- •1. Порівняльний аналіз деформаційних кривих металу та кераміки.
- •2. Розмірна залежність кінетики ущільнення порошкової суміші під час гарячого пресування.
- •3. Електроімпульсне плазмове спікання нанопорошків: схема методу та фізика процесів.
- •4. Температурна залежність міцності керамічних матеріалів та металів: особливості, основні відмінності та їх причини.
- •5. Залежність характеристик матеріалів від розміру зерен. Правило Холла-Петча. Особливості правила Холла-Петча для наноматеріалів.
- •Описание
- •6. Різні структурні форми нанокремнію. Перспективні напрямки використання нанокремнію в приладах різного призначення.
- •7. Методи синтезу поруватого кремнію. Формування матеріалу методом електрохімічного травлення. Механізми формування поруватого кремнію.
- •9. Квантові розмірні ефекти в нанокремнії. Люмінесценція.
- •10. Застосування наноструктурованого кремнію в біомедицині та біотехнологіях.
- •11. Загальний гамільтоніан кристала. Адіабатичне наближення.
- •12. Наближення самоузгодженого поля. Рівняння Хартрі та рівняння Хартрі-Фока.
- •13. Електронні стани кристала. Наближення майже вільних електронів.
- •Математичне формулювання[ред. | ред. Код]
- •14. Електронні стани кристала. Наближення сильно зв’язаних електронів.
- •15.Експериментальні методи отримання діаграми напруження-деформація
- •Характерні точки та ділянки діаграми[ред. | ред. Код]
- •16. Розмірне квантування та умови його спостереження. Вплив концентрації носіїв заряду на спостереження розмірного квантування.
- •Фізична природа[ред. | ред. Код]
- •17. Типи гетеропереходів, структури із квантовими ямами та бар’єрні структури. Область просторового заряду. Побудова зонної діаграми поблизу гетеропереходу.
- •Фізичні принципи[ред. | ред. Код] Області просторового заряду[ред. | ред. Код]
- •Утворення переходу[ред. | ред. Код]
- •18. Рівноважна концентрація електронів та положення рівня Фермі у власному напівпровіднику в об’ємному випадку.
- •Загальний опис[ред. | ред. Код]
- •19 Густина станів у напівпровідникових квантових ямах та дротах.
- •20. Рівноважна концентрація електронів та положення рівня Фермі у напівпровідникових квантових ямах та дротах.
- •21. Балістичний транспорт, квантова інтерференція: умови спостереження. Квант опору.
- •22.Принципи роботи заломлюючого транзистора, транзистора на відбитих електронах та балістичного випрямляча.
- •23.Кулонівська блокада у двобар'єрних структурах. Загальний вигляд вольт-амперної характеристики.
- •24.Принципи роботи одноелектронного насосу та одноелектронної пастки.
- •25.Молекулярні тригери. Молекулярні логічні елементи.
- •26.Фототермічне перетворення у напівровідникових системах. Вплив об’ємної та поверхневої рекомбінації фотозбуджених носіїв заряду.
- •27.Фототермічні методи дослідження теплофізичних властивостей наноструктурованих матеріалів.
- •28.Фотоакустичний ефект у наноструктурованих матеріалах. Механізми фотоакустичного перетворення в твердих тілах.
- •29.Особливості поширення тепла в низьковимірних системах. Тепловий опір інтерфейсу.
- •30.Фізичний базис газо-мікрофонних та п’єзоелектричних фотоакустичних методів реєстрації інформативного відгуку.
- •31.Основні рівняння теорії гомогенного зародкоутворення в однокомпонентних системах. Вирази для радіуса критичного зародка та роботи утворення критичного зародка.
30.Фізичний базис газо-мікрофонних та п’єзоелектричних фотоакустичних методів реєстрації інформативного відгуку.
П’єзоелектричний метод - реєстрація акустичного зміщення поверхні зразка п’єзоелектричним перетворювачем, що знаходиться з ним в безпосередньому контакті;
п’єзоелектричний перетворювач, що знаходиться в безпосередньому контакті зі зразком, реєструє акустичні хвилі, що виникають всередині зразка за рахунок термопружного розширення в ділянці модульованого нагріву
Газомікрофонний метод – мікрофон реєструє акустичні хвилі, що виникають при тепловому розширенні шару газу, що прилягає до зразка;
………………….
