Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Мишин Д.Д. Процессы намагничивания и перемагничивания в магнетиках конспект лекций

.pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
4.22 Mб
Скачать

oo^i

ud-g,

" c t j

(4-29)

Тогда (4-28)

C*=

(ffiftcas'tte**f+*£o4H^f(c^Bk^f^

Если мы ограничимся первыми членами для £ <j , то

f f * - - 9.К^3(4-Л*).

(4-31)

Тогда

 

Сх= ^^[i-iioL^A

i * l - *l *

- 39 -

(4-32)

Для поликристаллических магнетиков усреднение по всевозможный кри­ сталлическим ориентациям дает

 

 

*

*

/

 

 

 

 

 

аС;

об/

 

 

 

 

отсюда

с1

* Ч к \ { } - % (

«

3

)

 

Подставляя в

( 4 - 2 7 ) , получим

^ ' з ^ у 1 t

 

 

 

Зависимость

намагниченности

от величины поля Н в области

силь­

ных полей, называемую часто законом приближения к насыщению!, мож­ но записать следующий-образом

•&~'hl& + %+-•)+>*• ' (4-35) Экспериментальные результаты представлены на рис. 4-8,' и 4-6 .

По этим экспериментальным результатам были получены значе­ ния констант магнитокристаллической анизотропии для железа и нике­ ля

/Л,/

* 4,14

,

3,98 х I O 4 J/m*

,

/ Я , /

- 5 , 0

,

4,66 X I O 8 J/m>

(Ж),

Этж величины очень близки к значениям, полученным другим независи мым методом. По ч л е н у ^ они связаны с напряжениями в магнетике из - -за наличия дислокации (по Брауну) или с немагнитными включениями (по Неелю).

Глава пятая НЕОБРАТИМЫЕ ПРОЦЕССЫ НАМАШтЧИВАНИЯ И ПЕРЕМАПШИВЛМ1Я

Необратимость процеосов намагничивания и перемагничивания является одной из самых главных особенностей магнетиков. Необрати­ мые процессы з магнетиках разнообразны. Большое разнообразие необ­ ратимых процеосов перемагничивания было выявлено благодаря раэви -

- 40 -

тию целого раздела современной физики структурно-чувствительных свойств магнетиков. Широкое распространение магнитных материалов в различных вакнейших областях современной техники стало возмож­ ным благодаря разработке этого раздела физики,

§5 - 1 . Необратимое смещение доменной границы

Вмалых магнетиках, содержащих дефекты кристаллической решет ­ ки, плотность энергии доменной границы зависит от ее положения.

Причем эта зависимость уожет быть сложной, например, такой,как по­ казано на рис.5-1.Равновесному состоянию доменной границы будет

соответствовать ее минимальная

плотность

граничной энергии

в

точке

S0

. Под действием внешнего

магнитного поля Н доменная

граница

будет

испытывать давление

Р= 2IS

И Cos в"

. Под действием

этого давления доменная граница в зависимости от величины

напря -

женности

поля

Н сместится из

положения

5„

в положение

5, ,

5Z

либо

$ 3

. Если под действием

 

поля

Л граница

смещается до

положе­

ния

S, , то при уменьшении поля доменная граница вернетоя

в

исход­

ное положение

, т . е . смещение границы

будет обратимым.

Если же

величина действующего поля значительна и доменная граница достиг­ нет положения I ю при уменьшении поля граница уже не может вернуться в исходное полокение.Она расположатся в близлежащем мини­ муме и не вернется в исходное положение. Процесс смещения онажется

необратимым. Необходимым условием необратимого оыещения является

наличие максимума на кривой

ft- ^(s)

и достижение величины поля

Н0> называемого критическим

полем.

 

 

н°=

гт/соьв-

( 5 _ 1 )

 

Если допустить, что зависимость плотности граничной энер­

гии от

положения

границы в магнетике

обусловлена главным

образом

внутренними упругими напряжениями, то максимум градиента

(<Ц£

может

быть вычислен по формуле

 

° ^

где

& -

ширина доменной границы,

-

амплитуда

внутренних

напряжений,

Л - магнитострикция,

& -

длина волны

упругих на-

- 42 -

1

1

1

1

\и

 

 

 

У

 

— r " ^ 1

1

1

0

30u

60u

90u

Рис.5-1. Зависимость энергии 90?ндоиенной границн от кристаллографической решётки

Рис. 5-2. Ориентация ней доменной границы

типа

180°-й {ТОО}

и дислокационной петли,случая А - I , р, «J.

