34.Предельно допустимые параметры транзистора

— это те параметры, которые не должны быть превышены при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность. К ним относят:

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора Р_Ктлх — наибольшая мощность, рассеиваемая в транзисторе при температуре окружающей среды Т_с (или корпуса Tк). При работе транзистора в режиме переключения, кроме мощности, рассеиваемой в коллекторном переходе, добавляется мощность, рассеиваемая в базе.

P_max(T_к)= (T_{n max} – T_к)/R_{т пк} P_max(T_с)= (T_{n max} – T_с)/R_{т пс}

где Т_{n птах} — максимально допустимая температура р-n-перехода; R_{т пк} — тепловое сопротивление переход—корпус; R_{т пс} — тепловое сопротивление переход—окружающая среда.

Максимально допустимые напряжения:U_{кб max} U_{кэ max} U_{эб max}.. Для большинства биполярных транзисторов указывается максимальное сопротивление между базой и эмиттером R_Б, при котором допустимо данное значение U_{кэ max} в отсутствие запирающего смещения на базе.

Максимально допустимые токи I_{к max} I_{э max} I_{б max} (регламентируется только для транзисторов большой и средней мощности).

Частотные и импульсные свойства транзисторов. С повышением частоты коэффициент передачи тока эмиттера уменьшается по модулю и становится комплексной величиной. Как следствие, происходит сдвиг по фазе между переменными составляющими тока коллектора и тока эмиттера.

Предельной частотой коэффициента передачи тока называют такую частоту, на которой модуль коэффициента передачи тока уменьшается в (2)^1/2 раз, т. е. на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.

Граничной частотой коэффициента передачи тока базы в схеме ОЭ называют такую частоту f_гр (или f₁), на которой модуль коэффициента передачи тока базы равен единице. Для транзистора справедливы следующие соотношения:f_h21э = f_h21б /, f_h21б =1,2 f_гр

Максимальной частотой генерации fmax это наибольшая частота, при которой транзистор способен работать в схеме автогенератора при оптимальной обратной связи.

35.Полевые транзисторы

Полевые транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы, в которых управление выходным током I_вых, осуществляется с помощью поперечного электрического поля создаваемого входным напряжением U_вх, путем изменения сопротивления полупроводникового канала, проводящего выходной ток, т.е. I_вых=Su_вх, где S - крутизна. Их работа основана на перемещении только основных носителей заряда, т. е. дырок или электронов, а потому их иногда называют униполярными. Процессы инжекции и экстракции в таких транзисторах не играют основной роли. Основным способом движения зарядов является их дрейф в электрическом поле.

Электрод полевого транзистора, через который втекают носители заряда в канал, называется истоком (И), а электрод, через который из канала вытекают носители заряда, называется стоком (С). Эти электроды обратимы. С помощью напряжения, прикладываемого к третьему электроду, называемому затвором (3), осуществляют перекрытие канала, т. е. изменяют удельную проводимость или площадь сечения канала.

Р азличают два типа полевых транзисторов: с управляющим р-n -переходом и с изолированным затвором

Полевые транзисторы обладают существенными преимуществами по сравнению с биполярными транзисторами:

1. Одним из основных достоинств полевого транзистора является его высокое входное сопротивление (10⁶— 10⁷ Ом — у транзисторов с управляющим p-n-переходом и 10¹⁰ —10¹⁵ Ом у МДП-транзисторов).

2. Они более устойчивы к воздействию ионизирующих излучений,

3. - хорошо работают и при очень низкой температуре вплоть до температуры жидкого азота (—197 °C). 4. - характеризуются низким уровнем шумов.

5. МДП-транзисторы занимают малую площадь на поверхности кристалла полупроводника, а потому широко применяются в интегральных микросхемах с высокой степенью интеграции.