- •1. Порівняльний аналіз деформаційних кривих металу та кераміки.
- •2. Розмірна залежність кінетики ущільнення порошкової суміші під час гарячого пресування.
- •3. Електроімпульсне плазмове спікання нанопорошків: схема методу та фізика процесів.
- •4. Температурна залежність міцності керамічних матеріалів та металів: особливості, основні відмінності та їх причини.
- •5. Залежність характеристик матеріалів від розміру зерен. Правило Холла-Петча. Особливості правила Холла-Петча для наноматеріалів.
- •Описание
- •6. Різні структурні форми нанокремнію. Перспективні напрямки використання нанокремнію в приладах різного призначення.
- •7. Методи синтезу поруватого кремнію. Формування матеріалу методом електрохімічного травлення. Механізми формування поруватого кремнію.
- •9. Квантові розмірні ефекти в нанокремнії. Люмінесценція.
- •10. Застосування наноструктурованого кремнію в біомедицині та біотехнологіях.
- •11. Загальний гамільтоніан кристала. Адіабатичне наближення.
- •12. Наближення самоузгодженого поля. Рівняння Хартрі та рівняння Хартрі-Фока.
- •13. Електронні стани кристала. Наближення майже вільних електронів.
- •Математичне формулювання[ред. | ред. Код]
- •14. Електронні стани кристала. Наближення сильно зв’язаних електронів.
- •15.Експериментальні методи отримання діаграми напруження-деформація
- •Характерні точки та ділянки діаграми[ред. | ред. Код]
- •16. Розмірне квантування та умови його спостереження. Вплив концентрації носіїв заряду на спостереження розмірного квантування.
- •Фізична природа[ред. | ред. Код]
- •17. Типи гетеропереходів, структури із квантовими ямами та бар’єрні структури. Область просторового заряду. Побудова зонної діаграми поблизу гетеропереходу.
- •Фізичні принципи[ред. | ред. Код] Області просторового заряду[ред. | ред. Код]
- •Утворення переходу[ред. | ред. Код]
- •18. Рівноважна концентрація електронів та положення рівня Фермі у власному напівпровіднику в об’ємному випадку.
- •Загальний опис[ред. | ред. Код]
- •19 Густина станів у напівпровідникових квантових ямах та дротах.
- •20. Рівноважна концентрація електронів та положення рівня Фермі у напівпровідникових квантових ямах та дротах.
- •21. Балістичний транспорт, квантова інтерференція: умови спостереження. Квант опору.
- •22.Принципи роботи заломлюючого транзистора, транзистора на відбитих електронах та балістичного випрямляча.
- •23.Кулонівська блокада у двобар'єрних структурах. Загальний вигляд вольт-амперної характеристики.
- •24.Принципи роботи одноелектронного насосу та одноелектронної пастки.
- •25.Молекулярні тригери. Молекулярні логічні елементи.
- •26.Фототермічне перетворення у напівровідникових системах. Вплив об’ємної та поверхневої рекомбінації фотозбуджених носіїв заряду.
- •27.Фототермічні методи дослідження теплофізичних властивостей наноструктурованих матеріалів.
- •28.Фотоакустичний ефект у наноструктурованих матеріалах. Механізми фотоакустичного перетворення в твердих тілах.
- •29.Особливості поширення тепла в низьковимірних системах. Тепловий опір інтерфейсу.
- •30.Фізичний базис газо-мікрофонних та п’єзоелектричних фотоакустичних методів реєстрації інформативного відгуку.
- •31.Основні рівняння теорії гомогенного зародкоутворення в однокомпонентних системах. Вирази для радіуса критичного зародка та роботи утворення критичного зародка.
6. Різні структурні форми нанокремнію. Перспективні напрямки використання нанокремнію в приладах різного призначення.
Нанокристалічний кремній являє собою аморфну плівку, в яку впроваджено нанокристаліти, розміром 1-100 нм. Наявність цих нанозерен підвищує величину забороненої зони матеріалу, а також покращує його електричні і оптичні характеристики. Розрізняють два типи нанокремнію: високоомний (nc-SiOx) та низькоомний (nc-Si). Однією з переваг нанокремнію є його стабільність до дії інтенсивної засвітки, тобто усувається один з найважливіших недоліків аморфного кремнію – ефект Стеблера-Вронського. Тому, на сьогоднішній день нанокремній використовується для синтезу різних напівпровідникових плівкових структур (фотоприймачів, сонячних елементів – низькоомний, фотоварікапів – високоомний) замість аморфного
нанокремній, що володіє наступними перевагами: висока поширеність у природі, відносно низька вартість виготовлення, відсутність радіоактивних і токсичних елементів у технологічному процесі а також сумісність з інтегральною технологією виготовлення мікросхем.
-----------------------------------------------
Структура кристаллического кремния обусловлена sp3-гибридизацией внешней электронной оболочки при образовании связи (Si−Si) 2). В результате в кристаллическом состоянии вокруг каждого атома кремния образуется тетраэдр из четырех соседних атомов с углом между связями центрального атома 109,47◦. Атомную структуру кристалла кремния (c-Si) можно изобразить элементарной ячейкой в виде куба, заполненного связанными между собой четырьмя центрированными тетраэдрами, как показано на рис. 2.1 а, б (цветная вклейка). Эта схема хорошо отражает координационное окружение и химические связи в кристалле, но не делает очевидной отнесение данной структуры к гранецентрированной ячейке Бравэ. На самом деле такая структура, называемая структурой алмаза, действительно является гранецентрированной кубической (ГЦК) и в международных кристаллографических обозначениях относится к пространственной группе F d3m (№ 227) — см. Int. Tables for Crystallography. 2006. V. A1. Примитивный базис элементарной ГЦК ячейки кремния состоит из двух идентичных атомов, занимающих позиции (0, 0, 0) и (1/4, 1/4, 1/4)a, где a — период элементарной ячейки 3). Это означает, что каждому узлу кристаллической решетки в элементарной ячейке F соответствуют два атома Si с таким расположением относительно друг друга. То есть, структуру элементарной ячейки кремния можно получить, поместив указанный выше примитивный двухатомный базис в каждый узел ГЦК ячейки, совмещая при этом начальный (0,0,0) атом базиса с узлом, что подтверждает справедливость отнесения структуры кремния к ГЦК ячейке Бравэ. Структуру кремния можно описать и другими словами, как ГЦК ячейку, в которой из восьми имеющихся тетраэдрических пустот, центры которых расположены на расстоянии 1/4 длины диагонали куба от вершинных атомов, четыре заняты внедренными атомами самого Si, а остальные 4 незаняты. На рис. 2.1 в эти «внедренные» атомы изображены зелеными шарами, а синими шарами изображены атомы Si, образующие классическую ячейку ГЦК. Из-за «внедрения» в пустоты ГЦК ячейки четырех дополнительных атомов, алмазоподобная элементарная ячейка кремния имеет 8 атомов Si, в отличие от классической ГЦК ячейки с одноатомным базисом, на которую приходится лишь 4 атома.