 - Г2^Нд.' ' |
|
||||
|
|
|||||
Здесь se.I ] |
- множитель, учитывающий базис |
элементарной ячейки |
||||
кристаллической |
решетки; |
и fo |
- функции атомного |
рассея |
||
ния легирующего |
и основного |
компонентов; т^ в н гп^д - |
концент |
рации легирующего компонента соответственно в зоне ГП и "дыр ке" (матрица). Для центрального диффузного пятна выражение приобретает вид
к-ДІІо"
о1 N B
*Ti [f- +тів<
N;i |
|
—k“ All“ |
|
(1.31) |
|
|
[ ( 9 +mi ^1 1 |
(*">) i |
|
||
В случае |
трехкомпонентного сплава формула (1.30) записы |
||||
вается следующим образом:. |
|
|
|||
|
9 |
|
|
|
|
|
А В |
|
|
9 |
+ |
1 ( | | ) = — |
[f3 + m1B(f1f3) +4l2B(f2_f3)]“ |
||||
|
V- |
И |
|
|
В; |
l\ |
! J ^ |
- |
9 |
|
|
+ ~ |
[ |
f3 + ral / l (fl —f3} + m23(f2 - f3) ] H |
- |
|
|
Д |
|
|
i |
|
|
о % \ ' l |
|
|
|
|
|
- &7 |
BV- t f3 + ml B ^ l - f3)+m2B(f2_f3)]||B |
^3+т1Д (fl - f3)+ |
+ ІП9 ’[(Ip —fo )] .. |
> |
(1.31a) |
m l B » m 2B ' m 3B = l _ m l B ~ m 2B И т щ , т 2 д , т 3 д = 1- т 1д - ш 2д -
■концентрации атомов легирующих компонентов 1 и 2 атомов ос
новного компонента в зонах и матрице соответственно. Формулы (1.30) и (1.31) позволяют определить концентрацию
зон ГП и матрицы ('дырки"), число зон в единице объема крис талла стареющего сплава (т.е. плотность зон ГП) и объемы элеме; тарных ячеек зон и матрицы.
3. Диффузное рассеяние в неоднородных, искаженных кристаллах
Дилатационные изменения в сплавах, которые происходят в процессе зародышеобразования, приводят к упругим искажениям окружающей матрицы. Степень их определяется соотношением упругих постоянных и отношением модулей упругости матрицы и ядра фазы выделения. Упругие искажения матрицы вокруг зар о дышей новой фазы приводят к своеобразным диффузным рассея ниям рентгеновских лучей, изучение которых является одной из основных задач рентгенографии кристаллов. Багаряцкий [ 27,29] впервые сделал попытку учесть разницу в периодах решеток в ядре, оболочке и матрице. Им было предложено следующее вы ражение для амплитуды диффузного рассеяния:
Дд= n jIF B P B tR jU l-II^ g )] - FCP BtRl<H—Hhk]>G)] I |
+ |
|||
+^ 2 iFCPC СП2(И—nhk).C^—r MPc t R2(H—Rhkl,M^} * |
Ü -32) |
|||
где Hj^] у, ІІ^ід в» ^hkl С |
“ вектоРЬІ обратных реіИеток |
областей |
||
трех |
типов; гд |
и По - |
числа атомов, соответствующих объему |
|
ядра |
и объему |
всего комплекса. Функция Паттерсона [3 0 ]- |
||
P(W) = P[H(U-Hhkl] = -J jP (llA k ))- |
|
|||
Выражение |
(1.32) выведено без сторогого доказательства, |
однако оно относительно правильно отражает существо дела, хотя в нем не учитываются появляющиеся вследствие разницы атомных объемов (периодов решеток) упругие неоднородные ис
кажения (смещения ) атомов. Здесь диффузное рассеяние у разных узлов обратной решетки сохраняет вид полых оболочек, но уже несимметричных относительно соответствующих узлов как по положению максимума интенсивности, так и по величине интен сивности, причем эта асимметрия будет увеличиваться при уве личении порядка отражения. По диаметру оболочек и узлов об ратной решетки может быть определен размер (диаметр) комп лексов, по асимметрии интенсивности можно оценить величину Ла между ядром и оболочкой, что успешно сделано в работе
[29] для сплава состава Fe2NіAl.
