Порядок розрахунків.

1. Побудувати на аркуші міліметрового паперу вольт-амперну характеристику діода в масштабах: по U_пр – 0,1 В в1 см, по І_пр – 0,02 А в 1 см, по U_звор – 1 В в 1 см, по і_звор – 410^-6 А в 1 см.

2. Побудувати на аркуші міліметрового паперу зворотну гілку вольт-амперної характеристики діода у збільшеному масштабі: по U_звор – 0,02 В в 1 см, по і_звор – 110^-6 А в 1 см.

3. Визначити напругу відсічки прямої гілки вольт-амперної характеристики діода, продовживши її прямолінійну частину до перетину з віссю абсцис, а по нахилу визначити R_{д пр}.

4. Провести дослідження зворотної гілки вольт-амперної характеристики, побудованої в збільшеному масштабі, дотичну в точці з координатами (0, 0) і по її нахилу визначити в омах динамічний зворотний опір в нулі R_{д звор}.

5. Визначити в амперах (А) зворотний струм насичення германійового діода при кімнатній температурі, а кремнійового – при температурі 110С або 120С за вказівкою викладача. Визначити по вольт-амперній характеристиці величину прямого струму при класифікаційному прямому спаді напруги в А, визначити коефіцієнт випрямлення діода по формулі k = і_{пр кл}/і_s.

6. По формулі (7.22) розрахувати ширину забороненої зони напівпровідника, з якого виготовлений діод Д₄, з точністю до 0,01 еВ.

7. Як кінцеві результати привести напругу відсічки, динамічний опір в прямому і зворотному напрямках і коефіцієнт випрямлення першого з досліджуваних діодів, а також ширину забороненої зони напівпровідника, з якого виготовлений другий з досліджуваних діодів (Д₄).

Таблиця вимірювань.

Діод типу ______

іпр, А	0,01	0,02	0,03	0,04	0,05	0,06	0,07	0,08	0,09	0,10	0,15	0,20
Uпр, В

Uзвор, В	0,01	0,02	0,03	0,04	0,05	0,06	0,07	0,08	0,09	0,1	0,2	0,3
ізвор, А
Uзвор, В	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1	2	3	4	5	6
ізвор, А
Uзвор, В	7	8	9
ізвор, А

t, С

T, K

iзвор, А

х, К-1

y