- •1. Электропроводимость полупроводников
- •2. Примесные полупроводники
- •3 . Токи в полупроводнике. Дрейф и диффузия
- •4. Электрические переходы
- •(6)Р-n переход при внешнем напряжении, приложенном к нему
- •7. Физические процессы в р-п переходе и его свойства при внешнем электрическом напряжении
- •9.Пробой p-n перехода
- •10.Ёмкости p-n перехода
- •11.Полупроводниковые диоды
- •12. Вольт-амперная характеристика диода
- •13.Эквивалентная схема диода
- •14. Влияние температуры на вах диода
- •15.Выпрямительные диоды
- •16.Импульсные диоды
- •17. Диоды Шотки.
- •18. Стабилитроны и стабисторы
- •19.Варикапы
- •20.Туннельные и обращенные диоды
- •21.Маркировка полупроводниковых диодов
- •22.Биполярные транзисторы
- •23.Основные соотношения для токов в биполярном транзисторе.
- •24.Режимы работы биполярного транзистора
- •25. Схемы включения биполярного транзистора
- •26.Вольтамперные характеристики (вах) биполярного транзистора об
- •При подаче запирающего напряжения на коллектор ( ), входные характеристики, незначительно смещаются влево, эффект модуляции ширины базы
- •27. Усилительные свойства и параметры биполярного транзистора, схема об
- •28. Статические вах биполярного транзистора в схеме с оэ
- •29. Усилительные свойства и параметры биполярного транзистора, схема оэ
- •30.Математическая модель транзистора
- •31.Физические эквивалентные схемы транзистора и их параметры
- •3 2.Формальные схемы замещения транзистора и их параметры
- •33.Влияние температуры на работу транзистора.
- •34.Предельно допустимые параметры транзистора
- •35.Полевые транзисторы
- •36. Устройство и принцип действия полевого транзистора
- •36 Продол Статические характеристики полевого транзистора с р-п переходом
- •37. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •39. Схемы включения полевого транзистора
- •40. Формальная схема замещения пол транз и ее дифф параметры
- •41. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора
- •42. Система обозначения транзисторов
- •43. Тиристоры
- •44. Общая харка микроэлектронных устройств и интегральных микросхем
- •45. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы
- •46. Система обозначений интегральных микросхем
- •47. Усилители электрических сигналов. Структурная схема. Параметры и хар-ки
- •О сновные параметры и характеристики усилителя
- •48. Амплитудная характеристика
- •49. Искажение в усилителях и в электронных сигналах. Искажения в усилителях
- •5 0. Классификация усилителей электрических сигналов
- •51. Многокаскадные усилители электрических сигналов.
- •52. Режимы работы активных элементов усилительного каскада
- •5 3. Принцип и анализ работы усилительного каскада на биполярном
- •54. Способы задания раб. Режима актив элемента усил. Каскада и его стабилизация
- •55. Принцип и анализ работы усил каскада на биполярном транзисторе
- •56. Обратная связь в усилителях. Структурная схема и коэффициент усиления
- •57. Типы обратной связи
- •58. Влияние отрицательной обратной связи на параметры и характеристики
- •59. Устойчивость усилителей с обратной связью
- •60. Усилительные каскады на биполярных транзисторах с rc связью
- •61. Эквивалентная схема одиночного усилительного каскада
- •62. Амплитудно-фазочастотные характеристики усилителя на биполярном транзисторе rc-цепи
- •63. Импульсные и широкополосные усилители
- •Коррекция в области вч за счет введения частотно-зависимых эл-ов в коллекторную цепь
- •64. Избирательные усилители.Виды избирательских усилителей
- •65. Усилители мощности и их класификация
- •Выходная мощность:
- •Классификация усилителей мощности
- •66. Усилители мощности с трансформаторной связью
- •67. Бестранзисторные усилители мощности
- •68. Двухтактные безтрансформаторные усилители мощности
- •69. Усилители постоянного тока (упт)
- •70. Основные параметры дифференциального каскада
- •Упт с преобразованием частоты входного сигнала
- •71. Операционные усилителию Структурная схема. Классификация
- •72. Параметры и характеристики оу
- •Скорость нарастания выходного сигнала ,
- •73. Анализ устройств содержащих оу Понятие об идеальном оу. Операционном усилителе
- •74. Неивертирующий усилитель на оу
- •7 5. Инвертирующий усилитель.
- •76. Инвертирующий сумматор
- •77. Усилитель разности напряжения
- •78 Дифференцирующий усилитель
- •79 Интегрирующий усилитель
- •80 Компараторы напряжения
- •Н едостатком оу при использовании их в качестве компараторов является невысокое быстродействие переключения (из-за сложности схемы и большого числа активных элементов).
- •81 Разновидности схем компараторов
- •Двухвходовый инвертирующий компаратор
- •Двухвходовый неинвертирующий компаратор.
- •Одновходовый инвертирующий компаратор.
- •Одновходовый неинвертирующий компаратор. Разновидности схем компараторов
- •Двухвходовый инвертирующий компаратор
- •Двухвходовый неинвертирующий компаратор.
- •Одновходовый инвертирующий компаратор.
- •Одновходовый неинвертирующий компаратор.