-

стороны ди­

слокационной петли,б -ширина границы,

d

-

толщина

листа образца

 

 

 

- 43 -

 

 

 

пряжений.

 

 

 

 

 

 

 

 

Если при

смещении площадь границы не

изменяется,

то

 

 

^

f

'

 

(5-9

При уменьшении

С

критическое

поле

увеличивается. При очень

малых £

, когда

l

« S , формула

(5-3)

не выполняется. Опыт

показывает, что в этом случае критическое поле уменьшается при

уменьшении

. Таким

образом,при

6= О

имеет место максимум

критического

поля Нл

 

 

 

 

 

 

пусть

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<С =• {DO

 

= iOa"/ui*

,

Получается величина, близкая к экспериментально ивмеренной на постоянных магнитах.

Рассмотрим случай, когда доменная граница закрепляется на двух дефектах (включениях или дислокациях), расположенных на рас­ стоянии t друг от друга. Под действием внешнего магнитного поля граница изгибаетоя, причем радиус изгиба зависит от величины поля.

£-2.IsHC0S& .

(5 - 5)

Критическое поле в атом случае определяется условием отрыва домен­ ной границы от дефектов

ц . Г

/ I Г

(5-7)

Полученные выражения оодерхат такие величины,как плот - ность энергии доменной границы (Г и параметр & , характеризую­ щие распределение дефектов, которые существенно зависят от дефект­ ности кристаллической решетки магнетика. Важнейшими дефектами реаль­ ных магнетиков являютоя дислокации. Поэтому рассмотрим изменение ыагнитоупругой энергии при смещении доменной границы вблизи дислока­ ции.

- 44 -

§ 5-2. Влияние дислокаций на процессы смещения доменных границ

Дислокации нарушают распределение атомов, характерное дан идеальной кристаллической решетки. Изменение расположения атомов может вызвать существенное искажение однородной самопроизвольной намагниченности.

Магнитные заряды,возникающие из-за неоднородности само - произвольной (спонтанной) намагниченности, а также упругие напря­ жения вблизи дислокаций могут оказать существенное влияние на про­ цессы онёщения доменных границ и процессы вращения спонтанной на - магниченности, которыми определяются овойотва магнитных материалов.

Рассмотрим краевую дислокацию, направленную по оси 02 , неперпендикулярную к вектору спонтанной намагниченности, а плос - кость скольжения перпендикулярную этому вектору. Равновесное рао - пределение спонтанной намагниченности вблизи дислокации может быть найдено ив требования минимума полной свободной энергии системы,ко­ торая складывается из обменной анергии Е, магнитокриоталлической £ „ , ыагнитоупругой энергии Е0 и магнитостатической энергии магнитных зарядов Бт

S(Ea4^E^Eo)=0

,

(5-8)

где

,

 

£а= 44 }Щшс1сЬ)х* l^wa'jbfu^TaoisfJcLZ, (5_0)

^

= KJuy-<ftx+sW)dZ,

( 5 _ 1 0 )

Э- обменный параметр; а. - постоянная кристаллической ре -

шетки;

£s - спонтанная намагниченность;

°^

 

*

- на­

правляющие косинусы

спонтанной

намагниченности;

Afoa

>

 

магнитострикционные

константы;

л V- 4JFdl V£

$

,

с/€

- элемен­

тарный

объем.

 

 

 

 

 

 

- 45 -

Если пренебречь величинами второго порядка малооти, ва - риационную задачу (5-8) можно свести к решению системы уравнений для отклонения спонтанной намагниченности в плоскости ху, харак - теризуемого направляющим косинусом оС . Эта система уравнений имеет вид

vv= Mvdivfo . (5~I3)

Приближенное решение этой системы уравнений показало,'что величи­

на отклонения спонтанной намагниченности

5«л аС определяется

расстоянием от

дислокации,

причем

максимальное значение алс $t/iv(.

в случае

никеля

составляет

около

четырех

градусов на расстоянии

~ 500°А

от центра дислокации.

 

 

а) Влияние полей рассеяния на смещение доменных границ вблизи дислокаций.

