Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
МОЙ КУРСОВОЙ БЛЯТЬ.doc
Скачиваний:
17
Добавлен:
17.12.2018
Размер:
2.86 Mб
Скачать

4. Проектирование структурной и функциональной схем су спп

С

Uсети

A B C

труктурная схема представлена на рисунке 4.1. В схеме используется цифровая система импульсно – фазового управления (СИФУ).

Рисунок 4.1.Структурная схема системы управления преобразователем

УСфА, УСфВ, УСфС - устройстрва синхронизации фаз А, В, С. Необходимы для гальванической развязки сети и СУ;

ОВ1, ОВ2, ОВ3 - одновибраторы, вырабатывают короткий импульс сброса счетчика, соответствующий переходу сетевого напряжения через 0;

СЧК - счетчик, в зависимости от частоты поступающих импульсов, формирует угол открывания.

ПНЧ – преобразователь “напряжение -частота”. Преобразует пропорционально-аналоговый сигнал управления в частоту;

РИ – распределитель импульсов, распределяет импульсы на соответствующие ключи в зависимости от знака питающего напряжения;

ВФ – выходные формирователи, для усиления импульсов управления и гальванической развязки силовой части преобразователя и СУ.

Функциональная схема представлена на рисунке 4.2.

Рисунок 4.2. Функциональная схема СИФУ

5. Выбор типов аналоговых и цифровых имс

В процессе проектирования принципиальной схемы будем использовать только цифровые микросхемы. Это обусловлено тем, что нет необходимости усложнять схему цифровой СИФУ, используя аналоговые интегральные микросхемы.

В качестве ПНЧ была использована микросхема типа КР1108ПП1 с номинальным напряжением питания 15В. Типовая схема представлена на рисунке 5.1.

Электрические параметры микросхемы КР1108ПП1:

Напряжение питания UИ.П.=15 В.

Ток потребления IПОТР не более 7 мА.

Входное напряжение высокого уровня не менее

0,9 В; не более 3,0 В.

Входное напряжение низкого уровня не менее

-3,0 В; не более -0,9 В.

Выходное напряжение высокого уровня не

менее 2,4 В;

не более 15,75 В.

Рабочий диапазон температур: (-10…+85) 0С.

Рисунок 5.1. Принципиальная схема ПНЧ, реализованного на базе ИМС КР1108ПП1

В качестве счетчиков была использована микросхема типа К511ИЕ1 с номинальным напряжением питания 15В. Типовая схема представлена

на рисунке 5.2.

Электрические параметры микросхемы К511ИЕ1:

Напряжение питания UИ.П., не более 18 В.

Ток потребления IПОТ, не более 36 мА.

Выходной ток по выводам:

– 2,4,5,6,9,12,

не более 0,005 мА,

– 8, не более 0,02 мА,

Рабочий диапазон температур ,(-25…+90)0С.

Рисунок 5.2. Принципиальная схема счетчика, реализованного на базе ИМС К511ИЕ1

6. Проектирование принципиальной схемы и электрический расчет функциональных элементов су спп

На основании выбранной функциональной схемы СУ преобразователем и выбранных типов цифровых ИМС, необходимо спроектировать принципиальные электрические схемы отдельных функциональных элементов и произвести их электрический расчет, т.е. рассчитать величины резисторов, конденсаторов, произвести расчет транзисторов, диодов. Далее из справочника выбирается конкретный тип элемента с указанием его основных технических характеристик.

6.1. Расчет устройства синхронизации

Источник синхронизирующего напряжения выполнен на оптопаре V11

Входной фильтр на R7 - C7 обеспечивает устранение высокочастотных искажений (помех) в напряжении сети, кроме того он сдвигает напряжение (напряжение синхронизации соответственно) для создания необходимого диапазона регулирования фазы импульсов управления.

В качестве опторазвязки выбираем оптопару АОТ123А со следующими параметрами:

-максимальное коммутируемое напряжение: Uком.max=50 В;

-максимальное обратное напряжение: Uобр.max=2 В;

-максимальный входной ток: Iвх.max=30 мА.

-максимальный выходной ток: Iвых.max=10 мА.

-количество каналов:1.

-выходное остаточное напряжение: 0,3 B.

-Рабочий диапазон температур, (-60…+70)0С.

Необходимый угол сдвига можно найти из выражения

Примем . Зададимся значением С7 =1 мкФ. Тогда

кОм

Резистор R9 выбираем из условия ограничения входного тока VТ1:

Ом;

Вт,

где Uип1=15В;

Выбираем транзистор КТ603А со следующими параметрами:

Imax =300 мА, Uкэ=30 В, β=40.

По формуле находим ток базы транзистора VT1:

мА.

кОм.

кОм.

Вт.

кОм.

Вт.

кОм.

Вт.

Выбираем диод VD1: КД205А(Uобр.max=500В ; Iпр.max=0.3A).

С7: МБМ-440В-1мкФ.

R7: МЛТ 0,25Вт– 2,0кОм .

R8: МЛТ 0,25Вт– 300Ом .

R9: МЛТ 2Вт– 1,5кОм .

R10: МЛТ 0.1Вт – 2,7кОм.

R11: МЛТ 0.5Вт – 510Ом .