- •2) 4.1.Элементарные процессы в газовом разряде
- •4.2.Самостоятельные и несамостоятельные разряды
- •4.3. Напряжение возникновения разряда
- •2) 4.4.Виды электрических разрядов
- •1) 1.2. Ионные приборы
- •2) 5.1 Принцип работы электроннолучевой трубки
- •1) 3 Плазменные панели
- •Основные направления вакуумно-плазменной электроники (Аналитические установки)
- •Движение электнрона в однородном и неоднородном магнитных полях
- •1) . Работа выхода электронов
- •2) Электронная пушка. Модуляция электронного луча по плотности.
- •1) Виды электронной эмиссии
- •2) Фокусирующие системы
- •1) Требования к катодам
- •2) Отклоняющие системы
- •1) Материалы катодов
- •2) . Экраны электронно-лучевых трубок
- •1) Требования к источникам и ограничения на параметры
- •3.2. Формирование изображения
- •5.8. Кинескопы
- •1) Параметры пучков
- •2) Режимы работы
- •1) Влияние пространственного заряда
- •3.4.Аберрации
- •2) Принцип действия ячейки
- •1) . Устройство источников электронов
- •2) Материалы и технология изготовления панелей
- •1) Оптика источников электронов
1) . Работа выхода электронов
Энергетическая диаграмма у поверхности тела. Валентные электроны в твердом теле либо достаточно тесно связаны со своими атомами, как, например, в полупроводниках и диэлектриках, либо, образуя электронный газ (в металлах), свободно перемещаются между узлами кристаллической решетки. В любом случае, эти электроны в нормальных условиях не покидают физических пределов твердого тела.
Выходу электронов из твердого тела препятствуют электрические силы взаимодействия электрона с телом. Наивысшая энергия Еф — энергия Ферми, которой обладает электрон в металле при Т = 0 °К, недостаточна для преодоления этих сил. Если принять за нулевой уровень энергию электрона в вакууме, бесконечно удаленного от поверхности твердого тела и не подвергающегося воздействию каких-либо сил, – энергетические состояния электронов в твердом теле должны лежать ниже этого уровня, т.е. нужно считать их энергию отрицательной, так как в твердом теле, как и в любой другой устойчивой системе, запасена некоторая энергия, определяющая устойчивость системы. Таким образом, можно считать, что уровень энергии частицы в вакууме лежит выше уровня Ферми Еф на некоторую величину Е0 (рис.2.1). Эта величина, равная разности энергетических уровней в вакууме и твердом теле, называется работой выхода электрона.
Физическая природа сил, препятствующих выходу электрона из металла и определяющих величину работы выхода, совершаемой электроном при их преодолении, достаточно сложна. На вылетевший из металла электрон действует, в частности, поверхностное поле, созданное слоем вылетевших электронов и положительных зарядов на поверхности тела, вызванных уходом электронов, а также силы взаимодействия между удалившимся электроном и наведенным в теле положительным электрическим зарядом.
Рис.2.1. Энергетический барьер на границе твердого тела и вакуума
Вычисление работы выхода для металла с учетом этих сил приводит к следующему результату: (2.1)
Отсюда, в частности, видно, что работа выхода для металлов уменьшается с увеличением междуатомного расстояния, что хорошо подтверждается опытными данными.
Кривая Е = f (х), характеризующая энергетический барьер у поверхности тела, изображена на рис.2.2.
Рис.2.2. Энергетический барьер у поверхности металла.
Величина работы выхода измеряется несколькими электрон-вольтами; так, например, для цезия Е0 = 1,88 эВ, для бария 2,4 эВ, а для вольфрама 4,5—4,6 эВ.
2) Электронная пушка. Модуляция электронного луча по плотности.
Схематическое устройство электронной пушки для трубки с электростатическим управлением луча показано на рис.5.12, а, а для трубки с электромагнитным управлением — на рис.5.12, б.
В первом случае в состав электронной пушки входят катод, модулятор, первый и второй аноды; во втором случае — электронная пушка содержит те же электроды, за исключением второго анода.
Управление интенсивностью электронного луча в электронно-лучевых приборах является одним из основных процессов. Изменение плотности тока луча позволяет менять яркость пятна на экране электронно-лучевой трубки в широких пределах: от полного исчезновения до некоторого максимального значения его яркости, свойственного данному типу трубки. Модулируя электронный луч по интенсивности, на экране приемных телевизионных трубок получают изображение.
Для управления плотностью тока электронного луча служит управляющий электрод или модулятор (рис.5.12), представляющий собой цилиндр с несколько утопленным дном, с небольшим отверстием — диафрагмой в центре.
Рис.5.12. Картины электрического поля вблизи управляющего электрода.