Рассмотренная модель не учитывает возможности появления неоднородных искажений решетки вследствие разных атомных объемов. Нанлучшее согласие с опытом дает модель, представлен ная в работе Герольда [31] для сплава AI—Cif: центральная атом ная плоскость, параллельная ( 1 0 0 ), целиком состоит из атомов
меди; прилегающие к ней плоскости, состоящие из атомов алюми ния, смещены с исходных положений на ту или иную величину, при чем смещению подвергнуто значительное количество (до 15) плос костей с каждой стороны от центральной.
Расчет амплитуды диффузного рассеяния Ад |
производится |
||||
по формуле |
|
|
|
|
|
А д = 2Nf[Y 0 |
+ Y g - Y u], |
|
|||
V |
1 |
г |
1 . |
fg - атомный фактор для |
центральной |
где Y0=~ [ — - |
1 ], |
||||
плоскости зоны (состоящей в случае сплавов AI—Си из атомов |
|||||
меди); |
fg |
- атомный фактор для окружающей матрицы (атомы |
|||
алюминия),’ Y |
и Yu |
зависят лишь от величин смещений атомных |
плоскостей из6 положений, соответствующих средней решетке, и не зависят от fç и fg. 1 Отсюда видно, что при наличии аналогичных
образований в других сплавах с таким же расположением смеще ний, но с другими величинами fQ и fg величину Ад легко
получить простым смещением на графике оси абсцисс на величину
Yo |
от положения, соответствующего |
= 0 |
(сплошная линия на |
||
рис. |
15). Для сплава Cu-Be (fg= fge |
и |
^ = |
положение |
|
оси |
абсцисс |
отмечено пунктирной линией. При этом на рентгено |
|||
грамме должны наблюдаться Длинные диффузные штрихи вдоль |
|||||
<1 0 0 |
> , вытянутые от узлов средней решетки в сторону меньших |
||||
углов Ѳ , |
а не больших, как в случае |
сплава |
AI—Си. |
Рассеяние рентгеновских лучей неоднородными твердыми раст ворами в более общем виде, но относительно подробно было рас смотрено в работах [32-34] . В них, в отличие от описанных , проделан расчет не только диффузного фона, но и изменений ин тенсивности селективных отражений с учетом следующих пред положений. В упругой изотропной матрице образуются выделения второй фазы, структура которых может быть такой же, как и у матрицы, пли отличаться от последней. Но при этом предполага ется, что на границе между матрицей и фазой выделения нет ка
сательных напряжений, т.е. выделения действуют |
как центры ди |
латации. Расчеты сделаны в континуальном приближении. |
|
Как и в случае однородных твердых растворов, рассеяние |
|
рентгеновских лучей можно представить острыми |
5-образными |
максимумами в положениях, соответствующих некоторой средней
Cu-ae
ЛІ-Cu.
Cu.-0e
ЯІ-Са
Р и с . |
1 5 . |
Амплитуда диффузного |
||
рассеяния, |
рассчитанная для слу |
|||
чая зон |
ГП |
|
||
1 |
- |
положение оси абсцисс для |
||
9 о =0 |
; 2 |
-т о |
же, для случая AI-Си |
|
(<Л)= 0 ,5 ) |
и |
Си—Ве(Ср0 = —0 ,4 4 ) . |
Индекс Д относится к направлениям [likje ] с четными Іі и к; индекс и -( нечетными Іі и к
решетке, и диффузным фоном. Интенсивность, определяемая 5 -об разным максимумом, выражается формулой
I = 8 л3 ^ F2 e - MS (k ).
V
где к - отклонение от узла обратной решетки, соответствую щей средней решетке твердого раствора.
Представляют интерес выводы о характере изменения вели чины м в зависимости от различных параметров неоднородного твердого раствора (величины выделений, их объемной доли и т.д.).
