- •Министерство образования рф
- •Лекция 1 Заполнение зон электронами. Проводники, диэлектрики и полупроводники
- •Собственные полупроводники
- •Примесные полупроводники
- •Лекция 2 Принципы работы полупроводниковых приборов и их применение Диоды
- •Прямое включение: Обратное включение:
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Светодиоды
- •Фоторезисторы
- •Люкс-амперная характеристика фоторезистора Фотоэлементы с p-n-переходом
- •Фотодиоды
- •Упрощенная структура фотодиода и его условное графическое обозначение
- •Термоэлектрогенераторы и термоэлектрохолодильники
- •Эффект Холла
- •Тензорезисторы
- •Лекция 3 Механические свойства материалов
- •Диаграмма растяжения
- •Пластичность и хрупкость. Твердость
- •Кривые растяжения материалов: а-хрупкого, б-пластичного
- •Способы измерения твёрдости
- •Для каждого материала существует установленная госТом сила вдавливания f
- •Твёрдость материала по Бринелю рассчитывают исходя из площади отпечатка.
- •Влияние энергии химических связей на свойства материалов
- •Теоретическая и реальная прочности кристаллов на сдвиг
- •Лекция 4 Кристаллизация металлов
- •Самопроизвольная кристаллизация
- •Кривые охлаждения металла
- •Изменение скорости образования зародышей (с. З.) и скорости роста кристаллов (с. Р.) в зависимости от степени переохлаждения
- •Несамопроизвольная кристаллизация
- •Получение монокристаллов
- •Схемы установок для выращивания монокристаллов
- •Аморфное состояние металлов
- •Термодинамическое обоснование диаграммы состояния сплавов, компоненты которых полностью растворимы в жидком и твердом состояниях Полиморфизм
- •Лекция 5 Влияние нагрева на структуру и свойства металлов
- •Холодная и горячая деформации
- •Термическая обработка металлов и сплавов Определения и классификация
- •Нагрев для снятия остаточных напряжений
- •Рекристаллизационный отжиг
- •Диффузионный отжиг (гомогенизация)
- •Лекция 6 Термохимическая обработка Назначение и виды химико-термической обработки
- •Цементация
- •Цианирование и нитроцементация
- •Азотирование
- •Диффузионная металлизация
- •Алитирование (Al)
- •Хромирование (Cr)
- •Борирование (b)
- •Силицирование (Si)
- •Поверхностно-пластическая деформация
- •Литье под давлением
- •Центробежное литье
- •Литье под низким давлением
- •Литье выжиманием
- •Лекция 8 Конструкционные материалы Общие требования, предъявляемые к конструкционным материалам
- •Прочность конструкционных материалов и критерии ее оценки
- •Классификация конструкционных материалов
- •Стали, обеспечивающие жесткость, статическую и циклическую прочности
- •Классификация конструкционных сталей
- •Влияние углерода и постоянных примесей на свойства стали
- •Диаграмма состояния железоуглеродистых сплавов
- •Превращения в сплавах системы железо-цементит
- •Диаграмма состояния Fe-Fe3c
- •Характерные точки диаграммы состояния железо-цементит
- •Углеродистые стали
- •Легированные стали
- •Лекция 9 Цветные сплавы Медные сплавы
- •Свойства промышленных латуней, обрабатываемых давлением
- •Сплавы на основе алюминия
- •Механические свойства алюминия
- •Сплавы на основе магния
- •Титан и сплавы на его основе
- •Механические свойства иодидного и технического титана
- •Лекция 10 Органические полимеры
- •Дополнительные компоненты полимерных композиций
- •Неполярные и слабополярные термопласты
- •Полярные термопласты
- •Термореактивные полимеры
- •Слоистые пластмассы
- •Металлопласты
- •Лекция 11 Неорганические материалы
- •Кристаллическая решетка графита
- •Неорганическое стекло
- •Ситаллы
- •Керамика
- •Лекция 12 Композиционные материалы Композиционные материалы с металлической матрицей
- •Композиционные материалы с неметаллической матрицей
- •Бороволокниты
- •Органоволокниты
- •Список литературы
Лекция 2 Принципы работы полупроводниковых приборов и их применение Диоды
В пластине полупроводника, на границе между двумя слоями с различного рода электропроводностями, образуется электронно-дырочный переход, называемый также p-n-переходом или запирающим слоем. Этот слой обладает вентильными свойствами, т. е. односторонней проводимостью. Это явление можно пояснить следующими положениями. Концентрация электронов в n-области во много раз больше, чем их концентрация в p-области, где они служат неосновными носителями заряда. Вследствие этого электроны диффундируют в область их низкой концентрации — p-область. Здесь они рекомбинируют с дырками акцепторов и таким путем образуют пространственный (объемный) отрицательный заряд ионизированных атомов акцепторов, не скомпенсированный положительным зарядом дырок — основных носителей заряда в этой области.
Одновременно происходит диффузия дырок в n-область. Здесь создается нескомпенсированный зарядом электронов пространственный положительный заряд ионов доноров. Таким путем между двумя областями полупроводника возникает двойной слой пространственного заряда, обедненный основными носителями заряда. Из-за наличия пространственных зарядов возникает перепад электрического потенциала между p- и n-областями. Его называют потенциальным барьером, а его величину — высотой потенциального барьера.
Электронно-дырочный переход нельзя получить, наложив одну на другую пластины, изготовленные из полупроводников с различной примесной проводимостью, так как между пластинами неизбежно наличие поверхностных пленок или очень тонкого слоя воздуха. Такой переход создается лишь посредством образования областей с различными электропроводностями в одной пластине полупроводника. Такой двухслойный полупроводниковый прибор с p-n-переходом называется полупроводниковым диодом.
Если положительный полюс источника электроэнергии соединен с p-областью полупроводникового диода, а отрицательный — с n-областью, то электрическое поле источника ослабляет до малой величины действие пространственных зарядов — снижает потенциальный барьер диода, вследствие чего резко возрастает диффузия и вместе с ней ток через p-n-переход. Такое включение полупроводникового диода называется прямым.
При обратном включении полупроводникового диода, когда с p-областью соединен минус источника напряжения, а с n-областью — плюс этого источника, внешнее поле усиливает поле пространственных зарядов и удаляет носители заряда с обеих сторон перехода. Через p-n-переход создается в этом случае лишь весьма малый ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда. Но из-за этого тока обратное сопротивление полупроводникового диода является конечной величиной.
Прямое включение: Обратное включение:
У диодов в качестве одного из основных параметров используют обратный ток Iобр, который измеряют при определенном значении обратного напряжения.
I
= I(e- 1)
Закон изменения тока
Стабилитроны
Полупроводниковые стабилитроны, называемые иногда опорными диодами, предназначены для стабилизации напряжений. Их работа основана на использовании явления электрического пробоя p-n-перехода при включении диода в обратном направлении.
Материалы, используемые для создания p-n-перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию примесей. При этом напряженность электрического поля в p-n-переходе значительно выше, чем у обычных диодов. При относительно небольших обратных напряжениях в p-n-переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой. В этом режиме нагрев диода не носит лавинообразного характера. Поэтому электрический пробой не переходит в тепловой.
d
E
=
~
U - напряжение стабилизации