49.Как определяются h-параметры транзисторов?
Для анализа и расчета цепей с биполярными транзисторами используют так называемые h-параметры транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
Электрическое состояние транзистора включенного по схеме с ОЭ, характеризуется величинами Iб ,Uбэ ,Iк ,Uкэ .
∆ Uбэ=h11э ∆Iб +h12э ∆Uкэ
∆ Iк=h21э ∆Iб +h22э ∆Uкэ , где h ikэ– соответствующие частные производные, которые легко можно найти по входным и выходным характеристикам биполярного транзистора включенного по схеме с ОЭ:
h11э= ∆ Uбэ/∆Iб при Uкэ=const (∆Uкэ=0)
h12э= ∆ Uбэ/∆Uкэ при Iб=const (∆Iб =0)
h21э= ∆ Iк /∆Iб при Uкэ=const (∆Uкэ=0)
h22э= ∆ Iк /∆Uкэ при Iб=const (∆Iб =0)
Параметр h11э имеет размерность сопротивления и представляет собой входное сопротивление биполярного транзистора. Параметр h12э – безразмерный коэффициент обратной связи по напряжению (0,002-0,0002). Параметр h21э безразмерный коэффициент передачи тока, характеризующий усилительные (по I) свойства транзистора при постоянном напряжении между коллектором и базой. Параметр h22э имеет размерность проводимости и характеризует выходную проводимость транзистора при Iб=const.
50. Структура биполярного транзистора?
Области разделяются электронно-дырочными переходами. Особенность транзистора состоит в том, что между его электронно-дырочными переходами существует взаимодействие- ток одного электрода может управлять током другого. Такое управление возможно, потому что носители заряда, инжектированные через один из электронно-дырочных переходов, могут до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, изменять его ток. Каждый из переходов транзистора можно включить в прямом или обратном направлении. В зависимости от этого различают 3 режима работы транзистора: 1)Режим отсечки 2)Режим насыщения 3)Активный режим.
В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором практически отсутствует. В режиме насыщения такое управление осуществляется наиболее эффективно, причем транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы. Область транзистора, расположенная между переходами, называется базой. Область транзистора, основным назначением которой является
инжекция носителей в базу называется эмиттером, а соответствующий переход- эмиттерным. Область, основным назначением которой является экстракция носителей из базы- называется коллектором, а переход называется коллекторным. Основные характеристики транзисторов определяются в первую очередь процессами, происходящими в базе. В зависимости от распределения примесей в базе может присутствовать или отсутствовать электрическое поле. Если, при отсутствии токов в базе существует электрическое поле, которое способствует движению неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору, то транзистор называется дрейфовым, если же поле в базе отсутствует- бездрейфовым (диффузионным).