Для случая малых искажений и малых индексов отражения (м а- |
|
3 |
|
лых ГТ), когда сс2 п2 / 3 2 |
Ь?'<<1 0 , Для м справедливо выражение |
і = 1 |
‘ |
М = |
2 |
2/3 |
3 |
I |
|
,3/3 |
|
ЬГ + ‘О- |
|
а.зз |
|
гпц а ^п |
2 |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
І= 1 |
|
1 0 |
0 |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
і= 1 |
|
|
|
||
где rrig |
- |
объемная |
концентрация |
|
выделений; |
п |
- |
число |
|||
атомов |
в зародыше; |
h |
- |
индексы |
отражения |
( S lit" |
пропор- |
||||
шгонально IL); |
|
|
|
|
|
|
■І=1 |
1 |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
3/ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
■J6 И |
,1 |
+ н |
•IL |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
а |
указывает |
на степень искажения кристаллической решетки; |
|
V |
--= |
для |
гранецентрированной и ѵ ■=yj~2' для объемно-центри- |
- эффективные атомные объемы выделения и матрицы.
В случае a2n2/S ^ Іі^. » Ю
4\/ 2тг |
тг> (а2п2/3 |
) |
3/4 |
|
м .~_.j----- |
(1.34) |
|||
5 |
и |
1 |
||
|
Выраженіи (1.33) и (1.34) выведены для случая, когда выделение имеет структуру, отличную от структуры матрицы, и вокруг него нет обедненного слоя. Из этих выражений видно, что интенсив ность селективных максимумов падает с ростом величины вы делений, их объемной доли, разности атомных объемов матрицы и выделения и с увеличением порядка отражения.
Можно учесть влияние на величину м обедненного слоя, появляющегося вокруг выделения, анизотропии упругих свойств кристалла и формы выделения. Наличие обедненного слоя может существенно уменьшить м.
Анизотропия кристалла в случае сферических выделений не
оказывает существенного влияния на величину |
м , |
так |
же как |
||||||
и изменение их формы. Так, |
при ß = |
1/8 |
( |
ß - |
отношение |
||||
толщины диска выделения к его диаметру) |
поправочный коэффи |
||||||||
циент cp(ß) = 0,728; при |
ß |
= 1/125 cf(ß) |
= 0,315 |
и лишь при |
|||||
ß = 1/8000 |
поправочный коэффициент, |
уменьшается весьма су |
|||||||
щественно - до 0,0785. Аналогичный характер изменение |
Cp(ß) |
||||||||
имеет при |
ß > |
1 , т.е. для игольчатых |
выделений. |
|
|
||||
Учет формы выделения приводит к зависимости |
м |
не только |
|||||||
от величины |
Н, |
но и от |
его направления. В |
случае анизотроп |
|||||
ности упругих свойств кристалла эта зависимость наблюдается |
|||||||||
не только в области промежуточных значений |
И, |
но и в пре |
|||||||
дельном случае |
больших |
Н, |
причем она существует и для рав |
новесных выделений. Амплитуда диффузного фона для случая сфе рических выделений имеет следующий вид:
А/Г ЗР3 |
у |
Л(к,г) |
НК |
(1.35) |
|||
"к2 " |
|||||||
|
|
|
|
|
|
||
■де у |
|
- |
число атомов |
в элементарной ячейке; Fg |
- структур- . |
||
гая амплитуда |
матрицы; |
xcosx —sinx |
|
||||
л (х) = ____________ характеризует |
|||||||
|
|
|
|
|
X3 |
|
|
колоколообразное распределение вокруг узлов матричной фазы |
|||||||
( к= 0 |
), |
ширина которого убывает с ростом радиуса |
( г ) заро |
||||
дышей, |
|
|
|
|
|
||
, |
1 |
+ ц |
Ѵ 1 - ѵ3 |
і |
|
9(l-u) ѵз
Кроме того, должны наблюдаться максимумы у узлов фазы вы деления, амплитуда которых равна
А;г З І 'і- ч (kB>r). |
|
(1.36) |
|
-> |
характеризует |
удаление |
от узла обратной решетки |
где I<ß |
|||
равномерно упругодеформированного |
выделения. |
||
Как следствие неоднородной деформации матрицы здесь появ |
|||
ляется член |
(второй член |
в (1.35)), |
приводящий к резкому воз |
растанию интенсивности диффузного фона вблизи узлов средней решетки матрицы (как в случае твердых растворов). Диффузное рассеяние, связанное с искажениями, растет с удалением от на
