28. Статические вах биполярного транзистора в схеме с оэ

В ольтамперные характеристики транзистора в схеме с ОЭ

Входная ВАХ - .

Если Uбэ0, переход база-эмиттер смещен в прямом направлении. Ток через переход связан с движением основных носителей заряда.

1. При Uкэ=0, входная ВАХ транзистор совпадает с ВАХ р-п перехода смещённого в прямом направлении.

2. При Uкэ>0, ВАХ смещается вправо, это связанно с тем, что через переход база-эмиттер протекает ток коллектора

Выходные характеристики транзистора включенного по схеме с ОЭ имеют ряд отличий по сравнению с транзистором, включенным по схеме с ОБ.

1. За счёт U_кэ=U_кб+U_бэ ВАХ с ОЭ смещаются вправо.

2. Наклон рассматриваемых характеристик значительно больше чем прежде.

3. При U_кэ>U_кэmax, происходит пробой коллекторного перехода,

4. При J_б=0, I_кэ=I^*_ко>>I_ко

Установим взаимосвязь между Iб и Iк. Учитывая, что: I_к =I_э+I_к0+U_кб/r_{к диф к} =(I_к+I_б)+I_к0+U_кб/r_{к диф} Разрешим последнее относительно Iк. Получим I_к= I_б /(1-) +I_к0/(1-) +U_кб/r_{к диф}(1-) или I_к =I_б+I^*_к0+U_кб/r^*_{к диф к}

29. Усилительные свойства и параметры биполярного транзистора, схема оэ

Усилительные свойства транзистора, включённого с ОЭ, характеризуются параметром  - коэффициент передачи тока базы. Различают три коэффициента передачи тока базы:

1. Статический коэффициент передачи β=I_к/I_б|_{Uкэ = const}.

2. Дифференциальный коэффициент передачи тока базы:

β=∆I_к/∆I_б|_{Uкэ = const}

3. Динамический коэффициент передачи =

=



Рис.3.12

_ - постоянная времени транзистора включенного по схеме с ОЭ.

Амплитудно и фазо-частотные характеристики (j) имеют вид

, _() = arctg(-_).

_=(_)^-1 – граничная частота транзистора включенного по схеме с ОЭ, __, _ = (1 - ) _

30.Математическая модель транзистора

О

Рис.3.8

на устанавливает аналитические зависимости между токами и напряжениями на выходах транзисторов Для определения аналитических зависимостей между токами и напряжениями транзистор представляют эквивалентной схемой Эберса — Молла (рис. 2.3). Она состоит из двух идеальных р-n-переходов, включенных навстречу друг другу и двух зависимых источников тока. Объемные сопротивления слоев, емкости р- n -переходов и эффект модуляции ширины базы здесь не учитываются.

Токи эмиттера и коллектора, как следует из схемы, состоят из двух слагаемых и выражаются следующим образом:

i_э=I₁ – α_II₂, ;(1)

i_k= α_NI₂ – I₂, (2)

где I_Э0 I_К0 – тепловые токи эмиттерного и коллекторного переходов; _N — коэффициент передачи тока эмиттера в активном режиме; _I — коэффициент передачи тока коллектора при инверсном включении; Uэб и U_КБ – напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах соответственно; φ_т = kT/e — температурный потенциал; I₁, I₂- токи через соответствующие p-n переходы; _NIэ – зависимый источник тока, который учитывает ток через коллекторный переход, который связан с током эмиттера Iэ; _IIк - зависимый источник тока, который учитывает ток через эмиттерный переход, который связан с током эмиттера Iк, при работе транзистора в инверсном режиме.

При нормальном включении биполярного транзистора, когда выходным током является Iк, можно записать, что– I_к=α_NI_э+I_к0. При инверсном включении биполярного транзистора, когда выходным током является Iэ, можно записать – I_э=α_II_э+I_э0.