- •1. Электропроводимость полупроводников
- •2. Примесные полупроводники
- •3 . Токи в полупроводнике. Дрейф и диффузия
- •4. Электрические переходы
- •(6)Р-n переход при внешнем напряжении, приложенном к нему
- •7. Физические процессы в р-п переходе и его свойства при внешнем электрическом напряжении
- •9.Пробой p-n перехода
- •10.Ёмкости p-n перехода
- •11.Полупроводниковые диоды
- •12. Вольт-амперная характеристика диода
- •13.Эквивалентная схема диода
- •14. Влияние температуры на вах диода
- •15.Выпрямительные диоды
- •16.Импульсные диоды
- •17. Диоды Шотки.
- •18. Стабилитроны и стабисторы
- •19.Варикапы
- •20.Туннельные и обращенные диоды
- •21.Маркировка полупроводниковых диодов
- •22.Биполярные транзисторы
- •23.Основные соотношения для токов в биполярном транзисторе.
- •24.Режимы работы биполярного транзистора
- •25. Схемы включения биполярного транзистора
- •26.Вольтамперные характеристики (вах) биполярного транзистора об
- •При подаче запирающего напряжения на коллектор ( ), входные характеристики, незначительно смещаются влево, эффект модуляции ширины базы
- •27. Усилительные свойства и параметры биполярного транзистора, схема об
- •28. Статические вах биполярного транзистора в схеме с оэ
- •29. Усилительные свойства и параметры биполярного транзистора, схема оэ
- •30.Математическая модель транзистора
- •31.Физические эквивалентные схемы транзистора и их параметры
- •3 2.Формальные схемы замещения транзистора и их параметры
- •33.Влияние температуры на работу транзистора.
- •34.Предельно допустимые параметры транзистора
- •35.Полевые транзисторы
- •36. Устройство и принцип действия полевого транзистора
- •36 Продол Статические характеристики полевого транзистора с р-п переходом
- •37. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •39. Схемы включения полевого транзистора
- •40. Формальная схема замещения пол транз и ее дифф параметры
- •41. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора
- •42. Система обозначения транзисторов
- •43. Тиристоры
- •44. Общая харка микроэлектронных устройств и интегральных микросхем
- •45. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы
- •46. Система обозначений интегральных микросхем
- •47. Усилители электрических сигналов. Структурная схема. Параметры и хар-ки
- •О сновные параметры и характеристики усилителя
- •48. Амплитудная характеристика
- •49. Искажение в усилителях и в электронных сигналах. Искажения в усилителях
- •5 0. Классификация усилителей электрических сигналов
- •51. Многокаскадные усилители электрических сигналов.
- •52. Режимы работы активных элементов усилительного каскада
- •5 3. Принцип и анализ работы усилительного каскада на биполярном
- •54. Способы задания раб. Режима актив элемента усил. Каскада и его стабилизация
- •55. Принцип и анализ работы усил каскада на биполярном транзисторе
- •56. Обратная связь в усилителях. Структурная схема и коэффициент усиления
- •57. Типы обратной связи
- •58. Влияние отрицательной обратной связи на параметры и характеристики
- •59. Устойчивость усилителей с обратной связью
- •60. Усилительные каскады на биполярных транзисторах с rc связью
- •61. Эквивалентная схема одиночного усилительного каскада
- •62. Амплитудно-фазочастотные характеристики усилителя на биполярном транзисторе rc-цепи
- •63. Импульсные и широкополосные усилители
- •Коррекция в области вч за счет введения частотно-зависимых эл-ов в коллекторную цепь
- •64. Избирательные усилители.Виды избирательских усилителей
- •65. Усилители мощности и их класификация
- •Выходная мощность:
- •Классификация усилителей мощности
- •66. Усилители мощности с трансформаторной связью
- •67. Бестранзисторные усилители мощности
- •68. Двухтактные безтрансформаторные усилители мощности
- •69. Усилители постоянного тока (упт)
- •70. Основные параметры дифференциального каскада
- •Упт с преобразованием частоты входного сигнала
- •71. Операционные усилителию Структурная схема. Классификация
- •72. Параметры и характеристики оу
- •Скорость нарастания выходного сигнала ,
- •73. Анализ устройств содержащих оу Понятие об идеальном оу. Операционном усилителе
- •74. Неивертирующий усилитель на оу
- •7 5. Инвертирующий усилитель.
- •76. Инвертирующий сумматор
- •77. Усилитель разности напряжения
- •78 Дифференцирующий усилитель
- •79 Интегрирующий усилитель
- •80 Компараторы напряжения
- •Н едостатком оу при использовании их в качестве компараторов является невысокое быстродействие переключения (из-за сложности схемы и большого числа активных элементов).
