Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Мишин Д.Д. Процессы намагничивания и перемагничивания в магнетиках конспект лекций

.pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
4.22 Mб
Скачать

Ферромагвети su.

И

Рис.3-1. Кривая намагничивания ферро-и ферримагнитных веществ (иагнитньк материалов).

- 21) -

 

•н

Рис.3-2. Различные виды магнитной

Рис.3-3. Основная кривая

восприимчивости в зависимости от

намагничивания и частные

намагниченности

петли.

I

I I

Н

Рис.З-4.1Птрихованная площадь пропорциональна работе нама­ гничивания единицы объёма магнитного материала

Рис.3-5. Основная кривая на­

 

магничивания ABC

; предельная

петля гистерезиса

f>EFC>C

;

пунктиром

представлена одна

 

из частных

петель

гистерезиса

 

- 30 -

Для каядого магнетика процесс намагничивания практически

прекращается

при некотором

поле Н $

(поде

магнитного насыщения).

максимальная

величина

намагниченности называется намагниченностью

насыщения ^ к о т о р а я

равна

самопроизвольной

намагниченности данно­

го магнетика.

 

 

 

 

 

форма кривой намагничивания каждого магнетика зависит от и с ­ ходного (начального) магнитного состояния. Из инокества кривых на­ магничивания выделяют основную кривую намагничивания, для получения которой магнетик был предварительно размагничен, причем построение основной кривой намагничивания должно производиться при непрерывной коммутации намагничивающего поля. В противном случае будут возни - кать частные петли (рис . 3 - 3) . Для намагничивания магнетика необхо­ димо совершить работу, величина которой графически представляется заштрихованной площадью ( р и с . 3 - 4 ) .

§ 3-2. Петля магнитного гистерезиса

Намагничивание магнетика, как правило, необратимо. При уменьшении намагничивающего поля величина намагниченности при тех же значениях возрастающего поля будет больше, т . е . ход процесса размагничивания, графически представленный кривой СДЕ (рис.3-5), отличается от хода процесса намагничивания (кривая ОАВС).

Глава четвертая ОБРАТИМЫЕ ПРОЦЕССЫ НАМАГНИЧИВАНИЯ

§4 - 1 . Обратимое смещение доменной границы

Воднородной кристаллической решетке смещение доменной гра­ ницы происходит без изменения плотности граничной анергии. Если кристаллическая решетка содержит дефекты, то при малых смещениях

доменной границы плотность ее

энергии будет иаменятьоя

монотонно.

В этих случаях имеет место обратимое смещение

доменной

границы!

На рис. 4-1

показано

изменение

плотности

анергии доменной границы

при

смещении в

неоднородной,

содержащей дефекты

криоталличе-

ской решетке, в направлении S

Когда

внешнее

магнитное поле не

действует, доменная граница будет находиться в равновесном

состоя­

нии в точке St, , определяемом

условием

Щ-О

. Плотность гра­

ничной энергии в первом приближении

может быть представлена

как

 

 

 

- 31

-

 

 

 

 

иеянои граним при смещении.

доменной

гранил*

Если внешнее поле й"направлено под углом б к вектору самопроиз­ вольной намагниченности I5 , то плотность магнитной энергии для 18(А'границы (рис.4-2) можно выразить следующим образом

Минимизируя

суммарную

энергию

Е-Вп

 

 

,

получим

 

 

 

 

 

^--<bS-2I3HCos#:

 

0

,

 

0TC^a

 

 

 

В результате

смещения

доменной

границы

возникнет

результирующая

намагниченность

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S~H >

 

 

 

 

(4-4)

 

где S

-

общая

площадь

180-°х границ

в единице

объема

магнетика»

Начальная

восприимчивость

^Кд.

 

будет

иметь

вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<=<.

 

 

.

 

 

 

 

(4-5)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В случае

90?йдоменной

границы

( р и с . 4 - 3 ) ,

когда магнитное

поле Н

действует

под углом

&

к

доменной

границе,

ориентированной

по

/ПО^то энергия

магнитного поля ^вычисляется по формуле

 

 

 

 

 

 

Еп---№15Н(С05д)$

 

 

,

 

 

 

 

( 4 - 6 ) ,

а начальная

восприимчивость

 

 

имеет следующий вид

 

 

 

Под действием

внешнего

поля

доменная граница,будучи

за ­

крепленной на дефектах кристаллической

решетки,монет

изгибаться

( 4 - 4 ) . Пусть действующее поле

Я ориентировано

к

вектору

самопроиз­

вольной

намагниченности

под

углом

О

. Тогда

магнитная

анергия

равна

 

 

 

- Zl&

И

( Cos

&)

5 9

,

 

а

сила, действующая на

единицу

площади

границы

F

,

определяется выражением

'

 

 

- 33 -

F - i ^ - ^ Z h i r C ^ .

