- •Ответи на гос по технології тонких плівок та покриттів Ден 2008р..Docx
- •31Рівноважний тиск пари
- •32 Розподіл атомів пари за швидкостями
- •33,1Випаровування матеріалів електронно-променевими методами
- •33.2 Іонне розпилення
- •33.3 Реактивне розпилення
- •34 Мікрозважування
- •34,1 Метод кварцового резонатора
- •34,2 Оптичні методи
- •35 Чотири стадії росту плівки
- •35.1 Утворення острівців
- •35.2 Коалесценція острівців
- •35.3 Утворення каналів
- •35.4 Утворення суцільної плівки
- •36 Утворення дефектів у процесі росту плівки
- •36.1 Дислокації
- •37 Утворення дефектів у процесі росту плівки
- •37,1 Межі зерен
- •38 Нанокристалічні та аморфні матеріали
- •39 Внутрішні макронапруження в конденсатах
- •39.1 Вплив температури підкладки
- •39.2 Причина виникнення макронанружень у плівках
- •39.3 Вилив товщини плівок, швидкості конденсаціїта термообробки
- •39.4 Розрахунок величини
- •39.5 Методи вимірювання
- •40 Процес старіння в тонких плівках
35 Чотири стадії росту плівки
Теоретичні розробки та електронно-мікроскопічні дослідження свідчать про таку послідовність утворення плівки:
утворення адатомів на підкладці;
утворення кластерів із декількох адатомів;
утворення зародків критичного розміру;
ріст цих зародків до надкритичних розмірів зі збідненням адатомами зон захоплення навколо зародка;
утворення критичних зародків на не збіднених адатомами місцях;
зрощення зародків і утворення острівців, що займаютЛ площу меншу, ніж сумарна площа, яку займали зародки;
вторинний процес утворення зародків на звільнених діляв нках підкладки;
зрощення великих острівців з утворенням каналів на підМ кладці;
заростання каналів у результаті процесу вторинного зар<И дкоутворювання.
Перелічені дев'ять етапів утворення плівки Д.Пешлі узав гальнив у вигляді чотирьох стадій росту плівки:
утворення зародків та острівців;
зростання (коалесценція) острівців;
утворення каналів;
перехід до структурно суцільної плівки.
Розглянемо більш детально ці чотири стадії.
35.1 Утворення острівців
Якщо спостерігати ча процесом конденсації плівки в І електронному мікроскопі, то вдається зафіксувати лишеИ стадію раптового утворення критичного зародка, оскількиИ адатоми і навіть кластери мають такі розміри, що не спосте-в рігаються на екрані мікроскопа. Якщо матеріалом плівки є| нетугоплавкий метал, то характерний розмір критичнопш зародка 2-3 нм. Вони ростуть у трьох вимірах, але в площиЛ ні підкладки з більшою швидкістю, ніж у напрямку нормалЯ до неї (рис. 2.3 а). Це пов'язано з тим, що ріст зародка від«И бувається за рахунок поверхневої дифузії адатомів, а неї внаслідок прямого потрапляння. Для плівок, наприклад,И срібла та золота, при Тп = 670 К концентрація критичних І зародків складає величину 5-Ю14 м2, а мінімальна довжина І дифузійного пробігу приблизно 50 нм.
35.2 Коалесценція острівців
На рисунку 2.3 проілюстровано процес коалесценції двох зародків сферичної форми (б, г) та з вираженою кристалографічною формою (в, д). В останньому випадки острівець, який утворився, набуває кристалографічної форИ ми лише в тому випадку, коли він довгий час (для приклад зазначимо, що коалесценція відбувається упродовж 10' < не взаємодіє із сусідніми острівцями. Процес коалесценц дуже нагадує процес злиття крапель у рідкому стані, ще приводить до збільшення вільної поверхні підкладки й до! утворення вторинних зародків між острівцями (рис. 2.3 би Вторинний зародок росте до того часу, поки не зіткнеться сусіднім. Якщо останній більших розмірів, то вториннизародок дуже швидко зливається з ним і повністю входить Я великий острівець.
Можливими механізмами перенесення у процесі коаі лесценції можуть бути об'ємна та поверхнева дифузії атс мів. Експериментальні факти свідчать, що основним механзмом є поверхнева дифузія. Чим менший розмір частинкитим помітніша ця дифузія. Рушійною силою коалесценції результуюче зменшення поверхневої енергії острівців.
35.3 Утворення каналів
У міру росту острівців тенденція їх заокруглення зменшуються. Вони починають витягуватися і намагаються ут>« ворити безперервну сітчасту структуру, в якій конденсоваЯ ний матеріал розділений довгими і вузькими (від 5 до 20 нмЩ каналами неправильної форми (рис.2.3 є).