- •1. Электропроводимость полупроводников
- •2. Примесные полупроводники
- •3 . Токи в полупроводнике. Дрейф и диффузия
- •4. Электрические переходы
- •(6)Р-n переход при внешнем напряжении, приложенном к нему
- •7. Физические процессы в р-п переходе и его свойства при внешнем электрическом напряжении
- •9.Пробой p-n перехода
- •10.Ёмкости p-n перехода
- •11.Полупроводниковые диоды
- •12. Вольт-амперная характеристика диода
- •13.Эквивалентная схема диода
- •14. Влияние температуры на вах диода
- •15.Выпрямительные диоды
- •16.Импульсные диоды
- •17. Диоды Шотки.
- •18. Стабилитроны и стабисторы
- •19.Варикапы
- •20.Туннельные и обращенные диоды
- •21.Маркировка полупроводниковых диодов
- •22.Биполярные транзисторы
- •23.Основные соотношения для токов в биполярном транзисторе.
- •24.Режимы работы биполярного транзистора
- •25. Схемы включения биполярного транзистора
- •26.Вольтамперные характеристики (вах) биполярного транзистора об
- •При подаче запирающего напряжения на коллектор ( ), входные характеристики, незначительно смещаются влево, эффект модуляции ширины базы
- •27. Усилительные свойства и параметры биполярного транзистора, схема об
- •28. Статические вах биполярного транзистора в схеме с оэ
- •29. Усилительные свойства и параметры биполярного транзистора, схема оэ
- •30.Математическая модель транзистора
- •31.Физические эквивалентные схемы транзистора и их параметры
- •3 2.Формальные схемы замещения транзистора и их параметры
- •33.Влияние температуры на работу транзистора.
- •34.Предельно допустимые параметры транзистора
- •35.Полевые транзисторы
- •36. Устройство и принцип действия полевого транзистора
- •36 Продол Статические характеристики полевого транзистора с р-п переходом
- •37. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •39. Схемы включения полевого транзистора
- •40. Формальная схема замещения пол транз и ее дифф параметры
- •41. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора
- •42. Система обозначения транзисторов
- •43. Тиристоры
- •44. Общая харка микроэлектронных устройств и интегральных микросхем
- •45. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы
- •46. Система обозначений интегральных микросхем
- •47. Усилители электрических сигналов. Структурная схема. Параметры и хар-ки
- •О сновные параметры и характеристики усилителя
- •48. Амплитудная характеристика
- •49. Искажение в усилителях и в электронных сигналах. Искажения в усилителях
- •5 0. Классификация усилителей электрических сигналов
- •51. Многокаскадные усилители электрических сигналов.
- •52. Режимы работы активных элементов усилительного каскада
- •5 3. Принцип и анализ работы усилительного каскада на биполярном
- •54. Способы задания раб. Режима актив элемента усил. Каскада и его стабилизация
- •55. Принцип и анализ работы усил каскада на биполярном транзисторе
- •56. Обратная связь в усилителях. Структурная схема и коэффициент усиления
- •57. Типы обратной связи
- •58. Влияние отрицательной обратной связи на параметры и характеристики
- •59. Устойчивость усилителей с обратной связью
- •60. Усилительные каскады на биполярных транзисторах с rc связью
- •61. Эквивалентная схема одиночного усилительного каскада
- •62. Амплитудно-фазочастотные характеристики усилителя на биполярном транзисторе rc-цепи
- •63. Импульсные и широкополосные усилители
- •Коррекция в области вч за счет введения частотно-зависимых эл-ов в коллекторную цепь
- •64. Избирательные усилители.Виды избирательских усилителей
- •65. Усилители мощности и их класификация
- •Выходная мощность:
- •Классификация усилителей мощности
- •66. Усилители мощности с трансформаторной связью
- •67. Бестранзисторные усилители мощности
- •68. Двухтактные безтрансформаторные усилители мощности
- •69. Усилители постоянного тока (упт)
- •70. Основные параметры дифференциального каскада
- •Упт с преобразованием частоты входного сигнала
- •71. Операционные усилителию Структурная схема. Классификация
- •72. Параметры и характеристики оу
- •Скорость нарастания выходного сигнала ,
- •73. Анализ устройств содержащих оу Понятие об идеальном оу. Операционном усилителе
- •74. Неивертирующий усилитель на оу
- •7 5. Инвертирующий усилитель.
- •76. Инвертирующий сумматор
- •77. Усилитель разности напряжения
- •78 Дифференцирующий усилитель
- •79 Интегрирующий усилитель
- •80 Компараторы напряжения
- •Н едостатком оу при использовании их в качестве компараторов является невысокое быстродействие переключения (из-за сложности схемы и большого числа активных элементов).
- •81 Разновидности схем компараторов
- •Двухвходовый инвертирующий компаратор
- •Двухвходовый неинвертирующий компаратор.
- •Одновходовый инвертирующий компаратор.
- •Одновходовый неинвертирующий компаратор. Разновидности схем компараторов
- •Двухвходовый инвертирующий компаратор
- •Двухвходовый неинвертирующий компаратор.
