
- •1.1 Електричні кола постійного струму
- •Електричні кола постійного струму
- •1.1.1 Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •1.1.2 Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •1.2 Електричні кола змінного струму
- •1.2.1 Поняття про змінний струм
- •1.2.2 Основні поняття синусоїдальної функції
- •1.2.3 Зображення синусоїдальної величини
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •1.2.4 Прості електричні кола змінного струму
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •Лекція 9 3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Мультивібратори
- •3.5.3 Одновібратори
- •До пункту 3.5.2
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючи rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •4.1 Загальні відомості
- •4.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •4.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •4.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •4.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •4.6 Згладжуючи фільтри
- •4.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •4.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
Схеми
логічних елементів НІ на МОН-транзисторах
показані на рис.3.7.
У схемі елемента НІ на р-МОН-транзисторах
застосовують навантажувальний транзистор
VT1,
стік якого підключається до негативного
джерела живлення мінус
(рис. 3.7,а). Напруга негативної полярності
вхідної змінної
надходить
на затвор вхідного транзистора VT2.
У
цій схемі застосовують транзистори з
індукованими каналами.
У схемі елемента НЕ на n-МОН-транзисторах використовують навантажувальний транзистор VT1 з убудованим каналом, що підключається до позитивного джерела живлення плюс UCC . Позитивна напруга вхідний змінної X надходить на затвор вхідного транзистора VT2 з індукованим каналом (рис. 3.7, б). Навантажувальні транзистори включені за схемою двухполюсника.
Якщо
вхідна напруга
то
транзистор VT2
закритий,
a VT1
—
відкритий
і на виході встановлюється рівень
напруги, близький до значення UCC
.
Рисунок 3.7 - Схеми логічних елементів НІ на МОН-транзисторах.
Якщо
вхідне напруг
,
то обоє транзистора відкрита й вихідна
напруга
знімається з дільника, утвореного опором
каналів
,
де
RB
і
RH
— опору каналів вхідного й навантажувального
транзисторів. Граничні
напруги для р-МОН
,
а для п
– МОН
.
Схеми елементів HE-АБО й НЕ-І на п – МОН транзисторах показані на рис. 3.8. Елемент АБО-HІ утвориться паралельним з'єднанням вхідних транзисторів (рис. 3.8,а елемент НЕ-І послідовним з'єднанням (рис. 3.8, б).
Рисунок 3.8 - Схеми елементів АБО- HІ й І- НІ на п – МОН транзисторах.
Значення
балка. 0 відображається напругою
,
а балка. 1 — напругою
На виході елемента АБО-
HІ встановлюється
інверсне значення логічної суми вхідних
змінних, а на виході елемента І-НІ
встановлюється інверсне
значення логічного добутку вхідних
змінних. Наприклад, на виході
елемента АБО-
HІ рівень
балка. 0 установлюється при наявності
хоча б на одному
вході одиничного сигналу. На виході
елемента І -НІ рівень балка. 0 установлюється
при збігу високих рівнів напруг на двох
входах, коли одночасно відкриваються
транзистори VT2
і
VT3.
У
комплементарної МОН-структурі (логіка
КМОН) використовуються одночасно р-і
п-канальні транзистори. Елемент НІ в
схемотехніці КМОН побудований на двох
транзисторах з індукованими каналами:
навантажувальному VT2
із
каналом р-типу й
вхідному VT1
із
каналом n-типу (рис. 3.9,а). Виток транзистора
VT2
підключений
до витоку позитивного
живлення
,
напруга
вхідний змінної X
надходить
на затвори обох транзисторів; вихідна
напруга знімається з об'єднаних
стоків.
Рисунок 3.9 - Схеми МОН-структур
При
вхідному рівні
транзистор
VTI
відкритий,
a VT2
—
закритий, оскільки між
його затвором і витоком є нульова
напруга. На виході встановлюється
рівень
і
струм у ланцюзі не протікає. При вхідному
рівні
транзистор VT1
закритий,
a VT2
—
відкритий, тому що між його затвором і
витоком є напруга
.
На виході — рівень
і
струм у ланцюзі не протікає.
На
рисунку 3.9, б
показана
схема КМОН елемента АБО - НІ, у якому
вхідні транзистори
VT1
і
VT2
включені
паралельно, а навантажувальні — VT3
і
VT4
—
послідовно.
Якщо хоча б на одному із входів є рівень
напруги
,
то даний
транзистор відкривається, на виході
встановлюється рівень
,
навантажувальні
транзистори закриті, струм у ланцюзі
не протікає. Якщо на обох входах є рівень
напруги
то
транзистори VTI
і
VT2
закриті,
a VT3
і VT4
— відкриті,
на виході встановлюється напруга
й струм у ланцюзі не протікає.
На
рис. 3.9 показана схема КМОН-елемента
І-НІ, в якій вхідні транзистори
VT1
і
VT2
включені
послідовно, а навантажувальні VT3
і
VT4
— паралельно. Якщо на затвори вхідних
транзисторів одночасно надходять
сигнали
,
то транзистори VT1
і
VT2
відкриваються,
вихідний рівень дорівнює
, навантажувальні
транзистори закриті, струм у ланцюзі
не протікає. Якщо хоча б на одному із
входів є
рівень напруги
,
то
транзистори VTI
і
VT2
закриті,
відкривається один
з навантажувальних транзисторів VT3
або
VT4.
На
виході встановлюється рівень
і
струм у ланцюзі не протікає.
Таким чином, у схемах КМОН у статичному стані протікає дуже малий робочий струм, оскільки при відкритих вхідних транзисторах закриті навантажувальні й навпаки. Сумарна потужність споживання в основному визначається енергією, що витрачається на перезаряд паразитних ємностей.
Промисловість випускає наступні серії КМОН: 176, 564, 561, КР1561 і КР1554. Мікросхеми швидкодіючої серії КР1554 мають функціональну й технічну повноту й включають логічні елементи, тригери, регістри, лічильники, дешифратори, мультиплексори й ін.