- •1 Причины гистерезиса, обусловленного трудностью зародышеобразования 3
- •2 Все про магнитную анизотропию 6
- •3 Все про намагничивание и перемагничивание 16
- •4 Определение лимитирующего звена процесса перемагничивания 36
- •5 Все про рзм-металлы 40
- •Причины гистерезиса, обусловленного трудностью зародышеобразования
- •Гистерезис, обусловленный задержкой смещения границ между доменами
- •Гистерезис, обусловленный задержкой роста зародышей перемагничивания.
- •Магнитокристаллическая одноосная анизотропия (определение, примеры соединений, возможности реализации).
- •Определение поля анизотропии
- •Все про намагничивание и перемагничивание
- •Когерентный механизм перемагничивания
- •НЕкогерентный механизм перемагничивания
- •Явление термического намагничивания.
- •Особенности процессов перемагничивания частиц с переходной доменной структурой.
- •Влияние напряженности магнитного поля при намагничивании на гистерезисные характеристики частиц.
- •Определение поля возникновения зародыша обратной намагниченности.
- •Влияние намагничивающего поля на величину поля возникновения зародыша обратной намагниченности.
- •Влияние размера частиц на величину поля образования домена обратной намагниченности.
- •Определение лимитирующего звена процесса перемагничивания
- •Лимитирующее звено процесса перемагничивания.
- •Критерий лимитирующего звена процесса перемагничивания.
- •Магнитные структуры рзм-металлов.
- •Магнитные структуры соединений рзм-3d металлов.
- •Диаграмма Sm-Co.
- •Магнитные свойства соединений типа SmCo5 (понимание).
- •Магнитные свойства соединений типа Sm2Co17 (понимание).
- •Технология спечённых магнитов SmCo5.
- •Технология спекания и кривая Вестендорфа.
- •Технология измельчения и прессования сплавов магнитов SmCo5.
- •Технология изготовления магнитов из сплавов Sm-Co-Cu.
- •Влияние исходного магнитного состояния на кривую намагничивания и магнитно-доменную структуру сплавов SmCo5.
- •Магнитные свойства Sm2Fe17 — нитридов.
- •Технология производства магнитов Nd-Fe-b.
- •Быстрозакаленные магниты Nd-Fe-b.
- •Первая схема использования полупродукта быстрозакаленного материала.
- •Вторая схема использования полупродукта быстрозакаленного материала.
- •Спин – ориентационный переход в Nd2Fe14b.
- •Нанокристаллические магнитные порошки из соединения Nd2Fe14b.
- •Hddr – технология: технология диспергирования.
- •Методы определения магнитной текстуры спечённых магнитов (общее).
- •Пленочные постоянные магниты.
- •Магнитные свойства порошков Fe-o.
- •Переходная доменная структура
-
Hddr – технология: технология диспергирования.
HDDR - метод измельчения сплава посредством его насыщения водородом и последующей дегазации, так называемое «водородное диспергирование». В технической литературе этот процесс обозначается HDDR (hydrogenation, disproportionation, desorbtion and recombination). Насыщение водородом при температуре 650-680оС приводит к образованию гидридов металлов, в первую очередь гидрида неодима. Так как гидриды металлов имеют другую кристаллическую структуру и удельный объем, то исходный сплав рассыпается в мелкодисперсный порошок. Вакуумирование полученного порошка при высокой температуре 800-900оС приводит к удалению из него водорода и восстановлению соединения Nd2Fe14B. Реакция процесса может быть записана следующим образом:
Nd2Fe14B + (2x)H2 2NdH2x+12FeH.
В последнее время появилось значительное число вариаций этого процесса, в том числе возможность проведения его при одной температуре с изменением во времени давления. Показано, что такой способ измельчения, во первых, приводит к меньшей дефектности частиц, так как процесс измельчения происходит по определенным кристаллографическим плоскостям когерентной связи образующихся фаз, во-вторых, порошок при таком способе получения более однороден по размеру частиц.
(а и б)По границам у нас образуются гидриды.
(в и г)Образец распадается на мелкие частицы.
(д и е)фазы (откачка водорода)
(ж и з) фазы и направление векторов (откачка водорода)
(и) прикладываем внешнее поле, направляем вектора в одну сторону.
-
Методы определения магнитной текстуры спечённых магнитов (общее).
1) Рентгеновский метод
Рассмотрим анализ аксиальной текстуры с помощью дифрактометра. Образец вырезают либо перпендикулярно оси ориентировки, если размеры его сечения достаточны для получения дифракционного спектра, либо параллельно оси ориентировки. Съемку проводят так же, как и при построении ППФ ограниченной текстуры, Определение оси аксиальной текстуры. Ось аксиальной текстуры <uvw> находят из анализа кривых I(α) Для этого не требуется строить и анализировать ППФ. Для нахождения <uvw> определяют углы αmax, соответствующие пикам дифракционной кривой I(α), которые связаны с углом р между плоскостями совокупности {hkl} и осью текстуры <uvw> соотношениями. Рассеяние текстуры оценивается как ширина пика в градусах на кривой I(α). Анализ аксиальной текстуры с помощью дифрактометрических кривых I(α), исправленных на дефокусировку, является экспрессным методом, так как съемка кривых I(α) для интервала углов от 0 до 70 - 75° занимает 15 - 20мин, а анализ текстуры по этим кривым для нескольких HKL c помощью таблицы углов между направлениями — несколько минут.
2) Метод нейтронографии.
Благодаря отсутствию заряда у нейтрона и наличию у него магнитного момента взаимодействие нейтронов с электронной оболочкой ионов, образующих кристалл, имеет магнитную природу. Интенсивность рассеяния нейтронов, обусловленная магнитным взаимодействием, оказывается сравнимой с интенсивностью их рассеяния на ядрах. Однако поскольку условия запрета для дифракционных пиков, соответствующих ядерному и магнитному рассеянию, различны, переход в магнитоупорядоченное состояние может сопровождаться появлением новых пиков на нейтронограммах. Нейтронографический метод позволяет определять не только период магнитной структуры, но и ориентацию магнитных моментов подрешёток.
3) Определение степени текстуры
Об отношении можно судить о степени текстуры.
j = arctg(2Brp/Br) (4),
Br и Brp – значения остаточной намагниченности на петлях гистерезиса, измеренных вдоль и поперек оси текстуры соответственно, при этом
aT = cos j (5).
Также использовали традиционное выражение:
aT = Br/Bs (6),
В качестве значений Bs применяли значения намагниченности, измеренные в импульсном поле напряженностью 150 кЭ - B150.