- •Ответи на гос по технології тонких плівок та покриттів Ден 2008р..Docx
- •31Рівноважний тиск пари
- •32 Розподіл атомів пари за швидкостями
- •33,1Випаровування матеріалів електронно-променевими методами
- •33.2 Іонне розпилення
- •33.3 Реактивне розпилення
- •34 Мікрозважування
- •34,1 Метод кварцового резонатора
- •34,2 Оптичні методи
- •35 Чотири стадії росту плівки
- •35.1 Утворення острівців
- •35.2 Коалесценція острівців
- •35.3 Утворення каналів
- •35.4 Утворення суцільної плівки
- •36 Утворення дефектів у процесі росту плівки
- •36.1 Дислокації
- •37 Утворення дефектів у процесі росту плівки
- •37,1 Межі зерен
- •38 Нанокристалічні та аморфні матеріали
- •39 Внутрішні макронапруження в конденсатах
- •39.1 Вплив температури підкладки
- •39.2 Причина виникнення макронанружень у плівках
- •39.3 Вилив товщини плівок, швидкості конденсаціїта термообробки
- •39.4 Розрахунок величини
- •39.5 Методи вимірювання
- •40 Процес старіння в тонких плівках
39.4 Розрахунок величини
Якщо плівку конденсують на підігріту підкладку з іншим значенням коефіцієнта а„ , то після охолодження до кімнатної температури у плівці виникають макронапруження термічного походження, величина і знак яких залежать від співвідношення між а„ та а. Виникають пружні деформації Лет і 5іґ
де £ і v - модуль Юнга та коефіцієнт Пуассона для плівки; ЛТ - різниця температур Т„-Т (Т - температура, при якій обчислюється величина St).
39.5 Методи вимірювання
Макронапруження у конденсованих плівках найчастЛ ше визначають механічним способом, при якому знаходити ся деформація підкладки в процесі осадження плівки. ЯіШ правило, використовують один із варіантів цього способу! метод Стоні, при якому вимірюється зміщення (5) вільногЯ кіпця консольно закріпленої вузької підкладки (рис.2.11). ЗЯ умови, що d«D, a 8<D, величина S обчислюється за фори мулою
де Е - модуль Юнга для плівки, який вибирається таким, яя у масивних зразках; d\D-товщина плівки і підкладки.
|
Рисунок 2.11 Схема деформації підкладки консольного типу Зміщення 8 можна вимірювати за допомогою оптич-в ного мікроскопа або контактометра. На даний момент роз« роблені більш досконалі методи вимірювання зміщення кі-1 нця підкладки: - за допомогою електромагніту, який повертає підкладку у вихідне положення;
|
40 Процес старіння в тонких плівках
Процес старіння проходить не лише в перенасичених (метастабільних) сплавах, а й у зразках малих розмірів. Якщо у сплавах цей процес при кімнатній температурі приводить до упорядкування (природне старіння), а при нагріванні до розпаду сплаву (штучне старіння), то в інших випадках спостерігається широка різноманітність процесів природного та штучного старіння. Зокрема, у тонких плівках ці процеси протікають (від хвилини до декількох років) завдяки підвищенню ролі поверхневої енергії у загальному енергетичному балансі та у зв'язку зі стабілізацією різко нерів-новажних станів через великі ступені переохолодження при вакуумній конденсації (загартування). При цьому прийнята така класифікація процесів старіння: фізико-хімічні, фазові, макро- і субструктурні та процеси старіння під дією фізичних полів.
Фізико-хімічні процеси протікають у полікомпонент-них плівкових системах і полягають у зміні хімічного складу, типу кристалічної решітки або агрегатного стану нерів-новажних фаз. Прикладами таких процесів є розпадання переохолодженої рідини або пересичених твердих розчинів, окислення, відновлення фаз та інші повільні хімічні процеси.
Процеси старіння цього типу спостерігалися в системах Me-Se (Me - Sn, Ag, Cd, Zn); Me-S (Me-Ag, Cu, Pb, Zn, Sn, Ge, Bi, In) та Al-Cu. В конденсатах Me-Se і Me-S здебільшого утворюється скло, яке в процесі старіння мутніє, оскільки в ньому виділяються фази типу MeSe, Me2S$, MeSi, MeS, CU2S, Ag2S.
У процесі природного старіння деяких сплавів спосЛ рігається така особливість: спочатку виділяються стабілЛ фази, такі як SnS, SnS2, PbS, B12S3, ZnS. CuS, а потім - меЛ стабільні: C112Sта SbS.
У сплавах (Ag, Cu, Pb, Zn, Cd)-S цей процес протікаЯ два етапи: спочатку склоподібна плівка заростала малиЛ сферолітами (фазове старіння), після чого починалася п^Н кристалізація, що спричиняло утворення великих вториннИ сферолітів (старіння всередині фази).
У плівках сплаву Al-Си товщиною 15-26нм ПаліИ никЛ.С. і Бойко Б.Т. (1958 р.) спостерігали аномальну раї чинність атомів ('// в ЛІ 12% Си, в той час як у масивнЛ зразках сплаву максимальна розчинність має величину 2.5Щ ('и при 820 К. Штучне старіння плівок цього сплаву призвИ дить до випадання стабільної фази в-CuAh у вигляді висЛ кодисперсних частинок. Якщо старіння відбувається при щ -300 К протягом 20 діб, то середній розмір частинок п<Л рядку L-Інм, а якщо при Т £ 320-670 К упродовж 0,2Ш 10 год, то L^ 10-100 нм.
У плівках V-0 також спостерігався подібний ефекти максимальна розчинність кисню в зразках товщиною поа рядку Юпм має величину 23%, в той час як у масивних зрав зках не більше 3%.
Мп також спостерігали природне старіння плівок Сг щ Sc за такою схемою:
|
На рисунку 2.12 наведенні типові дифракційні карти-Ш ни, що ілюструють процеси старіння у плівках хрому. Фазо-в ві процеси старіння протікають без зміни хімічного складу і фаз при поліморфних і мартенситних перетвореннях, крис-И галізації аморфних фаз та ін. |
При макро- і субструктурних процесах старіння хімічний склад, тип решітки або агрегатний стан залишаються незмінними, однак змінюються макро- і субструктурні характеристики, а також такі фізичні властивості, як дисперсність та взаємна орієнтація макро- і мікрообластей кристалічної решітки, її деформація, концентрація і розподіл точкових, лінійних, поверхневих та об'ємних дефектів. До цих процесів також належать рекристалізація, відпочинок, полі-гонізація, виникнення та зміна текстури, двійникування, поява або релаксація мікро- та макронапружень.
Крім зазначених процесів старіння, до них відносять також польове старіння, яке полягає в зміні структури та фізичних властивостей під дією достатньо сильних зовнішніх полів (електричного, магнітного, механічних напружень тощо ). Прикладом таких перетворень може бути поведінка прошарку аморфного діелектрика SiO у плівкових конденсаторах (під дією електричного поля виникають включення в аморфній матриці SiO кристалічного і аморфного 5/, а також 5/(ѕ). Польове старіння та електричний пробій конденсатора саме і пов'язані з фазовим перетворенням у SiO.