- •82 Компараторы с положительной обратной связью
- •Инвертирующий компаратор с положительной обратной связью
- •84 Генераторы электрических сигналов
- •В зависимости от элементов, опредчастоту автогенератора, генераторы бывают:
- •85 Ацп Назначение и классификация
- •86 Цап Назначение и классификация
- •Основные параметры и характеристики цап
- •Наибольшее распространение получили цап параллельного типа с суммированием токов, т.К. Они обладают наилучшим быстродействием преобразования.
- •87 Выпрямительные устройства Однофазный однополупериодный выпрямитель
- •88 Однофазный двухполупериодный выпрямитель
- •89 Однофазный двухполупериодный выпрямитель с выводом средней точки
- •90 Стабилизаторы постоянного напряжения
- •Стабилизаторы постоянного напряжения
16.Импульсные диоды
Импульсные диоды – это диоды, которые предназначены для работы в ключевом режиме в импульсных схемах. Диоды выполняют роль электрических ключей. ключ имеет два состояния: 1. Замкнутое, когда его сопротивление равно нулю Rvd =0.
Разомкнутое, когда его сопротивление бесконечно Rvd=∞.
Этим требованиям удовлетворяют диоды в зависимости от полярности приложенного напряжения. Они имеют малое сопротивление при смещениях в прямом направлении, и большое сопротивление при смещениях в обратном направлении
Важным параметром переключающих диодов является их быстродействие переключения. Факторами, ограничивающими скорость переключения диода, является:
а) ёмкость диода. б) скорость диффузии и связанные с ней время накопления и рассасывания неосновных носителей заряда.
И мпульсные диоды характеризуются теми же параметрами, что и выпрямительные, но имеют так же и специфические, связанные с быстродействием переключения. К ним относятся:
Время установления прямого напряжения на диоде (tуст ):
tуст. – время, за которое напряжение на диоде при включении прямого тока достигает своего стационарного значения с заданной точностью.
2)Время восстановления обратного сопротивления диода (tвосст.): определяется как время, в течение которого обратный ток диода после переключения полярности приложенного напряжения с прямого на обратное достигает своего стационарного значения с заданной точностью.
tвосст. – время, за которое обратный ток достигает своего стационарного значения, с заданной точностью I0, обычно 10% от максимального обратного тока. tвосст.= t1.+ t2.
t1. – время рассасывания, концентрация неосновных носителей заряда на границе р-п-перехода обращается в ноль. t2. – время разряда диффузионной емкости.
17. Диоды Шотки.
Э лектрический переход, возникающий на границе металл – полупроводник, при определенных условиях обладает выпрямительными свойствами. Он создаётся путём напыления металла на высокоомный полупроводник, например, n-типа. Прибор на основе такого перехода называется диодом Шотки. Главная особенность этого диода – это отсутствие неосновных носителей заряда в процессе его работы. Прямой ток обусловлен электронами, движущимися из кремния в металл. Следовательно, практически отсутствуют процессы их накопления и рассасывания, а потому диоды Шоттки имеют высокое быстродействие переключения.
Другой особенностью этих диодов является малое (по сравнению с обычными кремниевыми диодами) прямое напряжение, составляющее около 0,15В. Это связано с тем, что тепловой ток примерно на три порядка превышает ток р-n- перехода.
В импульсных схемах диоды Шоттки широко используются в комбинации с транзисторами. Такие транзисторы называются транзисторами Шотки – они имеют высокое быстродействие переключения.
18. Стабилитроны и стабисторы
С табилитрон – это полупроводниковый диод, изготовленный из слабо легированного кремния, который применяется для стабилизации постоянного напряжения. ВАХ стабилитрона при обратном смещении имеет участок малой зависимости напряжения от тока протекающего через него. Этот участок возникает за счёт электрического пробоя (рис. ниже). На участке 1-2 напряжение на диоде остается практически постоянным при изменении тока через диод.
Стабилитрон характеризуется следующими параметрами:
Н
оминальное
напряжение стабилизации Uст.
ном
— номинальное напряжение на стабилитроне
в рабочем режиме; номинальный
ток стабилизации Iст.ном
–
ток через стабилитрон; минимальный
ток стабилизации Iст
min
— наименьшее значение
тока стабилизации;
Рис.2.2
ТКН – температурный коэффициент напряжения стабилизации:
, – относительное изменение напряжения на стабилитроне приведённое к одному градусу. К параметрам стабилитронов также относят максимально допустимый прямой ток Imax, максимально допустимый импульсный ток Iпр.и max, максимально допустимую рассеиваемую мощность Р max. Разновидности стабилитронов:
1. Прецизионные. Они имею малое значение ТКН и нормированную величину Uст.ном. Малое ТКН достигается путем включения последовательно со стабилитроном (VD2), имеющим положительный ТКН диоды (VD1) в прямом направлении, ТКН которого отрицателен. Поскольку общий ТКН равен их сумме, то он оказывается малым по величине.
2 . Двуханодный стабилитрон. Он состоит из двух стабилитронов включенных встречно-последовательно и применяется для стабилизации амплитуды переменных напряжений.
Стабисторы – это полупроводниковые диоды в которых для стабилизации напряжения используется прямая ветвь ВАХ. В таких диодах база сильно легирована примесями (rб→0), а потому их прямая ветвь практически идет вертикально. Параметры стабистора аналогичны параметрам стабилитрона. Они применяются для стабилизации малых напряжений (Uст.ном. ≈0.6В).