- •1. Порівняльний аналіз деформаційних кривих металу та кераміки.
- •2. Розмірна залежність кінетики ущільнення порошкової суміші під час гарячого пресування.
- •3. Електроімпульсне плазмове спікання нанопорошків: схема методу та фізика процесів.
- •4. Температурна залежність міцності керамічних матеріалів та металів: особливості, основні відмінності та їх причини.
- •5. Залежність характеристик матеріалів від розміру зерен. Правило Холла-Петча. Особливості правила Холла-Петча для наноматеріалів.
- •Описание
- •6. Різні структурні форми нанокремнію. Перспективні напрямки використання нанокремнію в приладах різного призначення.
- •7. Методи синтезу поруватого кремнію. Формування матеріалу методом електрохімічного травлення. Механізми формування поруватого кремнію.
- •9. Квантові розмірні ефекти в нанокремнії. Люмінесценція.
- •10. Застосування наноструктурованого кремнію в біомедицині та біотехнологіях.
- •11. Загальний гамільтоніан кристала. Адіабатичне наближення.
- •12. Наближення самоузгодженого поля. Рівняння Хартрі та рівняння Хартрі-Фока.
- •13. Електронні стани кристала. Наближення майже вільних електронів.
- •Математичне формулювання[ред. | ред. Код]
- •14. Електронні стани кристала. Наближення сильно зв’язаних електронів.
- •15.Експериментальні методи отримання діаграми напруження-деформація
- •Характерні точки та ділянки діаграми[ред. | ред. Код]
- •16. Розмірне квантування та умови його спостереження. Вплив концентрації носіїв заряду на спостереження розмірного квантування.
- •Фізична природа[ред. | ред. Код]
- •17. Типи гетеропереходів, структури із квантовими ямами та бар’єрні структури. Область просторового заряду. Побудова зонної діаграми поблизу гетеропереходу.
- •Фізичні принципи[ред. | ред. Код] Області просторового заряду[ред. | ред. Код]
- •Утворення переходу[ред. | ред. Код]
- •18. Рівноважна концентрація електронів та положення рівня Фермі у власному напівпровіднику в об’ємному випадку.
- •Загальний опис[ред. | ред. Код]
- •19 Густина станів у напівпровідникових квантових ямах та дротах.
- •20. Рівноважна концентрація електронів та положення рівня Фермі у напівпровідникових квантових ямах та дротах.
- •21. Балістичний транспорт, квантова інтерференція: умови спостереження. Квант опору.
- •22.Принципи роботи заломлюючого транзистора, транзистора на відбитих електронах та балістичного випрямляча.
- •23.Кулонівська блокада у двобар'єрних структурах. Загальний вигляд вольт-амперної характеристики.
- •24.Принципи роботи одноелектронного насосу та одноелектронної пастки.
- •25.Молекулярні тригери. Молекулярні логічні елементи.
- •26.Фототермічне перетворення у напівровідникових системах. Вплив об’ємної та поверхневої рекомбінації фотозбуджених носіїв заряду.
- •27.Фототермічні методи дослідження теплофізичних властивостей наноструктурованих матеріалів.
- •28.Фотоакустичний ефект у наноструктурованих матеріалах. Механізми фотоакустичного перетворення в твердих тілах.
- •29.Особливості поширення тепла в низьковимірних системах. Тепловий опір інтерфейсу.
- •30.Фізичний базис газо-мікрофонних та п’єзоелектричних фотоакустичних методів реєстрації інформативного відгуку.
- •31.Основні рівняння теорії гомогенного зародкоутворення в однокомпонентних системах. Вирази для радіуса критичного зародка та роботи утворення критичного зародка.
20. Рівноважна концентрація електронів та положення рівня Фермі у напівпровідникових квантових ямах та дротах.
21. Балістичний транспорт, квантова інтерференція: умови спостереження. Квант опору.
22.Принципи роботи заломлюючого транзистора, транзистора на відбитих електронах та балістичного випрямляча.
Полевые транзисторы на отраженных электронах.
