- •II семестр
- •Тема 5.1 Общие понятия об усилителях.
- •Тема 5.2 Усилительный элемент (каскад)
- •Тема 2.4 Аналоговая микросхема техника. (аис)
- •Классификация усилителей:
- •По частоте:
- •По усиливаемой величине:
- •4.2 Усилители с трансформаторной связью;
- •ОUвых m , Uвх m - амплитудное Uвых , Uвх - действующее u - мгновенное сновные параметры усилителей
- •Графический анализ работы схемы
- •Расчет r2:
- •Стабилизация режима работы
- •Роль Cэ
- •Расчет Rэ:
- •Расчет Сэ:
- •Усилители с резистивно-емкостной связью
- •Расчет Ср:
- •3. Усилители с трансформаторной связью.
- •Расчет трансформатора:
- •Усилители с непосредственной связью по постоянному току (упт)
- •Тема 5.4 Обратная связь в усилителях
- •Обратная связь. Виды и параметры.
- •Оос обеспечивает:
- •2. Выходные каскады.
- •Тема 5.6 Усилители постоянного тока (упт)
- •Дифференциальный усилитель (ду).
- •Тема 2.1 Основные понятия и принципы создания микросхем.
- •Классификация и маркировка микросхем.
- •Особенности изготовления биполярных и полевых интегральных микросхем.
- •Основные понятия интегральной микроэлектроники.
- •Особенности гис по сравнению с п/п:
- •Особенности бис, сбис:
- •Тема 2.2 Функциональная микроэлектроника
- •Пьезоэффект, пьезоэлемент, кварцевый резонатор, пьезодатчики. Пьезоэлектрический трансформатор (пэт)
- •Магнитодиод
- •Примеры пьезоэлектрика:
- •Основное свойство пьезоэлементов:
- •Применение пьезоэлементов:
- •3)Пьезоэлектрический трансформатор (пэт)
- •Магнитодиод
- •Уго магнитодиода
- •Тема 2.3 Цифровая микросхемотехника
- •Назначение и классификация цифровых микросхем (цимс)
- •Генерация помех
- •Тема 2.4 Аналоговая микросхемо техника. (аис)
- •Прецизионные оу
- •Неинвертирующий повторитель напряжения
Тема 2.1 Основные понятия и принципы создания микросхем.
Классификация и маркировка микросхем.
Особенности изготовления биполярных и полевых интегральных микросхем.
Общая характеристика БИС (больших интегральных микросхем) СБИС (сверх БИС). Особенности технологий.
Микроэлектроника – это наука и область электроники, которая осваивает вопросы исследования, конструирования, изготовления, применения микроэлектронных устройств.
Существуют два направления развития микроэлектроники:
Интегральная микроэлектроника – рассматривает электронные устройства как совокупность интегральных микросхем, состоящих из отдельных элементов, соединенных по заданной схеме.
Функциональная микроэлектроника основана на использовании физических явлений обеспечивающих несхематические принципы работы приборов и устройств.
Основные понятия интегральной микроэлектроники.
Интегральная микросхема (ИМС, ИС) – это конструктивно законченное миниатюрное изделие, выполняющие определенную функцию преобразования и обработки сигнала.
Плотность упаковки элементов – это отношение общего числа элементов к объему, занимаемому микросхемой (N/V) [1/см3]
Степень интеграции К = lgN
Классификация микросхем:
По степени интеграции:
К=1 (до 10 элементов) – простые интегральные микросхемы
K=2 (от 10 до 100 элементов) – средние интегральные микросхемы
К=3 (от 100 до 1000 элементов) – большие интегральные микросхемы
К≥4 (более 1000 элементов) – сверхбольшие интегральные микросхемы(СБИС)
По технологии изготовления:
2.1 полупроводниковые (п/п) интегральные микросхемы (ИМС) – все элементы и межэлементные соединения выполняются в объеме и на поверхности полупроводника;
2.2 пленочные ИМС – все элементы и межэлементные соединения выполняются в виде пленок различных веществ;
2.3 гибридные ИМС – активные элементы – п/п технология; пассивные элементы – пленочная технология или многокристальные микросхемы.
По применению:
3.1 цифровые интегральные микросхемы (ЦИМС) – применяются для обработки импульсных, дискретных сигналов;
3.2 Аналоговые ИМС – предназначены для обработки непрерывных сигналов.
Маркировка ИМС содержит 5 элементов:
Одна или две буквы. Они обозначают материал и конструктивное оформление корпуса и применение.
К – микросхема широкого применения
Без К – специального назначения.
Р – пластмассовый корпус
М – керамический или металлокерамический корпус
Е – металлополимерный корпус
А – пластмассовый планарный корпус
Рис.34
И – стеклокерамический планарный корпус
Б – безкорпусные микросхемы
Э – экспортный вариант (другой шаг выводов), располагается перед К.
2) Цифра – обозначает технологию изготовления:
1, 5, 7 – п/п технология;
2, 4, 6, 8 – гибридная технология;
3 – прочие микросхемы (например: пленочные, вакуумные, керамические и т.д.).
3) Две или три цифры – порядковый номер серии микросхем.
Серия ИМС имеет единую технологию, согласованы по уровню питания, входных и выходных напряжений.
