- •5. Пример решения двухмерного уравнения Пуассона
- •6. Пример решения уравнений параболического типа
- •7.Пример решения уравнения теплопроводности.
- •8. Пример решения уравнений гиперболического вида
- •2. Тематика курсового проектирования
- •3. Объекты исследования.
- •4. Содержание курсовой работы.
- •5. Принципиальные и кинематические схемы инерциальных датчиков
- •5. Краткая теория датчиков первичной информации инерциальных навигационных систем
- •5.2. Динамически настраиваемые гироскопы
- •5.2.1. Двухстепенный роторный вибрационный гироскоп.
- •5.2.2. Динамически настраиваемый гироскоп с двухколечным
- •5.3. Волновые оптические гироскопы.
- •5.3.1. Эффект Саньяка.
- •5.3.2. Кольцевой лазерный гироскоп.
- •5.3.3. Волоконно-оптический гироскоп.
- •5.4. Волновой твердотельный гироскоп.
- •5.5. Микромеханические датчики инерциальной информации.
- •5.5.1. Микромеханические гироскопы
- •Математические модели ммг.
- •Математическая модель ммг rl-типа.
- •Математическая модель ммг rr-типа
- •Математическая модель ммг ll-типа с сосредоточенной массой.
- •6. Поплавковый, или интегрирующий гироскоп
- •1. Постановка динамической задачи гидроупругости для поплавкового гироскопа
- •7. Список литературы
- •Анимационные модели объектов исследования
5.5. Микромеханические датчики инерциальной информации.
Современное состояние разработок датчиков инерциальной информации определяется возрастающими потребностями в них в самых различных областях техники для решения задач контроля и управления подвижными объектами и их навигации. При этом наиболее массовым потребителем становится гражданская сфера; где быстрыми темпами растет применение этих датчиков в таких областях, как автомобилестроение, телекоммуникационная техника, робототехника, медицина, спорт и др. В последние десятилетия были созданы новые типы датчиков инерциальной информации, пригодные для крупносерийного и даже массового производства. Возможность крупносерийного производства в первую очередь определяется относительной простотой конструкций новых типов датчиков и применением прогрессивных технологий при их изготовлении.
Одним из наиболее интенсивно развивающихся направлений новых разработок датчиков инерциальной информации является направление микроэлектромеханических систем (МЭМС). В рамках технологий МЭМС разрабатываются микромеханические гироскопы (ММГ) и микромеханические акселерометры (ММА). Применяемые при производстве ММА, ММГ технологии современной твердотельной микроэлектроники, а также используемые материалы позволяют обеспечить малые габариты, вес и энергопотребление, высокую надежность и устойчивость к внешним воздействиям, низкую стоимость датчиков. Технологическая совместимость механической части датчика и сервисной электроники позволяют создавать практически в единых технологических процессах интегральные модули - чипы - гироскопы и акселерометры, а также сборки инерциальных элементов объемом 0,5 - 10 см3 с потребляемой мощностью 0,5 - 1 Вт. Выбор кремниевой технологии определяется возможностями микроэлектронной промышленности, а также уникальными свойствами кремния как конструкционного материала. Кремний, являясь дешевым и доступным материалом, обладает высокой механической прочностью (модуль Юнга ~ 1011н/м2), у него практически отсутствуют гистерезис и пластические деформации, мал температурный коэффициент линейного расширения αТКР=2,610-6 1/°С, он отличается большой временной стабильностью параметров; этот материал может подвергаться длительным циклическим нагрузкам, не проявляя эффекта усталости и накопления внутренних напряжений. Благодаря низким внутренним потерям на трение в кремнии удается достичь добротности осциллятора порядка 105.
В упругих подвесах ММГ и ММА в основном используются два типа механических структур и им соответствуют два типа технологических процессов обработки кремния - объемная (bulk-micromachined) и поверхностная (surface-micromachined). При использовании объемной обработки происходит удаление материала путем химического вытравливания в соответствии с кристаллографической структурой материала. В этом случае возможно изготовление структур с толщиной до нескольких сотен микрометров. В случае поверхностной обработки на планарной поверхности кремниевой пластины с использованием диффузии, фотолитографии и анизотропного травления формируется рельеф осциллятора. После операции анодного сращивания со стеклянной подложкой производится удаление «жертвенного» слоя кремния до вскрытия рельефа осцилляторов.