В гетероструктурах с модулируемым легированием GaAs/AlGaAs средняя длина свободного пробега электронов в двухмерном электронном газе может превышать 10 мкм при низких температурах. Это позволяет создавать по существующей микроэлектронной технологии приборы, в которых электроны распространяются баллистически между стоком и истоком, кроме случайных столкновений с границами раздела. Соответствующий электрический ток может отражаться, следуя траекториям отдельных электронов, таким же путем, как и световые лучи, то есть по законам геометрической оптики. Аналогия с геометрической оптикой была использована для того, чтобы конструировать линзы и призмы с полевым эффектом, которые могут изменять траектории баллистических электронов. Изменяя отражение границ раздела с помощью внешнего смещения, можно контролировать ток, текущий между парой контактов, что позволяет строить полевые транзисторы на отраженных электронах. Линзы и призмы могут быть сделаны из металлических затворов, которые изменяют плотность основного двумерного электронного газа, обеспечивая отражение на границе раздела между управляемой и неуправляемой областями.
На границе раздела между управляемой (под затвором) и неуправляемой областями двухмерного электронного газа концентрация электронов изменяется приблизительно ступенчато благодаря изгибу края зоны проводимости (рис.1.11).
Рис.1.11. Граница раздела между управляемой и неуправляемой областями двухмерного электронного газа (а) и оптическая аналогия преломления лучей (б).
Сила, связанная с искривлением зоны, действует перпендикулярно границе раздела, и поэтому момент электрона в направлении, параллельном границе раздела, сохраняется, то есть p1sinΘ1 = p2sinΘ2. С другой стороны, момент электрона в двухмерном электронном газе задается величиной ћkF и, так как kF= (2πn)1/2 , где п - концентрация электронов, получаем:
sinΘ1/ sinΘ2 = (n2/n1)1/2.
Это выражение аналогично закону преломления оптических лучей.
Идея использования преломления траектории электронов для переключения тока между различными контактами к двухмерному электронному газу впервые была предложена и продемонстрирована Спектором и др. (1990). Структура, которую они использовали, формировалась поверхностными затворами, как это схематически показано на рис. 1.12. Хотя геометрия такого затвора достаточно сложна, в ее состав входят только три основных элемента, включающих точечный электронный эмиттер, три коллектора, обозначенных буквами А, В и С, и преломляющая призма. Эмиттер и коллекторные затворы поддерживаются при фиксированном и относительно высоком обратном смещении, что обеспечивает их действие как узких апертур, в то время как напряжение на затворе призмы варьируется для изменения электронной плотности под ней.
Рис.1.12. Структура преломляющего переключателя для баллистических электронов. Исток и несколько стоков, общий затвор и под ним тонкий управляющий затвор.
Электроны движутся баллистически между эмиттером и коллекторами. На их траектории можно повлиять управляющей призмой, находящейся между ними. Электроны отклоняются от (или к) нормали, если концентрация электронов над затвором меньше (больше), чем под затвором. Под действием ускоряющего напряжения на управляющей призме (от большого обратного смещения до среднего прямого смещения) можно ускорить распространение электронного луча через коллекторы А, В и С. В рабочем режиме получены явно выраженные пики токов для каждого коллектора при напряжениях затвора, равных тем, которые рассчитаны методом построения лучей.
Полевой транзистор на преломленных электронах может работать (переключать), находясь между многоканальными выходами и даже многоканальными входами, так как встречные пучки баллистических электронов имеют незначительное взаимодействие. Эти приборы могут быть скомпонованы так, чтобы выполнять довольно сложные операции, такие как переключение элементов при параллельной обработке сигналов. Ограничением же для таких приборов, по-прежнему, остается требование низких рабочих температур.
------------------------
Одним із таких планарних балістичних пристроїв, які можуть скористатися графеном, є балістичний випрямляч (BR), який є асиметричним чотирьохконечним поперечним переходом, який спирається на рух «більярдного кулі» носіїв для випрямлення сигналів змінного струму на постійні виходи 4. BR вперше було продемонстровано в гетероструктурах InGaAs / AlGaAs, і його повнофункціональна випрямлива функціональність нагадує функцію мостового випрямляча, який, навпаки, потребує чотирьох окремих діодів. Подібні асиметричні три кінцеві переходи також були вивчені нещодавно 5 , 6. Концепція БР по суті відрізняється від усіх звичайних випрямлячів, оскільки вона ні містить, ні покладається на будь-який допінговий вузол або бар'єрну структуру вздовж напрямку електричного струму. Таким чином, носіям не потрібно долати вбудоване електричне поле для проведення струму, це означає, що пристрій має нульову порогову напругу. Це важливо на високій частоті, оскільки сигнали часто дуже малі і навіть можуть бути нижче порогу звичайного діода. Крім того, на відміну від звичайних діодів або транзисторів, новий принцип роботи не потребує матеріалу з пробігом енергії і швидкість пристрою збільшується в міру рухливості носія.