Серии микросхем удобны в совместном применении.
4) Две буквы обозначающие группу микросхем данной серии;
5) Одна или две цифры – условный номер подгруппы микросхем в данной серии.
Кроме пяти элементов возможна буква или цветная точка на корпусе – отличие по основным параметрам.
Пример маркировки КР142ЕН5А:
микросхема широкого применения в пластмассовом корпусе (КР);
полупроводниковая технология изготовления (1);
142-я серия микросхем
ЕН – стабилизатор напряжений
5 – номер подгруппы
А – разброс параметров
2. Все элементы в ИМС выполняют на основе транзисторов п/п технологии.
Этапы создания интегрального биполярного транзистора:
изготавливаем однородную подложку сверхчистого кремния “p”-типа; диаметр = 50 до 100 мм; толщина = 30 до 50 мкм. На этой подложке изготавливают одновременно до 500 микросхем.
Термическое окисление подложки при температуре = 1000-1300о С в парах воды или в атмосфере кислорода. Получают SiO2 (двуокись кремния) толщиной от 0,2 до 1 мкм. Хороший диэлектрик.
Фотолитография
3.1 наносят фоторезистор толщиной до 1 мкм – вещество которое твердеет под действием света;
3.2 засвечивают через фотошаблон;
3.3 трихлорэтаном растворяют не засвеченные участки фоторезиста;
3.4 плавиковой кислотой удаляют обнаженные участки SiO2, следовательно, образуются окна требуемой конфигурации – маска
Рис.35
4) диффузия примесей, например, фосфор, сурьма, мышьяк при температуре = 1200оС – создается карман “n”-типа
5) повторяем этапы 2, 3 создаем вторую маску, через которую вносим примеси, создающие “р”-область. Например: бор, галлий, индий.
Рис.36
6) повторяя этапы 2, 3 создаем третью маску, через которую вносим примесь, создавая внутреннюю область “n”-типа – эмиттер
7) повторяя этап 2, 3 создаем четвертую маску, через которую напыляем металлические контакты, например, алюминий толщиной 0,5-2 мкм, также создают соединительные дорожки.
Методы изоляции элементов.
В нашем примере изоляция между элементами обеспечивается двумя p-n переходами, один из которых включен в обратном направлении.
Рассмотренная технология изготовления интегральных транзисторов называется планарной, т.к. примесь вносится в п/п с одной и той же грани.
Недостатки планарной технологии:
Размытость p-n переходов приводит к тому, что будет низким процент годности микросхем, составляет от 5 до 30 % (годных)
Способ изоляции двумя p-n переходами создает паразитную емкость, что снижает частотные свойства микросхем.
Достоинства: меньшая трудоемкость – меньшее количество технологических операций.
Планарной технологией можно изготовить и полевые структуры. Чаще всего изготовляют полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным или индуцированным каналом - структура МДП (М-металичесий; Д-диэлектрик; П-основной п/п).
Иногда изготавливают структуру КМДП – комплиментарные полевые транзисторы с изолированным затвором (МД) и встроенным или индуцированным каналом.
Сравнительная характеристика полевых и биполярных структур:
Микросхемы КМДП меньше всего потребляют мощность для своей работы;
Микросхемы КМДП имеют меньшее быстродействие т.к. емкость З-К и сопротивление канала образует R-С цепь с большой τзар/раз.
Для изготовления микросхем КМДП требуется меньше технологических операций (24 против 32 у биполярных)
Микросхемы на биполярных структурах имеют средние основные параметры. Это и определило их преобладание.
Микросхемы КМДП имеют большую плотность упаковки.
Диоды в интегральном исполнении (п/п технология)
а) на основе коллекторного перехода б)на основе эмиттерного перехода
Рис.37
Имеет большее рабочее напряжение Имеет меньшее напряжение,
и меньший допустимый ток большой допустимый ток
Резисторы в п/п технологии.
На основе базового слоя получают высокоомные резисторы до нескольких кОм. На основе эмиттерного слоя – низкоомные (десятки Ом)
Переменный резистор изготовляют на основе канала полевого транзистора, сопротивление которого заметно зависит от UЗИ.
Конденсаторы в п/п технологии
Обратно включенные p-n переходы биполярного транзистора или емкость З-К полевого транзистора с изолированным затвором.
Недостатки конденсаторов на основе p-n перехода биполярного транзистора:
Работают при определенной полярности включения;
Малая удельная емкость (0,2 мкф/см2);
Емкость зависит от приложенного напряжения.
Гибридные интегральные микросхемы (ГИС)
(см. «Классификация микросхем»)
Различают 2 вида ГИС по толщине пленки:
Тонкопленочные;
Толстопленочные.
Тонкие пленки (1-2 мкм) изготавливают вакуумным напылением.
Толстые пленки (от нескольких мкм до сотен мкм) изготавливают нанесением пасты с последующим вжиганием.
Применяемые материалы для пленок:
Проводники – серебро, алюминий, золото;
Резисторы – тантал, хром и их сплавы;
Конденсаторы тантал - оксид-тантал;
Катушки индуктивности – до 3 мкГн – выполняют в виде спирали Архимеда.