- •35.Что такое туннельный эффект и где используется?
- •36. Объясните процесс возбуждения электронов?
- •37.Как образуется донорная примесь?
- •38.Как образуется акцепторная примесь?
- •39. Что такое полупроводник n-типа?
- •40. Что такое полупроводник p-типа?
- •41.Объясните причину возникновения дрейфового тока?
- •42. Объясните причину возникновения диффузионного тока?
- •43.Объясните процесс образования электронно-дырочного перехода?
- •44.Приведите характеристику мощного выпрямительного диода?
- •45. Нарисуйте характеристику туннельного диода?
- •46.Как определить коэффициент перекрытия по емкости варикапа?
- •47.Что такое биполярный транзистор?
- •48.Классификация биполярных транзисторов?
- •49.Как определяются h-параметры транзисторов?
- •50. Структура биполярного транзистора?
44.Приведите характеристику мощного выпрямительного диода?
ВАХ мощного выпрямительного диода:
Выпрямительный диод –п/п прибор , в котором так же как и в точечном диоде используется выпрямительные свойства p-n-перехода. Диоды большей мощности, предназначенные для выпрямления больших токов, обычно соединяют конструктивно с радиатором для рассеивания лишней мощности на полупроводниковом элементе. Основные параметры мощного выпрямительного диода максимально допустимый прямой ток Iпр max =1-1000, А; максимально допустимое обратное напряжение Uобр max =200-2000 В; обратный ток Iобр=1000-5000 мкА
45. Нарисуйте характеристику туннельного диода?
ВАХ туннельного диода:
Туннельный диод – п/п диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на ВАХ при прямом напряжении участка отрицательной дифференциальной проводимости. Основными характеристиками туннельного диода являются ток пика Iп и отношение тока пика к току впадины Iп/Iв.Для выпускаемых отечественной промышленностью диодов
Iп=0,1-100 мА, а Iп/Iв=5-20.
46.Как определить коэффициент перекрытия по емкости варикапа?
Варикап – полупроводниковый диод, в котором используется зависимость емкости p-n-перехода от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой величиной емкости. Основные параметры варикапа:
1)Общая емкость Cв, которая обычно фиксируется при небольшом обратном напряжении
Uобр=2-5В.
2)Коэффициент перекрытия по емкости Kc=Cmax/Cmin. Для большинства варикапов
Cв=10-500 пФ, а коэффициент перекрытия по емкости Kc=5-20.
Варикапы применяют в системах дистанционного управления и в параметрических усилителях с малым уровнем собственных шумов.
47.Что такое биполярный транзистор?
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности, пригодный для усиления мощности. Термин “биполярный” связан с наличием в этих транзисторах двух различных типов носителей зарядов- электронов и дырок. Для изготовления транзисторов применяют германий и кремний. В последнее время также появились транзисторы в пластмассовом корпусе и бескорпусные транзисторы для микросхем. Биполярные транзисторы являются полупроводниковыми усилительными и ключевыми приборами универсального значения и широко применяются в усилителях, генераторах, логических и импульсных устройствах.
48.Классификация биполярных транзисторов?
Два p-n-перехода создают с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из полупроводников с различными типами электропроводности. Возможны две трехслойные структуры с различным чередованием областей имеющих электронную и дырочную электропроводность: дырочная- электронная- дырочная и электронная- дырочная- электронная. В соответствии с чередованием областей с различными типами электропроводности биполярные транзисторы подразделяют на два класса: типа p-n-p
и типа n-p-n. Транзисторы принято разделять на группы также по частоте и мощности рассеивания. Малой мощности Pk <0,3 Вт; средней мощности 0,3-1,5 Вт; большой мощности >1,5Вт.(величина мощности рассеиваемая коллектором).
По значению предельной частоты на которой могут работать транзисторы:
Низкочастотные< 3МГц; среднечастотные 3-30МГц; высокочастотные 30-300 МГц;
СВЧ >300 МГц.
Малой мощности Pk <0,3 Вт; средней мощности 0,3-3 Вт; большой мощности >3Вт.(величина мощности рассеиваемая коллектором).
По значению предельной частоты на которой могут работать транзисторы:
Низкочастотные< 3МГц; среднечастотные 3-30МГц; высокочастотные >30 МГц.
По материалу полупроводника германиевый и кремниевый (обычно).