чала обратной решетки |
пропорционально II, |
тогда |
как интен |
сивность селективных |
максимумов падает с |
ростом |
II. - Если |
узлы обратной решетки матрицы и выделения будут близко рас положены (а это в основном имеет место на начальных стадиях превращения), то следует ожидать появления интерференционных эффектов, связанных с перекрытием максимумов диффузного рас
сеяния |
вокруг этих |
узлов. |
|
Можно провести |
анализ изменения картины рассеяния для |
||
случая |
больших значений м, |
соответствующих, как следует |
из формул (1.33) и (1.34), увеличению размера выделений, по рядка отражения 2 h^ , объема, занятого выделениями, или ве
личины а , характеризующей степень нскажеиности сплава. При
м » 1 интенсивность 5-образных максимумов, соответствующи средней решетке, и диффузный фон вокруг них, пропорциональный l:/k“, пропорциональны е ~ х, т.е. малы и экспериментально не будут обнаруживаться, как и в случае дефектов 2-го рода [35].
Однако |
интегральная интенсивность |
по ячейке обратной решетки |
|
должна |
равняться 2ттЗ— |
F? . -Было показано, что интенсивность |
|
|
V |
3 |
максимумы. Кроме того, |
фона сгущается в колоколообразные |
по-прежнему, должны наблюдаться и максимумы, соответствуют! 1
узлам обратной решетки фазы вьщеления, определяемые формулоі (1.36). Центры, колоколообразных максимумов будут зависеть от положений максимумов средней решетки матрицы, окружающеі
выделение и имеющей атомный объем |
Vj, |
отличающийся от ато: |
||||||
ного объема |
ѵд матричной фазы того же состава, |
но не со |
||||||
держащей выделений, на величину |
Лѵ= 8 |
тт |
^ |
с(с |
- отношеш1, |
|||
|
|
|
|
|
1 |
+ Р |
|
|
числа выделений к общему |
числу атомов |
кристалла). Для случая |
||||||
равноосных |
выделений с= |
1 + ц |
у, |
—у., |
3 |
|
. |
|
—------. ’ —Ч;—- г 0 • 1 |
Поправка Лѵ |
|||||||
|
|
9(1 —м J |
|
ѵз |
|
* |
|
|
связана с однородной деформацией матрицы вследствие так на зываемых поверхностных сил зеркального изображения, явля ющихся результатом наличия в кристалле хаотически распреде
ленных выделений. Наибольшая интенсивность этих диффузных мак
симумов |
равна I'11ах = 9,5М КГ./(\'Ш3,гае В = nißa' q (q |
число |
||
атомных |
/і |
О |
определяется как |
|
плоскостей). |
Интегральная ширина 2к |
|
|
|
Р |
4 |
3 |
ошрина распределения, заключенного в сфере объема |
у = — тгк" , |
||||
с |
шах |
|
|
3 |
СР |
интенсивностью \ ^ |
и с той же интегральной интенсивностью, |
||||
что и рассматриваемое |
распределение, |
и равна 3,6 В. Таким |
обра |
||
зом, эта ширина растет с ростом q, |
величины искаженное™ |
||||
а 1 |
и trig- 1 |
|
|
|
|
|
Изложенная теория справедлива для случая, когда зародыши |
||||
новой фазы в неискаженном состоянии |
обладают такой же (куби |
ческой) симметрией, как и матрица, т.е. служат как бы центром дилатации. Однако во многих сплавах на самых начальных ста диях старения возможно появление в матрице зародышей с сим метрией, отличной от симметріи матрицы. В этом случае рас четы проводятся также в континуальном приближении, учитыва
ется |
анизотропия упругих свойств |
кристалла [3 6 ]. Предполага |
|
ется, |
что наибольший размер |
L |
зародыша значительно меньше |
р - расстояния между ними. Это |
позволяет пренебречь изменением |
атомного объема исходной матрицы при выделении из нее заро дышей второй фазы, поэтому связанные с этим эффекты, напри мер асимметрия диффузных максимумов относительно узлов сред ней решетки, не рассматриваются. Разной рассеивающей спо собностью матрицы и зародышей также пренебрегают,,т.е. учи тываются лишь эффекты, связанные с возникновением вокруг зародышей полей упругих искажений.