К управляющему электроду подводится небольшое отрицательное напряжение Uм, регулируемое от нуля до нескольких десятков вольт. Возле диафрагмы в пространстве между катодом и модулятором существует неоднородное электростатическое поле, эквипотенциальные поверхности которого обращены выпуклостью к катоду. Это неоднородное поле образует часть первой электростатической линзы и служит для фокусирования электронного луча. Кроме того, изменение конфигурации поля оказывает существенное влияние на величину тока с поверхности катода. Это влияние обусловлено изменением объемного заряда у катода и изменением величины поверхности катода, вблизи которой существует поле с положительным градиентом потенциала. В первом случае действие модулятора аналогично действию управляющей сетки в триоде; при увеличении отрицательного потенциала увеличивается потенциальный барьер вблизи катода и возрастает объемный заряд. Таким образом, ток катода должен, очевидно, зависеть от напряжения на модуляторе в соответствии с законом степени трех вторых:
(5.22)
здесь Uм — напряжение на модуляторе;
Uм0— запирающее напряжение — такое напряжение на моду- ляторе, при котором электронный ток равен нулю;
q1 — коэффициент пропорциональности.
Однако при изменении потенциала модулятора ток катода зависит также и от величины поверхности катода, охваченной полем с положительным градиентом потенциала. Если потенциал модулятора равен нулю (рис. 5.12, а), то почти вся поверхность катода охвачена полем с положительным градиентом потенциала. На рис. 5.12, б показана картина поля, когда потенциал модулятора близок к потенциалу запирания. В этом случае положительный градиент поля существует только вблизи незначительной области в центре катода, а остальная поверхность катода охвачена нолем с отрицательным градиентом потенциала.
В результате ток катода при уменьшении отрицательного напряжения на модуляторе возрастает значительно быстрей, чем это следует из (5.22).
Модуляционная характеристика. Связь между током электронного луча и потенциалом модулятора выражается зависимостью:
(5.23)
В этой формуле ток луча Iл выражен в микроамперах, а напряжение—в вольтах; коэффициент пропорциональности, равный трем, определен экспериментальным путем.
Выражение (5.23) отражает зависимость между катодным током и напряжением на модуляторе. Однако в электроннолучевой трубке не все электроны, покинувшие катод и преодолевшие потенциальный барьер у его поверхности, достигают экрана. Часть электронов, покидающих катод под значительными углами к оси трубки, не проходит через диафрагму модулятора. Другая часть электронов вследствие их значительного углового расхождения при фокусировании не пропускается ограничивающими диафрагмами первого, и второго анодов.
Ввиду того, что измерить ток электронного луча вблизи экрана очень трудно, на практике обычно пользуются зависимостью тока второго анода Ia2 от напряжения на модуляторе. Эта зависимость называется модуляционной характеристикой электронно-лучевой трубки.
Ток второго анода несколько отличается от тока электронного луча. Его величина определяется электронами, не прошедшими ограничивающие диафрагмы и попавшими непосредственно на второй анод, а также электронами, попадающими на второй анод с экрана трубки. Часть электронов, бомбардирующих экран, отражается от его поверхности; другая часть вызывает вторичную эмиссию с экрана. Отраженные и вторичные электроны попадают на слой проводящего покрытия на стенках баллона трубки — аквадаг, соединенный со вторым анодом.
На рис.5.13 представлены модуляционные характеристики электроннолучевых трубок с электростатическим и с магнитным управлением. Зависимости тока Ia2 от напряжения —Uм для них различны.
а — с электростатическим управлением; б — с магнитным управлением; 1 — при Uа2= 2,2 кв; 2 — Ua2 =1,5 кв.
Рис.5.13. Модуляционные характеристики электроннолучевых трубок.
В трубках с электростатическим управлением модуляционная, характеристика подчиняется закону (5.23) лишь вблизи потенциала запирания, когда ток луча невелик. При дальнейшем уменьшении отрицательного напряжения на модуляторе возрастает эмитирующая поверхность катода, в электронном луче появляются электроны, покидающие катод под большими углами, увеличивается диаметр луча в области электростатических линз и второго анода и часть электронов не пропускается ограничивающей диафрагмой. Дальнейшее увеличение тока луча может быть получено за счет повышения плотности катодного тока, т. е. в соответствии с законом степени три вторых (5.22).
Крутизна модуляционной характеристики трубки 13ЛМ31 с магнитным отклонением в рабочей области в несколько раз больше крутизны характеристики трубки 13Л036. Это объясняется отсутствием ограничивающих диафрагм в электронной пушке трубки с магнитным управлением. Ток луча по величине близок к току катода, и его зависимость от напряжения на модуляторе подчиняется закону (5.23). Это обстоятельство определяет выбор электронно-лучевых трубок с магнитным управлением луча для случаев, когда необходима интенсивная модуляция луча, например в телевизионных приемных трубках и радиолокационных индикаторах с яркостной отметкой.
Билет 7
1)электронная эмиссия
2) Фокусирующие системы
Ответ: