Система базирования

От системы базирования во многом зависит выбор величины элементов рисунка, зазоров между ними, типа и габаритов платы и, в конечном счете, надежности и стоимости изделия.

Оснастка участка прессования выбирается с точки зрения возможности с ее помощью собирать МПП с максимальной точностью. Она включает:

• оснастку сверления и пробивки базовых отверстий в заготовках (кондуктора, штампы);

• оснастку для прессования МПП (прессформы).

В кондукторах выполняются сверлением отверстий во вспомогательных материалах, точность сверления может быть не выше d+ 0,1 мм.

Пробивка баз в кондукторах и штампах выполняется с точностью d(+0,005..+0,015) мм.

Межцентровое расстояние при этом между двумя отверстиями -±(0,01 -0,02) мм.

Неперпендикулярность осей двух пар отверстий ±(0,03..0,04).

Следует отметить, что сборка может вносить дополнительную погрешность ±(0,01.. 0,02) мм.

При размере баз диаметром 5 мм в штампах выполняется:

• пуансон диаметром 5,01-0,002

• матрица диаметром 5,01+0,002

В прессформах точность совмещения прессуемых в пакет слоев зависит от каленых втулок, запрессованных в нижнюю плиту пресс формы.

Внутренний диаметр во втулках выполняется диаметром 5,01+0,005.

Внешний диаметр 10 мм под запрессовку в плиту выполняется диаметром 10 r6 для стальной плиты или диаметром 10 и 8 для дюралевой плиты прессформы. Штифты при этом диаметром 10-0,005.

При запрессовке диаметр втулки усаживается в среднем на 7-9 мкм, после чего внутренний диаметр укладывается в размер диаметром 5 Н7 (+0,012).

Прессформы со стальными плитами эксплуатируются для габаритов не более 250 х 300 мм, штифты в них разнесены по контуру.

При этом втулки выполнялись диаметром 5 Н7, а штифты диаметром 4,95-0,01.

Для прецизионных МПП снизить величину несовмещения слоев можно за счет изменения положения нулевого базового отверстия.

Таким положением «0» целесообразно выбирать центр слоя.

В результате величина несовмещения будет в два раза меньше усадки материала, так как последняя распространяется от центра во все стороны к периферии слоя.

Все три базовые отверстия располагаются на продольной оси симметрии.

Центральное отверстие выполняется диаметром 5 Н7 (+0,012), центральный штифт диаметром 5 -0,005, - 0,01. Два краевых отверстия - пазы с шириной 5 Н7 при плоских штифтах.

Теперь при прессовании слои имеют свободу перемещения от центра к периферии по Xи У, поворот слоя гарантированно ограничен по большой стороне.

Кроме прессования такое же базирование принято на операциях изготовления рабочих фотошаблонов, экспонирования и сверления, т.е. сквозное базирование на весь техпроцесс.

Базирование имеет ряд преимуществ:

• снижение влияния усадки материала в два раза;

• можно ввести поправку при изготовлении фотошаблонов или сверловке, условно усадка изменяется по линейному закону от центра «0»,

• облегчена сборка пакета при прессовании,

• прост процесс контроля погрешностей фотошаблона и слоя, т.к. «0» микроскопа совмещается с центром центральной базы;

Кроме названной оснастки, при изготовлении прецизионных МПП применяется сквозная оснастка метода «ПАФОС» - носитель.

Для слоев габаритом 200х 250 мм применим носитель габаритом 260 х 340 мм из нержавеющей стали толщиной 1 мм, в котором расточены три базовых отверстия: центральное - диаметром 5 Н7 и два крайних паза шириной 5 Н7.

Введение в техпроцесс «ПАФОС» новой оснастки - носителя потребовало создания нового оборудования:

• установки щелочной очистки носителей от эпоксидной смолы;

• станка зачистки поверхности носителей;

• станка зачистки фольги с торцов носителя;

• штампов изготовления базовых шайб.