- •1)Электроны движутся вокруг ядра по «орбитам»,
- •1. Получения
- •1) Дефекты по Френкелю
- •2)Дефекты по Шотки
- •Концентрация нормальных колебаний (фононов)
- •1/Т реализованы, энер –
- •Туннельный эффект
- •Эффективная масса электрона
- •Положения уровня Ферми в полупроводниках и диэлектриках
- •Зависимость энергии от волнового числа
- •Эффект Ганна
- •Контактные явления
- •Переходный слой на контакте двух металлов
- •Переход металл - полупроводник
- •Вах перехода
- •Сверхпроводимость
Туннельный эффект
Понятие возникло при изучении альфа распада.
U
¦Ψ¦2
X
Альфа частица находится в ядре в потенциальной яме, иначе вещества бы не существовало. Энергии альфа частиц известны (они были определены с помощью камеры Вильсона). С помощью квантовой теории изобразили ¦Ψ¦2 и уравнение Шредингера может объяснить этот эффект
Пусть имеется барьер прямоугольный и частица с энергией. Энергия попадает на барьер высота кот-го U и приникает ч/з него. Это явление имеется на контакте 2 проводников. Часть света отражается, а часть проходит ч/з барьер
30
0, X<0
U= U, 0≤X≤ℓ
0, X>ℓ
Уравнение Шредингера для трёх областей I, II, III
Решим это уравнение для областей I, II, III
I)
характеристическое
уравнение
II)
III) K56=K12
решение уравнения:
Ψ1=А1еК1Х+В1еК2Х
Ψ2=А2еК3Х+В2еК4Х;
Ψ3=А3еК5Х+В2еК6Х
I) А1еК1Х – соответствует волне частиц распространяющейся в положительном направлении
(сквозь потенциальный барьер)
В1еК2Х – в отрицательном
II) Никаких волн нет, процесс изменяется по экспоненте
III) Будет только прямая волна, обратной не будет,
т. к. отразиться частицам будет не отчего, следовательно, В3=0
Коэффициент прозрачности барьера есть отношение интенсивности потока частиц прошедших сквозь барьер к первоначальной интенсивности
интенсивность пропорциональна квадрату амплитуды
следовательно
Выражения I, II, III поделим на А1
Ψ1=еК1Х+b1еК1Х;
Ψ2=а2еК3Х+b2еК4Х;
Ψ3=a3еК5Х
Осталось 4 неизвестных, для них запишем
Ψ1(0)= Ψ2(0) ; Ψ2(ℓ)=Ψ3(ℓ)
На границе областей Ψ функции непрерывны и их 31 производные также непрерывны, т е
Ψ’1(0)= Ψ’2(0); Ψ’3(ℓ)=Ψ’4(ℓ)
для прямоугольного потенциального барьера
Dо = 0,998 ≈ 1
ℓ=1 Ао, U – E=5эВ; D=0,1
ℓ=2 Ао , U – E=5эВ; D=0,008
Эффективная масса электрона
К кристаллу подвели некоторую энергию (нагрели, облучили). Энергия электронов находящихся в кристалле изменяется на ту же величину. Изменение массы соответствует физической теории. Но может оказаться, что изменение массы меньше, чем подведенная энергия. В этом случае говорят, что эффективная масса электронов возросла. Увеличение эффективной массы связано с тем, что подводимая к кристаллу энергия идет не только на увеличение кинетической энергии электронов, но и на увеличение их потенциальной энергии.
Это связано с тем, что электрон, находящийся в кристалле взаимодействует с полями внутри этого кристалла.
Кристалл арсенида галлия
0,072 mo - 1,2 mo
;
- эффективная масса