Проводимость соединений АIVВVI - собственная: при избытке свинца проводимость n-типа, при избытке металлоида - p-типа.

Особенность свойств - спектральная чувствительность в ИКобласти спектра. В связи с чем они применяются для фоторезисторов с высокими частотными характеристиками (PbS). Другие об-

ласти применения:

•тензодатчики (тензорезисторы) используются в датчиках вибраций, давления, микрофонах, изготовляются на основе материалов, характеристики которых (ширина запрещенной зоны) изменяются при деформировании (PbS и PbTe);

•термочувствительные приборы, основанные на изменении э.д.с. в р-n-переходе при изменении температуры (на PbS и PbTe), применяются в полупроводниковых термостатах и холодильниках.

Перспективны твердые растворы на основе теллуридов свинца

иолова. У них одинаковая кристаллическая решетка (α = 0,603 нм) и полная взаимная растворимость. Применяют их в фотоприемниках с высокой чувствительностью в диапазоне «атмосферного окна» 8...14 мкм, что соответствует максимуму излучения абсолютно чер-

ного тела при 300К, в инжекционных лазерах на основе Pb1-xSnxTe с излучением в глубокой инфракрасной области спектра до 30 мкм (предел длины волны излучения для полупроводниковых лазеров).

Вопросы для самоконтроля

1.Чем обеспечивается собственная электропроводность полупроводников?

2.Как расположены энергетические уровни донорной и акцепторной примеси в запрещенной зоне полупроводника? Почему энергия ионизации примеси в германии меньше, чем в кремнии?

140

3.Каким соотношением связаны концентрации электронов и дырок в невырожденном полупроводнике?

4.Объясните температурную зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике. Какой полупроводник называется «вырожденным»?

5.Каковы причины рассеяния носителей заряда в полупровод-

нике?

6.Может ли проводимость в полупроводнике уменьшаться при повышении температуры?

7.Каковы причины возникновения неравновесных носителей заряда в полупроводнике?

8.В чем отличие ловушек захвата от рекомбинационных ловушек?

9.Какие факторы влияют на время жизни и диффузионную длину неравновесных носителей заряда?

10.Что понимают под фоторезистивным эффектом?

11.Почему примесная фотопроводимость смещается в сторону более длинных волн?

12.На чем основан метод кристаллизационной очистки германия и кремния? Какой метод получил широкое применение для выращивания крупных монокристаллов?

13.Как и почему изменяется подвижность носителей заряда в Ge и Si при увеличении концентрации легирующей примеси?

14.Какие преимущества кремния обеспечивают ему широкое применение при изготовлении планарных транзисторов и интегральных микросхем?

15.Какой тип химической связи у полупроводниковых соединений АIIIВV? Как изменяются электрофизические свойства при увеличении атомной массы соединений?

16.Какие материалы используются для инжекционных лазеров

исветодиодов?

17.Какие материалы применяются для солнечных батарей?

18.При каком содержании примесей Ge будет иметь собственное сопротивление при комнатной температуре?

141