- •1. Порівняльний аналіз деформаційних кривих металу та кераміки.
- •2. Розмірна залежність кінетики ущільнення порошкової суміші під час гарячого пресування.
- •3. Електроімпульсне плазмове спікання нанопорошків: схема методу та фізика процесів.
- •4. Температурна залежність міцності керамічних матеріалів та металів: особливості, основні відмінності та їх причини.
- •5. Залежність характеристик матеріалів від розміру зерен. Правило Холла-Петча. Особливості правила Холла-Петча для наноматеріалів.
- •Описание
- •6. Різні структурні форми нанокремнію. Перспективні напрямки використання нанокремнію в приладах різного призначення.
- •7. Методи синтезу поруватого кремнію. Формування матеріалу методом електрохімічного травлення. Механізми формування поруватого кремнію.
- •9. Квантові розмірні ефекти в нанокремнії. Люмінесценція.
- •10. Застосування наноструктурованого кремнію в біомедицині та біотехнологіях.
- •11. Загальний гамільтоніан кристала. Адіабатичне наближення.
- •12. Наближення самоузгодженого поля. Рівняння Хартрі та рівняння Хартрі-Фока.
- •13. Електронні стани кристала. Наближення майже вільних електронів.
- •Математичне формулювання[ред. | ред. Код]
- •14. Електронні стани кристала. Наближення сильно зв’язаних електронів.
- •15.Експериментальні методи отримання діаграми напруження-деформація
- •Характерні точки та ділянки діаграми[ред. | ред. Код]
- •16. Розмірне квантування та умови його спостереження. Вплив концентрації носіїв заряду на спостереження розмірного квантування.
- •Фізична природа[ред. | ред. Код]
- •17. Типи гетеропереходів, структури із квантовими ямами та бар’єрні структури. Область просторового заряду. Побудова зонної діаграми поблизу гетеропереходу.
- •Фізичні принципи[ред. | ред. Код] Області просторового заряду[ред. | ред. Код]
- •Утворення переходу[ред. | ред. Код]
- •18. Рівноважна концентрація електронів та положення рівня Фермі у власному напівпровіднику в об’ємному випадку.
- •Загальний опис[ред. | ред. Код]
- •19 Густина станів у напівпровідникових квантових ямах та дротах.
- •20. Рівноважна концентрація електронів та положення рівня Фермі у напівпровідникових квантових ямах та дротах.
- •21. Балістичний транспорт, квантова інтерференція: умови спостереження. Квант опору.
- •22.Принципи роботи заломлюючого транзистора, транзистора на відбитих електронах та балістичного випрямляча.
- •23.Кулонівська блокада у двобар'єрних структурах. Загальний вигляд вольт-амперної характеристики.
- •24.Принципи роботи одноелектронного насосу та одноелектронної пастки.
- •25.Молекулярні тригери. Молекулярні логічні елементи.
- •26.Фототермічне перетворення у напівровідникових системах. Вплив об’ємної та поверхневої рекомбінації фотозбуджених носіїв заряду.
- •27.Фототермічні методи дослідження теплофізичних властивостей наноструктурованих матеріалів.
- •28.Фотоакустичний ефект у наноструктурованих матеріалах. Механізми фотоакустичного перетворення в твердих тілах.
- •29.Особливості поширення тепла в низьковимірних системах. Тепловий опір інтерфейсу.
- •30.Фізичний базис газо-мікрофонних та п’єзоелектричних фотоакустичних методів реєстрації інформативного відгуку.
- •31.Основні рівняння теорії гомогенного зародкоутворення в однокомпонентних системах. Вирази для радіуса критичного зародка та роботи утворення критичного зародка.
23.Кулонівська блокада у двобар'єрних структурах. Загальний вигляд вольт-амперної характеристики.
24.Принципи роботи одноелектронного насосу та одноелектронної пастки.
Одноелектронний насос - мікроелектронний пристрій, який за один цикл своєї роботи подає на вихід рівно один електрон. Швидкість роботи нового приладу складає мільярд циклів за секунду. Це у тисячу разів перевершує показники електронних насосів на базі алюмінієвих провідників. Графеновий пристрій володіє достатньою продуктивністю щоб визначати еталонну величину сили струму у залежності від заряду електрона.
Використання як квантової точки - напівпровідника малої довжини, що володіє квантовими властивостями, - одношарового двовимірного вуглецю (графена) вперше дозволило створити стабільний одноелектронний насос. Запропоновані раніше насоси на базі напівпровідникових матеріалів володіли занадто великою теоретичною похибкою для вимірювання стандарту сили електричного струму.
Завдання перевизначення чотирьох основних одиниць системи СІ - ампера, моля, кельвіна і кілограма - через фундаментальні константи була поставлена на Генеральній конференції з мір та ваг восени 2011 року. У даний час сила струму визначається через взаємодію між нескінченно довгими провідниками у вакуумі.
Еталонний ампер було запропоновано обчислювати відносно елементарного електричного заряду (електрона), який є постійним і дорівнює 1,60217653 x 10-19 кулона. Під впливом сили струму в один ампер крізь перетин провідника повинен за одну секунду пройти заряд рівний одному кулону.
Электронные насосы – устройства, которые могут перемещать определенное количество электронов в течение каждого насосного цикла. Для физиков этот объект исследования интересен не только с точки зрения фундаментальной науки. Одноэлектронный насос имеет шанс найти практическое применение в метрологии, действуя как точный частотно-токовый конвертер.
Главная цель этой области исследований состоит в том, чтобы создать текущий стандарт, основанный на электрическом заряде отдельного электрона, для достижения высокой точности текущего измерения. Устройство, названное одноэлектронным транзистором, может манипулировать электрическими зарядами, вплоть до одного электрона и, следовательно, он применим для создания квантованного тока (тока, который состоит только из одного или нескольких электронов).
Экспериментально, эта концепция, главным образом, была проверена на устройствах, сделанных из 3–5 полупроводниковых гетероструктур или металлических наночастиц. В принципе, чем меньше устройство, тем, лучше оно работает. Однако, размер устройств, сделанных как из полупроводниковых гетероструктур, так и из металлических частиц ограничен текущими возможностями технологий литографии.
Большинство конструкций одноэлектронных насосов использует очень маленькую область, слабо соединенную с электронным бассейном, обычно именуемым в металлических системах как остров. Остров является достаточно маленьким, что дополнение или удаление отдельного электрона делают заметное энергетическое различие. Исследователи предложили изменить эту структуру, заменяя нормально-металлический остров отдельной однослойной углеродной нанотрубкой (ОУН), которая уже обладает наномасштабом с диаметром приблизительно 1 нм.