- •1)Электроны движутся вокруг ядра по «орбитам»,
- •1. Получения
- •1) Дефекты по Френкелю
- •2)Дефекты по Шотки
- •Концентрация нормальных колебаний (фононов)
- •1/Т реализованы, энер –
- •Туннельный эффект
- •Эффективная масса электрона
- •Положения уровня Ферми в полупроводниках и диэлектриках
- •Зависимость энергии от волнового числа
- •Эффект Ганна
- •Контактные явления
- •Переходный слой на контакте двух металлов
- •Переход металл - полупроводник
- •Вах перехода
- •Сверхпроводимость
Зависимость энергии от волнового числа
, где р – импульс, к – волновое число
E
R
Е = Е(к) энергия есть функция от волнового числа, причём периодическая, т. к. кристаллическая решетка периодична.
Ψ=U(x)*eikx, где U(х) – периодическая функция, изменяющаяся с периодом А
Ψ=(x+n*a)*e-ikx ; где а – расстояние между атомами в данном направлении в кристалле (ребро кристалличес-
кой ячейки), Е(к) – энергия электрона в кристалличес-
кой решетке
Е(к)=Еа+а+2Аcos(kx), где ЕА – энергия, соответствую-
щая уровню электрона в атоме; а – влияние других электронов обусловленное созданием зоны; 2Acosкх – энергия, обусловленная обменным взаимодействием.
Е
Для простейшей кубической
кристаллической решётки.
к 39
Зоной Бриллюэна называют совокупность значений к,
на которой энергия осуществляет полный цикл своих изменений
Эффект Ганна
Диоды Гана устроены так: 4,5*10^9 Гц ; толщина мень
ше 1 мм, изготовляют из кристалла арсенида галлия вырезанного в направлении оси [1;0;0], либо [1;1;1] –
но это менее эффективно
Арсенид галлия имеет такую зону Бриллюэна в направлении оси [1;0;0]
E
mэф = 0,072 mo
mэф = 0,072 mo 0,8 ko ko k
Из кристалла GaAs вырезают цилиндрик размером 200
– 500 мкм
металлические контакты
l
no
l
К металлическим контактам подается напряжение, электроны движутся с «-» на «+»
При росте разности потенциалов в какой-то момент электроны станут перетекать из 1 min во 2. Масса будет увеличиваться, подвижность будет падать.
Из – за этого появляются тяжелые электроны
no появился диполь
Произошёл скачок
разности потенциалов
l и напряжённости.Скачок
напряжённости называ-
ется доменом.
l
Домен выйдет из кристалла, образуется новый домен,
т к возросла разность потенциалов. Это устрой-
ство генерирует высокочастотные электромагни-
тные волны. 40
Зависимость скоростей движения домена от напряжен-
ности. см/с
где Т - время
2*107 за которое домен про-
ходит кристалл.
107
кВ/см
5 10
Для диодов Ганна используются в радиолокации, мощность зависит от толщины. Существенно важно, чтобы GaAs был очень чистым. Если будут примеси,
то сигнал не будет монохроматичным.