Газомікрофонний метод реєстрації звукових коливань відносять до класу непрямих методик, оскільки при його використанні джерелом звукових коливань є тонкий шар газу, що омиває приповерхневу область опромінюваного зразка. Метод перспективний для дослідження зразків "неправильної форми", гетерогенних та неоднорідних матеріалів. Ще однією позитивною рисою методу є можливість відтворення за його допомогою оптичних характеристик на різних товщинах досліджуваного зразка. Необхідною умовою для використання газомікрофонного методу реєстрації є реалізація термопружного механізму генерації звуку. Послідовність відповідних фізичних процесів при цьому така: поглинання світла виділення тепла розповсюдження теплової хвилі до поверхні зразка нагрів приповерхневого шару газу виникнення в об’ємі газу звукових коливань, що реєструються за допомогою високочутливого мікрофону.
На відміну від газомікрофонного, п’єзоелектричний метод реєстрації акустичних коливань є прямим, оскільки реєструє акустичний сигнал, що генерується в досліджуваному зразку внаслідок реалізації фотоакустичного ефекту. Реєстрація здійснюється за допомогою п’єзоелектричного датчика, що знаходиться в акустичному контакті з поверхнею зразка. Основною перевагою даної методики є те, що використання п’єзоелектричної кераміки дає можливість роботи на значно вищих частотах модуляції. Відповідно, одним з різновидів фотоакустичної спектроскопії є її імпульсний варіант, при якому збудження звуку здійснюється за допомогою потужних імпульсів лазерного випромінювання наносекундної тривалості
………………….
31.Основні рівняння теорії гомогенного зародкоутворення в однокомпонентних системах. Вирази для радіуса критичного зародка та роботи утворення критичного зародка.
Це́нтр кристаліза́ції — це зародок твердої фази у розплаві, з якого виростає кристаліт. Існує два механізми утворення центрів кристалізації: гомогенний та гетерогенний.
Гомогенне зародкоутворення відбувається у зонах:
-
однорідного за агрегатним станом розплаву;
-
з флуктуацією енергії, де її рівень перевищує середнє значення енергії розплаву;
-
з таким близьким упорядкуванням у розташуванні атомів, яке відповідає далекому впорядкуванню кристалічного стану;
-
розміром, більшим за певний критичний розмір. Зародки менших розмірів термодинамічно нестійкі, бо їх ріст зумовлює підвищення вільної енергії, і тому вони розсмоктуються в розплаві.
Гетерогенне зародкоутворення відбувається в неоднорідному розплаві на готових підкладках, якими є тверді нерозчинені в розплаві частинки, стінки виливниць, ливарних форм, за умови, що поверхнева енергія границі між підкладкою і новоутвореною твердою фазою менша за поверхневу енергію границі між зародком і рідкою фазою.
Гомогенною ( однорідною ) називається система, що має однаковий хімічний склад та фізико-хімічні властивості по всьому об¢єму системи.
32.Основні характеристики процесу кристалізації в однокомпонентних системах: частота зародкоутворення, лінійна швидкість росту кристалів, частка кристалічної фази.
33.Кінетика нестаціонарного зародкоутворення. Час затримки при зародкоутворенні.
34.Основні рівняння теорії гетерогенної кристалізації бінарних сплавів: радіус та робота утворення критичного зародка в бінарній системі при гетерогенному зародкоутворенні.
------папка
35.Термодинамічний критерій “легкої” аморфізації для бінарних сплавів. Аналіз особливостей процесу кристалізації для модельних бінарних сплавів з різним типом діаграм стану.
------папка
36.Структура та властивості аморфних сплавів. Методи отримання сплавів в аморфному стані. Методи дослідження структури та властивостей аморфних сплавів.
------папка
37.Температурна та часова стабільність аморфних сплавів. Вплив дифузійних процесів на процеси фазоутворення в аморфних сплавах.
------папка
38.Структурна релаксація в аморфних сплавах. Старіння аморфних сплавів.
------папка
39.Основні положення термодинамічної теорії високотемпературної стабільності аморфних сплавів.
40.Модель вморожених центрів кристалізації; умова розчинення вморожених центрів кристалізації в аморфній матриці. Висхідна дифузія в аморфних сплавах.