( 4 _ 8 )

Таким образов, действие поля эквивалентно давлении на д о ­ менную границу. В результате доменная граница может прогнуться. Ра­ диус кривизны Z может быть найден из условия

£=2lsHCos&-

< 4 - 9 ) '

Изменение объема о положительной намагниченностью будет

равно

 

 

 

 

8v*-£th3

 

 

( 4 - ю )

/Ьбовначениа на р и с . 4 - 4 . /

 

 

 

 

 

Результирующая

намагниченность

соответственно равна

 

 

 

l^ih(C05

0)Ss

,

( 4 - П )

где

S

- общая

площадь доменных

границ в единице

объема магнети­

ка»

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Испольауя иа геометрического

построения

выражение J-^ t

можно определить

намагниченность по уравнению

 

 

 

 

Jzl£LfLlC0s*&it{

,

(4-13)

. так как

Cos & =

'

 

 

 

то начальная восприимчи­

вость ^t/x. определяется

следующим

образом

 

 

 

 

v

-

J L i i l L .

 

(4~18)

Для

SO?* доменных

границ

справедливо выражение

 

 

 

 

F

= fl

ItI1C0S&

»

(4-14)

где

&

- угол между

Н и направлениев /110/, тогда

намагниченность

 

 

равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

4*<

 

 

- 34 -

:Рио.4-4. Изгиб 180?^ границы под действием магнитного поля

Рио.4-5. Вращение намагниченности 1$под действием поля Н,

- 35 -

а начальная восприимчивость вычисляется по уравнению

- &lfl*H

 

(4-16)

§ 4-2.Обратимое вращение самопроизвольной

намагниченности

 

 

Рассмотрим магнетик с одной осью легкого намагничивания.

Если действующее поле Н составляет с легкой осью

угол

^ (рис . 4 - 5),

то магнитная энергия на единицу объема магнетика

будет

равна

Еп*-К„С0&2(&-в0)-1$НШ

,

(4-17)

где & - угол между самопроизвольной намагниченностью и вектором действующего поля Н, К^- константа одноооной анизотропии.

Для удлиненных однодоменных частиц одноосная анизотропия оп­ ределяется магнитоотатической энергией 1$ /•Vyil0 . Магнитостатическая энергия для ансамбля частиц описывается уравне­ нием

 

£ г

- 4 ^ г ^ ' & >

(4"18)

где J&

- относительный

объем,занятый частицами. Так,

например,

для частиц

желеаа при Jb

= 0 , 5

 

Теперь посредством минимизации магнитной энергии можно вычислить намагниченность:

 

 

•^r-KqSLnt-ft-t,)-*I$HSi.n-&

=0

(4-20)

Заменяя

 

Софт X

, можно написать уравнение

 

 

 

4х*+Ь/1Со5 20,Х3-(4-/1г2-

Cos2есх

+

 

 

 

+ $in*2&a-p*-0

 

>

( 4 ~ 2 I )

де

ji

- f t

• Отсюда

ревультирующая

намагниченность /

равна

 

&

Собб-

 

 

 

 

 

 

 

 

- 36 -

§4 - 3 . Приближение намагниченности к насыщению

Всильных магнитных полях, когда процесс смещения доменных границ закончен, но вектор намагниченности 1$ не параллелен век­ тору поля И , процесс намагничивания осуществляется посредством вращения вектора lg , при котором угол между векторами J$ и И уменьшается (рис . 4 - 6) . Результирующую намагниченность 1 магнетика

можно представить как компоненту намагниченности 1$ , совпадающую по направлению с вектором поля й .

(4-22) Магнитокристаллическая анизотропия противодействует вращению намаг­

ниченности (рис.4—7)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ItHSin&=-

 

 

- Ц *

1

 

 

 

 

 

 

. .

где Ел

-

энергия

магнитокристаллической

анизотропии.

Так как угол

ф в

рассматриваемом

случае

мал,

то

из (4-23) следует

 

 

*

4

1

 

'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

XS

И

 

 

 

 

 

 

 

 

(4-24)

где

 

С = - ( $ ? ) „ 0 .

 

 

 

 

 

 

( « 6 )

На основании (4-82) и (4-24) можно написать

 

 

 

где

 

j T

£

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

(4-27)

Так как вращение намагниченности происходит вдоль максимального

градиента

энергии

магнитокристаллической

анизотропии,

то

 

 

^

/

д

ш

/

£

л ^

(

^

)

^ ф

^

, (4-28)"

где

— полярные

координаты

намагниченности.

 

 

Поскольку

энергию магнитокристаллической

анизотропии Ел выражают

через направляющие косинусы (°^,<^,оС^) намагниченности, то можно

записать

такие соотношения:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

cLt-

 

$Ln Q Costf

>

d t -

Sin

&SLn /

,

 

 

 

 

 

Лj -

COS &>

 

 

 

 

 

 

 

d£& - /Mai

 

Mi +

/Мл

, fat t

/ l

b

i

 

- 37 -

/

/

Рис.4-6. Необратимое вращение намагниченности в вягипсондалъной монокристаллической частице

Рис.4-7. Вращение намагниченности под действием поля Н

- ЗЙ -

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