- •2) 4.1.Элементарные процессы в газовом разряде
- •4.2.Самостоятельные и несамостоятельные разряды
- •4.3. Напряжение возникновения разряда
- •2) 4.4.Виды электрических разрядов
- •1) 1.2. Ионные приборы
- •2) 5.1 Принцип работы электроннолучевой трубки
- •1) 3 Плазменные панели
- •Основные направления вакуумно-плазменной электроники (Аналитические установки)
- •Движение электнрона в однородном и неоднородном магнитных полях
- •1) . Работа выхода электронов
- •2) Электронная пушка. Модуляция электронного луча по плотности.
- •1) Виды электронной эмиссии
- •2) Фокусирующие системы
- •1) Требования к катодам
- •2) Отклоняющие системы
- •1) Материалы катодов
- •2) . Экраны электронно-лучевых трубок
- •1) Требования к источникам и ограничения на параметры
- •3.2. Формирование изображения
- •5.8. Кинескопы
- •1) Параметры пучков
- •2) Режимы работы
- •1) Влияние пространственного заряда
- •3.4.Аберрации
- •2) Принцип действия ячейки
- •1) . Устройство источников электронов
- •2) Материалы и технология изготовления панелей
- •1) Оптика источников электронов
1) Требования к источникам и ограничения на параметры
Источник электронов является прибором, который генерирует, ускоряет и фокусирует пучок электронов до малых поперечных размеров [4].
В большинстве электронно-оптических установок от источников электронов требуется обеспечение максимально возможной плотности тока на заданном участке поверхности. Угловая расходимость электронов за фокусом должна быть достаточно мала, с тем чтобы свести к минимуму аберрации линз или добиться электронно-оптической когерентности. Таким образом, вблизи фокуса пучок электронов должен иметь наибольшую плотность тока в единичном телесном угле. Источник электронов считается «хорошим», если плотность тока в фокальной области велика, фокальная область мала, а аберрации оптических элементов источника минимальны.
Яркость источника обозначается буквами β или R (от нем. Richtstrahlwert) и определяется как плотность тока (j) в единичном телесном угле. Телесный угол для конуса с углом при вершине 2θ равен 2π(1-cosθ), а для малых θ приблизительно равен πθ2; тогда для яркости имеем следующее выражение:
. (3.1)
Для β существует верхний предел (ленгмюровский предел), определяемый соотношением
(3.2)
где j — плотность тока на катоде; Т — температура катода; е — заряд электрона; k— постоянная Больцмапа.
Это теоретическое ограничение является следствием того, что эмиттируемые катодом электроны имеют максвелловское распределение по энергиям с наиболее вероятной энергией кТ и средней энергией 2kT. Электроны, эмиттированные в свободное пространство, подчиняются закону Ламберта:
(3.3)
где j(θ)— плотность тока эмиссии в направлении, составляющем угол θ с нормалью; j —полная плотность тока в полусферу (рис.3.1). Если электроны ускоряются однородным электростатическим полем, параллельным оптической оси, составляющие их скорости (vz), параллельные силовым линиям поля, увеличиваются, тогда как перпендикулярные составляющие (vr) остаются неизменными. В этом случае угол расходимости θ уменьшается от π до величины отношения перпендикулярной и параллельной составляющих скорости (θ≈vr/vz). При ускорении электронов с начальной энергией eVo=kT до энергии eV новый половинный угол расходимости θ’ (рис.3.1) может быть выражен через энергию:
(3.4)
тогда для яркости с использованием равенства (2.16) получается выражение,
(3.5)
которое может быть использовано для любой фокусирующей системы, расположенной после источника. Никакая фокусирующая система не может увеличить яркость сверх значения, соответствующего эмиттирующей поверхности.
Рис.3.1. Траектории электронов, испускаемых плоским эмиттером.