Общая характеристика для интенсивности диффузного рассея
ния в этом случае будет |
|
|
|
|
|
|
|
||||
1Л(Н)= V~2|ifTq)H |
и (іГ)+ f(T)i2, |
|
|
|
|
|
|||||
где Ti( k ) и f( k ) |
Фурье—компоненты поля смещений (из |
положе |
|||||||||
ния средней решетки) атомов ti( Г) |
и флюктуирующей части рас |
||||||||||
сеивающей способности |
Д f ( г ). |
|
|
|
|
|
|
|
|||
Кристаллогеометрия |
превращения |
(изменение формы и сим |
|||||||||
метрии |
превращенного |
объема) |
задается |
тензором к0 ^> |
опре- |
||||||
деляющимся через деформацию |
е 0 |
превращенного |
объема при |
||||||||
отсутствии в нем внутренних напряжении |
а |
vu |
- |
г. |
|
||||||
|
и, |
|
|||||||||
ѵц |
|
vpaß |
ap |
|
|
|
|
|
|
|
|
к 0 |
+ X |
6 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
,ѵц ali |
— константы упругости. |
|
|
|
|
|
|
||||
где X |
|
|
|
|
|
|
|
||||
Для интенсивности диффузного рассеяния, |
лежащего |
в на |
правлении осей симметрии, было получено следующее относитель но простое выражение:
|
|
|
• 9 |
|
Vr'R |
NB S |
[1 I£ s ( к)]~ач( к ) |
|
||||
Ід(Н)=Г(чГ |
|
(pv“)2 к |
|
(1.3] |
||||||||
|
|
|
|
|
V“ |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
где |
V |
- объем |
элементарной ячейки; |
Vg“ - |
среднее квадрата |
|||||||
объема |
выделений; |
|
|
- |
количество |
выделений; р— плот |
||||||
ность |
кристалла; |
vs |
- скорость звука |
с поляризацией s; Е^(к)- |
||||||||
подяризационньш |
вектор. |
|
|
|
|
|
||||||
Величина |
а |
определяется из |
выражения |
|
||||||||
v ß |
-*• |
ß |
-*• |
|
— |
г) |
и |
-*■ |
|
|
(1.38 |
|
D Р ( к ) £ g( k ) = a s (k)k“ Es (k), |
|
|
||||||||||
где |
ПѴР ,7\ |
Vßn а |
Ьм к |
|
vßp а |
есть |
тензор |
четвертого ранга |
||||
D |
( к ) = А |
|
,а А |
|||||||||
ѵц aß |
|
Знак |
<•..'> |
|
означает |
усреднение |
по всем ориента |
|||||
<к0 ^ к г > . |
|
|||||||||||
циям решетки |
выделений |
относительно решетки матрицы. Тензор |
||||||||||
, i V | j a ß |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
л |
|
А ^ |
г симметричен |
относительно перестановок ѵ г м , a ? ß и |
||||||||||
(ѵ,р ) |
-> (a |
ß). Если |
для |
выделения равновероятны все возмож- |
||||||||
ные |
ориентировки, |
то |
|
|
. upaß |
|
|
|||||
тензор А |
имеет симметрию матрицы и, |
следовательно, столько же независимых компонентов, сколько тензор упругости AV|jaß . Для кубической матрицы А ^ ^ =д2222 _
- |
АЗЗЗЗ = аі1; |
ДІ122 = А1133 =.А2233 =аі2 |
и д 1212 = дІЗІЗ ш. |
|||||||||
= |
д2323_д j |
|
обозначения |
ац,а^2 11 а44 |
ВБедены по аналогии |
|||||||
С |
|
111 1_ |
|
- 11' |
ill 1 2 2 . |
0 и |
АІ2 1 2 =. |
|
|
|
|
|
AJ |
|
|
|
' 1 2 |
•44* |
|
|
|
|
|||
|
|
Выразив |