- •Одновходовый инвертирующий компаратор.
- •Одновходовый неинвертирующий компаратор.
- •82 Компараторы с положительной обратной связью
- •Инвертирующий компаратор с положительной обратной связью
- •84 Генераторы электрических сигналов
- •В зависимости от элементов, опредчастоту автогенератора, генераторы бывают:
- •85 Ацп Назначение и классификация
- •86 Цап Назначение и классификация
- •Основные параметры и характеристики цап
- •Наибольшее распространение получили цап параллельного типа с суммированием токов, т.К. Они обладают наилучшим быстродействием преобразования.
- •87 Выпрямительные устройства Однофазный однополупериодный выпрямитель
- •88 Однофазный двухполупериодный выпрямитель
- •89 Однофазный двухполупериодный выпрямитель с выводом средней точки
- •90 Стабилизаторы постоянного напряжения
- •Стабилизаторы постоянного напряжения
42. Система обозначения транзисторов
Формирование условного обозначения биполярных транзисторов осуществляется на основе буквенно - цифрового кода, расшифровка буквенно - цифрового кода приведена в таблице 1.
|
Таблица 1 - Обозначение биполярных транзисторв
К Т 3 1 5 А , Г Т 7 0 1 А , К П 3 0 3 Е
1 2 3 4 5 6
Аналогично диодам.
1 – характеризует материал. Г,1 –Ge; К,2 –Si;
2 – функциональное назначение.
Т – транзистор(биполярный);
П – полевой;
3 – цифра связанная с мощьностью рассеивания и его частотными свойствами.
43. Тиристоры
Тиристоры это полупроводниковые приборы с тремя и более р-п-переходами. Они предназначены, для использования в качестве электронных ключей в схемах коммутации больших по величине токов при сравнительно невысоком быстродействие.
В зависимости от вида ВАХ и способа управления тиристоры делят на диодные и триодные. Диодные тиристоры имеют два выводы – анод и катод. В зависимости от способа управления включения или выключения тока, они бывают: запираемые в обратном направлении (рис.5.1.а), проводящие в обратном направлении (рис.5.1.б) и симметричные (рис.5.1. в).
а) б) в) а) б) в) г) д)
рис. 5.1. рис. 5.2
Симметричные диодные динисторы представляют собой встречно-последовательное соединение тиристоров запираемых в обратном направлении. Они способны пропускать ток как в прямом, а также в обратном направлении. Они имеют два вывода, которые называются: анод 1, и анод 2. Триодные тиристоры называют просто – тиристорами. Они имеют три вывода. Появляется третий управляющий электрод (УЭ) рис.5.2. Напряжение, подаваемое на него, позволяет управлять включением (выключением) тиристора. Триодные тиристоры подразделяют на: запираемые в обратном направлении с управлением по аноду (рис.5.1. а) и по катоду (рис.5.1. б), проводящие в обратном направлении с управлением по аноду (рис.5.1. в) и по катоду (рис.5.1. г), симметричные (двунаправленные) (рис.5.1. в).
Простейший диодный тиристор имеет четырехслойную р-п-р-п-структуру (рис.5.б),
изготовленную из кремния. Область р1, на которую подают положительное напряжение от источника напряжения Еа ,
н азывается – анодом, область п2 – катодом, а области п1 и р2 – базами. Между р и п областями возникают р-п-переходы П1, П2, П3. Переходы П1 и П3 называются эмиттерными, переход П2 – коллекторным т.к. он смещен в обратном направлении. Аналогом тиристора может служить схема (рис.5.а) из двух биполярных транзисторов VT1 – р-п-р-типа и VT2 - п-р-п-типа.
Вольт-амперная характеристика динистора приведен на рис.5.3в. На ней можно выделить четыре участка. Участок – 1. На аноде положительное напряжение. Переходы П1 и П3 смещены в прямом направлении, а переход П2 – в обратном. Iкп=1Iэ1+ 2Iэ2 +Iко,
где 1 и 2 – коэффициенты инжекции тока эмиттерных переходов П1 и П3. Очевидно, что Iкп=Iэ1=Iэ2= Iа т.к. это элементы одной злектрической ветви, а потому Iа=I/ко (1-(1+ 2)) Участок 2. При определенном значении напряжения Uак, называемом напряжением включения Uвкл, 1 + 2 =1. Ток в соответствии с (6.4) должен стремиться к бесконечности. Участок 3, соответствует ВАХ диода в отрытом состоянии. Это проводящее состояние динистора. IаЕа /R. Участок 4. Переходы П1 и П3 смещены в обратном направлении. Ток динистора мал. Это запертое т.е. непроводящее ток, состояние динистора. Параметры тиристоров. Тиристоры принято характеризовать напряжением и током включения; максимально допустимым обратным напряжением, максимально допустимым током в открытом состоянии, падением напряжения на приборе при максимально допустимом прямом токе; током выключения или его называют током удержания (током, ниже которого прибор переходит в закрытое состояние), минимальной длительностью включающего импульса: Все эти параметры и ряд дополнительных данных об условиях эксплуатация тиристоров приводится в соответствующих справочниках.