40. Что такое полупроводник p-типа?

В примесном полупроводнике наряду с примесной электропроводностью существует собственная электропроводность. В собственном полупроводнике концентрации электронов и дырок одинаковы. В примесном полупроводнике преобладает

концентрация электронов (для донорной примеси) или дырок (для акцепторной примеси).

Подвижные носители заряда с преобладающей концентрацией называются основными.

В полупроводнике с акцепторной примесью основные носители заряда- дырки. Поэтому его называют полупроводником p-типа. В этом случае электроны являются не основными носителями заряда.

41.Объясните причину возникновения дрейфового тока?

Рассмотрим процесс образования и свойства p-n –перехода. Допустим, что концентрация электронов в n- областях полупроводника равна концентрации дырок в р-области. На границе областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок, вследствие чего происходит диффузия дырок из р-области и электронов из n-области полупроводника. Диффузия электронов и дырок создает диффузионный ток через p-n-переход.В результате диффузии носителей заряда в граничном слое происходит рекомбинация, р- область приобретает нескомпенсированный отрицательный заряд, а n- область приобретает нескомпенсированный положительный заряд, обусловленные соответственно отрицательными и положительными ионами. В граничном слое образуется электрическое поле, направленное от n-области к р-области. Электрическое поле в этом слое, называемом запирающим, вызывает дрейф не основных носителей заряда (дырок из n-области в р- оласть и электронов- наоборот), создающий дрейфовый ток, встречный по направлению диффузионному току.

42. Объясните причину возникновения диффузионного тока?

Рассмотрим процесс образования и свойства p-n –перехода. Допустим, что концентрация электронов в n- областях полупроводника равна концентрации дырок в р-области. На границе областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок, вследствие чего происходит диффузия дырок из р-области и электронов из n-области полупроводника. Диффузия электронов и дырок создает диффузионный ток через p-n-переход.

43.Объясните процесс образования электронно-дырочного перехода?

Электронно-дырочный, или p-n-переход, образуется между двумя областями полупроводника одна из которых имеет электронную электропроводимость, а другая- дырочную электропроводимость. На практике p-n –переход получают введением в примесный полупроводник примеси с противоположным типом электропроводимости. Например, с введением донорной примеси в определенную зону полупроводника p-типа в ней образуется полупроводник n-типа, граничащий с полупроводником p-типа.

Рассмотрим процесс образования и свойства p-n –перехода. Допустим, что концентрация электронов в n- областях полупроводника равна концентрации дырок в р-области. На границе областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок, вследствие чего происходит диффузия дырок из р-области и электронов из n-области полупроводника. Диффузия электронов и дырок создает диффузионный ток через p-n-переход.В результате диффузии носителей заряда в граничном слое происходит рекомбинация, р- область приобретает нескомпенсированный отрицательный заряд, а n- область приобретает нескомпенсированный положительный заряд, обусловленные соответственно отрицательными и положительными ионами. В граничном слое образуется электрическое поле, направленное от n-области к р-области. Электрическое поле в этом слое, называемом запирающим, вызывает дрейф не основных носителей заряда (дырок из n-области в р- оласть и электронов- наоборот), создающий дрейфовый ток, встречный по направлению диффузионному току.

Образование электронно-дырочного перехода.