Вещества, способные люминесцировать, называются люминофорами. Люминесцентные свойства твердых тел во многом определяются концентрацией примесей и дефектами структуры. Примесные атомы, образующие локальные уровни в запрещенной зоне полупроводника и вызывающие свечение материала, называют активаторами люминесценции. Все процессы поглощения энергии и излучения фотонов происходят внутри ионов-активаторов, а кристаллическая решетка играет роль матрицы.

В большинстве случаев в полупроводниках люминесценция обусловлена рекомбинацией неравновесных носителей заряда (излучательной рекомбинацией). Генерация видимого излучения возможна в полупроводниках с шириной запрещенной зоны Э>1,7 эВ.

Излучение может быть спонтанным и вынужденным. Спонтанные излучения происходят независимо друг от друга в разные моменты времени, поэтому спонтанное излучение - некогерентное. Вынужденное излучение происходит под действием внешнего электромагнитного поля. Излучаемые фотоны имеют ту же частоту, поляризацию и фазу, что и фотоны возбуждающего электромагнитного поля, совпадают и направления распространения фотонов. Поэтому вынужденное излучение является когерентным.

Наибольший практический интерес вызывает электролюминесценция. Инжекционная электролюминесценция наблюдается при включении p-n-перехода в прямом направлении. На её основе работают светодиоды, полупроводниковые лазеры и другие приборы оптоэлектроники.

4.4. Элементарные полупроводники

Основу современной электроники составляют неорганические кристаллические полупроводники. По составу их классифицируют на элементарные полупроводники и химические соединения. Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов (табл. 14), из них в виде самостоятельных полупроводников применяются германий (Ge), кремний (Si), селен (Se), а остальные используются в виде легирующих примесей. Электрофизические ха-

122

рактеристики основных элементарных полупроводников - германия и кремния - представлены в табл. 15.

4.4.1. Германий

Германий исторически является первым освоенным полупроводниковым материалом, так как он относительно легко поддается очистке. Это элемент IV группы с алмазоподобной кубической решеткой. Особенности свойств германия: химическая стойкость к кислотам, высокая твердость и хрупкость.

Получение полупроводникового германия. Германий слабо распространен в земной коре (<0,001%), он не образует собственных руд. Сырьем для получения полупроводникового Ge являются

123

медно-цинковые и свинцово-цинковые руды, побочные продукты металлургического производства. Основные этапы производства:

1.Получение германиевого концентрата.

2.Получение жидкого тетрахлорида германия GeCl4 химическим путем.

3.Получение двуокиси германия методом гидролиза:

GeCl4+2H2O→GeO2+4HCl.

4. Получение порошкового Ge путем его восстановления из двуокиси водородом при 650…700°С:

GeO2+2H2→Ge+2H2O.

5.Выплавка слитка поликристаллического Ge из порошка.

6.Очистка поликристалла Ge от примесей методом зонной

плавки.

7.Получение монокристалла Ge методом вытягивания из расплава. При этом в расплав вводят легирующие примеси в строго дозированном количестве для получения Ge n- или p-типа.

Формирование проводимости в германии. Применяют гер-

маний с примесной проводимостью. В качестве донорных примесей используются элементы V группы: сурьма (Sb), мышьяк (As), фосфор (P), в качестве акцепторных - элементы III группы: бор (B), алюминий (Al), галлий (Ga). Эти примеси создают мелкие энергетические уровни в запрещенной зоне, их энергия ионизации примерно одинакова и составляет в среднем 0,01 эВ. Основными примесями являются сурьма - для получения Ge n-типа и галлий - для получения Ge p-типа.

Медь и золото (элементы I группы) образуют глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне и являются эффективными рекомбинационными ловушками, снижающими время жизни неравновесных носителей заряда, что повышает быстродействие приборов.

Влияние концентрации примеси Nпр на электрические свойства германия. Легирующие примеси в германии при температурах выше 90…100 К полностью ионизированы, т.е. концентрация носителей заряда равна концентрации примеси, n = N.

Базовая рабочая концентрация легирующей примеси в германии составляет N = 1021…1024 м-3. Собственная проводимость при комнатной температуре (Ti = 20…25°С) может возникнуть лишь при

124

очень малой концентрации примеси (N < 1019 м-3). С увеличением концентрации примеси температура начала собственной проводимости возрастает. При базовой концентрации примеси Ti > 100°С.

Таким образом, при N ≤ 1019 м-3 удельное электрическое сопротивление германия ρ определяется собственной проводимостью. В слаболегированном полупроводнике (N < 1021 м-3) ρ возрастает за счет рассеяния на тепловых колебаниях узлов кристаллической решетки. При базовой концентрации примеси удельное сопротивление обратно пропорционально N

т.е. с увеличением концентрации примеси ρ уменьшается, но отклоняется от прямолинейной зависимости (пунктирной линии «а» на рис. 39) из-за снижения подвижности заряда на ионизированных атомах примеси (рис. 40,а). Удельное сопротивление германия p- типа выше, чем германия n-типа, так как подвижность дырок ниже подвижности электронов.

Рис. 39. Зависимость удельного электросопротивления германия и кремния от концентрации примеси при 20˚С

125