Отклонения спонтанной намагниченности справа и слева от дислокации симметричны. Эти отклонения спонтанной намагниченности от основного объема кристалла, где нет такого отклонения, можно представить магнитными зарядами. Взаимодействие магнитных зарядов, возникающих вблизи дислокации,может быть описано с помощью закона Кулона. Под действием внешнего магнитного поля происходит смещение доменной границы. В объеме кристалла, где произошло смещение, на - пример, 180°-й доменной границы, спонтанная намагниченность изменяет свое направление на противоположное. Следствием этого изменения на­ правления спонтанной намагниченности является изменение знаков маг­ нитных зарядов. Если энергия взаимодействия магнитных зарядов вблизи дислокации была Ет, то после смещения границы до центра дислокации эта энергия будет - Ет . Результирующее изменение энергии взаимо - действия зарядов при смещении доменной границы будет равно

Ет - (' Бщ ) = 2 Е/л .

Величина ЯЕ^оказалась равной 7'10" эрг.см для никеля и 8*10~^эрг.см~* для железа. Как будет показано ниже, величина магнитоупругого взаимодействия доменной границы с дислокацией в сотни раз больше магнитостатичеокого взаимодействия.

 

б) Изменение магнитоупругой энергии при смещении неждомен-

ных границ

вблизи

дислокационных

петель.

 

 

В доменной границе спиновые магнитные

моменты электронов

отклонены

от оси

легкого намагничивания, причем

ато отклонение

 

 

- 46

-

 

неодинаково для различных спинов. Оно зависит от координаты JC спина, измеренной в направлении, перпендикулярном плоскости домен­

ной границы. Изменение направления спинов сопровождается магнию

-

стрикциоадой деформацией

и, в

соответствии с законом Гуна, упруги­

ми напряжениями. Упругое

поле

доменной границы взаимодействует

о

упругим полем дислокации.

Произведем вычисление изменения магнитоупругой энергии при смещении междоменной границы вблизи дислокационных петель.

Основная доменная структура, например, в листовом креннио-

том железе обусловлена

наличием мекдоменных границ типов 180$А<400>

- 9 0 - « W i u > ' . Поэтому наибольший интерес представляет вычисление

магнитоупругой энергии

этих типов междоменных границ.

Общее выражение иагнитоупругой энергии, характеризующей взаимодействие мекдоыенной границы с дислокацией, может быть запи­ сано в следующем виде

 

^ = А "

С

d

v >

(5-14)

где

- тензор магнитострикционнрй

деформации,

обусловлев -

ный разориентировкой намагниченности (опинов) внутри междоменной

границы; ^1?-

тензор

упругих напряжений в кристаллической решетке;

if К ~ принимают

значения

1,2,3,

соответствующие трем декартовым

координатам;

dv

-

элементарный

объем.

 

Выражение

(5-14)

может

быть преобразовано

следующим о б ­

разом

Л

 

 

п

л

 

JiULh^^dV

- Jff£ U?« dV}

(5-15)

где JiK^ro- тензор упругих конотант; Ui* - тенвоо деформаций кри­ сталлической решетки, обусловленный дислокациями; и£ - тенвор упру­ гих напряжений, вызванных ыагнитострикцией.

/Если еЬ.к _ сицнетрцчный тензор, удовлетворяющий усло­

вию ЛУ^~-° 5

и Wi*.

- тензор деформации дислокационных

петель, то выполняется следующее

тождество

 

 

(5-16)

47 ...

где SH А"-тая, составляющая вектора Бюргерса дислокационной петли; $sa - поверхность, на которую опирается дислокационная петля{ S( - проекция поверхности на t -тую координатную плоскость.

Иа (5-15) и (5-16) следует, что магнитоупругую энергию взаимо­ действия междоменной границы с дислокационной петлей можно залноать в виде

U-bxiK

dh .

'

{5.17)

Если 5 i - мало и изменением

<?iK на поверхности

можно

пренебречь, то для одной дислокационной петли можно написать выра­ жение для магнитоупругой энергии в виде

и)=&к (?£ 5с .

(5-18)

Выражение (5-17) можно написать в

следующем виде

* (it 6ш" * ij d *&л 61?)е/Вл +

( 5 ' 1 9 )

Компоненты тензора упругих напряжений для кряоталлов кубической симметрии будут равны соответственно

£ 7 s C z £ ' слли7л +

сАи?ь;

<К1 --сли?< *ctuZi

ли"ъ,

(5-20)

-4 8 - '

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