ад |
с |
помощью уравнения |
(1.38) через ар,а-|р |
||||||
а ,, |
и рѵ |
2 |
с |
|
|
ix |
J.I |
ѵдаР іт а |
Р |
|||
|
помощью уравнения Кристоффеля л |
kMk |
е .= |
|||||||||
44 |
“ г ’ s |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
= |
|
9 |
|
через |
Cjp |
с ^ і разрешив уравнение |
(1.37) относи |
|||||
|
рѵ^а3 |
|
||||||||||
тельно |
1 < 2 |
для направлений симметрии |
у узлов |
обратной решет |
(h| hr>h^),получаем выражения для радиусов изодиффузных поверз костей в направлениях [ 1 0 0 ], [ПО] и [Ш ]!
|
|
|
|
|
|
|
9 |
9 |
|
|
|
о |
|
|
— 2 |
|
n |
I |
h |
+ h |
_ |
|
|
|
|
|
2 |
3 |
|
||||||
k2([100])~f(q) |
9 all |
+ |
|
'44 |
a44 |
|
|||||
|
|
|
|
c^ |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
1 |
1 |
|
|
|
|
|
|
k2([110])~f(q)2 |
|
(hj +I1 |
2 ) |
|
(aH + a 1 2 |
+'2 a ^ ) + |
|||||
((<11+ |
12 + “c44 |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
• |
+ М |
v9 |
, |
|
ч |
|
h3 a44 |
|
У Ü-39) |
||
, |
- с 1 |
^al l _a12^ + |
|
|
|
||||||
(с1 1 |
2У |
|
|
|
|
|
44 |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
9 |
|
|
2\ |
(hi+h2 + ho) |
|
|
|||||
к ([111])~ f(q) ] |
|
|
|
|
g |
(a, 1+al 2+^a44^+ |
|||||
|
|
|
|
(с11+с12+4с44Г |
|
|
|||||
|
2 |
|
2 |
2 |
) -(h jh o + h^n^ + h^h^)] |
|
|||||
2 |
/,h j |
^ |
2 + ^ |
3 |
|
||||||
+ ---------------------------^ |
— |
---------------- |
(al l “ a12+a44) |
||||||||
|
( C 1 1 |
— C 1 2 |
+;c4 4 ^ 2 |
|
|
|
|
Полученные результаты позволяют в ряде случаев просто оце нить радиусы изодиффузных поверхностей в направлениях симмет ріи для различных случаев кристаллогеометрических соотношений и модулей упругости кристалла. Следует отметить, что, как и для равновесных твердых растворов, иная симметрия центров ис кажений (в нашем случае зародышей новой фазы) приводит к по явлению более сложного рассеяния, чем в тех случаях, когда за родыши являются центрами дилатации. Как это следует из ряда описанных работ и из выражений (1.39), изодиффузные поверхнос ти имеют характер лемнискат, проходящих через соответствую щий узел обратной решетки. Если же симметрия зародыша отлич на от симметрии исходной матрицы, то нзодиффузные поверхности имеют эллипсоидальный характер, с узлом обратной решетки в центре. Направления, в которых вытянуты эти эллипсоиды, опре деляются как характером изменения формы исходной матрицы при образовании зародыша, так и типом анизотропии упругих свойств матрицы.
4 . Диффузное рассеяние в сплавах с модулированной структурой
В отличие от изложенного в предыдущем разделе рассмотрим случай, когда количество зародышей в матрице велико и поэтому
справедливо предположение L « a . • Чаще всего это приводит к