- •81 Разновидности схем компараторов
- •Двухвходовый инвертирующий компаратор
- •Двухвходовый неинвертирующий компаратор.
- •Одновходовый инвертирующий компаратор.
- •Одновходовый неинвертирующий компаратор. Разновидности схем компараторов
- •Двухвходовый инвертирующий компаратор
- •Двухвходовый неинвертирующий компаратор.
- •Одновходовый инвертирующий компаратор.
- •Одновходовый неинвертирующий компаратор.
- •82 Компараторы с положительной обратной связью
- •Инвертирующий компаратор с положительной обратной связью
- •84 Генераторы электрических сигналов
- •В зависимости от элементов, опредчастоту автогенератора, генераторы бывают:
- •85 Ацп Назначение и классификация
- •86 Цап Назначение и классификация
- •Основные параметры и характеристики цап
- •Наибольшее распространение получили цап параллельного типа с суммированием токов, т.К. Они обладают наилучшим быстродействием преобразования.
- •87 Выпрямительные устройства Однофазный однополупериодный выпрямитель
- •88 Однофазный двухполупериодный выпрямитель
- •89 Однофазный двухполупериодный выпрямитель с выводом средней точки
- •90 Стабилизаторы постоянного напряжения
- •Стабилизаторы постоянного напряжения
14. Влияние температуры на вах диода
температура окружающей среды оказывает существенное влияние на вольт-амперную характеристику диода. С изменением температуры несколько меняется ход как прямой, так и обратной ветви ВАХ.
При увеличении температуры возрастает концентрация неосновных носителей в кристалле полупроводника. Это приводит к росту обратного тока перехода (за счет увеличения тока двух его составляющих: Iо и Iтг), а также уменьшению обьемного сопротивления области базы. При увеличении температуры обратный ток насыщения увеличивается примерно в 2 раза у германиевых и в 2,5 раза у кремниевых диодов на каждые 10 °С. Зависимость обратного тока от температуры аппроксимируется выражением
I0(Т)=I(То)2(Т-То)/Т*,
где: I(Т0)-ток измерен при температуре Т0; Т – текущая температура; Т* - температура удвоения обратного тока - (5-6)0С – для Ge и (9-10)0С – для Si.
Максимально допустимое увеличение обратного тока диода определяет максимально допустимую температуру диода, которая составляет 80— 100 °С для германиевых диодов и 150 — 200 °С для кремниевых..
Ток утечки слабо зависят от температуры, но может существенно изменяться во времени. Поэтому он, в основном, определяет временную нестабильность обратной ветви ВАХ.
Прямая ветвь ВАХ при увеличении температуры сдвигается влево и становится более крутой (рис.2.2). Это объясняется ростом Iобр (рис.2.2) и уменьшением rб, Последнее, уменьшает падение напряжения на базе, а напряжение непосредственно на переходе растет при неизменном напряжении на внешних выводах.
Для оценки температурной нестабильности прямой ветви вводится температурный коэффициент напряжения (ТКН) т=U/T, показывающий, как изменится прямое напряжение на диоде с изменением температуры на 10С при фиксированном прямом токе. В диапазоне температур от -60 до +60"С т -2,3 мВ/°С.
15.Выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды – предназначены для выпрямления низкочастотного переменного тока и обычно используются в источниках питания. Для выпрямления используется основное свойство диоды – их одностороняя проводимость. В качестве выпрямительных диодов используют плоскостные диоды, которые имеют большую площадь контакта р и п областей.
Среднее прямое напряжение Uпр..ср — среднее за период прямое напряжение на диоде при протекании через него максимально допустимого выпрямленного тока.
Средний обратный ток Iобр. ср — средний за период обратный ток, измеряемый при максимальном обратном напряжении.Макс доп обратное напряжение Uобр. mах (Uобр. и mах) - наибольшее постоянное обратное напряжение, при котором диод может длительно и надежно работать.Макс доп выпрямленный ток Iвп. ср mаах— средний за период ток через диод. Максимальная частота fмах — наибольшая частота подводимого напряжения, при которой выпрямитель на данном диоде работает достаточно эффективно. Средняя рассеиваемая мощность диода Рср Д – средняя за период мощность рассеиваемая диодом при протекании тока в прямом и обратном направлении.
Д ля увеличения выпрямленного тока можно применяться параллельное включение диодов. Однополупериодный выпрямитель (рис.2.6). Трансформатор предназначен для понижения амплитуды переменного напряжения. Временные диаграммы, поясняющие процесс работы однополупериодного выпрямителя представлены на рис. 2.7.