- •Глава 1 структурные модификации бора: особенности строения и свойств
- •1.1 Терминологическая классификация нанотубулярных структур
- •1.2 Возможные структурные модификации элементарного бора
- •1.2.1 Структура и свойства кластерной формы бора
- •1.2.2 Структура и свойства триангулярных борных слоев и кластеров
- •1.3 Электронное строение нанотруб на основе бора: теоретические предсказания
- •1.3.1 О возможности существования нанотубулярных форм бора
- •1.3.2 Теоретические исследования структуры различных борных нанотруб
- •1.3.3 Теоретические исследования проводящих характеристик борных нанотруб
- •1.4 Получение однослойных борных нанотруб
- •1.5 Структура борных нанотруб, допированных магнием: теоретические исследования
1.2 Возможные структурные модификации элементарного бора
1.2.1 Структура и свойства кластерной формы бора
Бор относится к немногочисленной группе химических элементов, образующих в конденсированной форме большой спектр модификаций.
Нейтральная конфигурация атома бора 1s22s22p1. Данная конфигурация неустойчива и при формировании конденсированного состояния стремится перейти в более стабильную s1p3, например, в результате одноэлектронных переходов 2s2p1 ↔2s1p2↔2s1p3+s1p1 .
Для реальных твердофазных модификаций бора возникает, как правило, набор гибридных конфигураций sxpу за счет электронного обмена между атомами бора; при этом достижение относительной энергетической стабильности конфигураций может осуществляться различными способами, что находит отражение в широком многообразии структур и специфике свойств конденсированного бора.
Стремление к образованию s1p3-конфигураций определяет выраженные акцепторные свойства бора, его способность к захвату внешних электронов разнообразных примесей. Это приводит к известным проблемам получения конденсированного бора высокой чистоты, особенно в виде монокристаллов.
Для кристаллического беспримесного бора [26] достижение оптимальной электронной конфигурации реализуется за счет образования сложных структурных мотивов атомного упорядочения, включающих различную комбинацию полиэдрических группировок (в основном, икосаэдров). При этом формирование конкретной стабильной конфигурации может проходить через ряд промежуточных (менее устойчивых) конфигураций, что определяет лабильность бора к полиморфным превращениям и структурное многообразие его кристаллических модификаций.
Помимо кристаллического широко известны аморфное (стеклообразное) и смешанное состояние элементарного бора, когда в образцах аморфного бора содержатся включения кристаллического бора (как правило, в виде пленок).
В последнее время в связи с успехами в области физикохимии углеродных наноматериалов развиваются работы по методам получения и исследованию свойств бора в форме свободных кластеров (нейтральных или ионных) или их ассоциатов. Предполагается также возможность образования квазикристаллов на основе элементарного бора.
Многообразие состояний конденсированного бора определяет необходимость разработки последовательной теории его электронно-энергетического строения с помощью современных вычислительных методов квантовой химии твердого тела и моделирования (и прогноза) его свойств [26].
В настоящее время различают следующие конфигурации борных слоев, разделенных на несколько категорий: гексагональные слои аналогичные графену; триангулярные и буклированные слои {1212}; реконструированные {1221} слои; слои, основанные на икосаэдрической симметрии; слои низкой симметрии и гибридные слои (рис. 1.2.1) [27].
Рис. 1.2.1 Виды борных слоёв: a) гексагональный графеноподобный; б) триангулярные и буклированные {1212}; в) реконструированные {1221}; г) икосаэдрические; д) низкосимметричные; е) гибридные
Можно предположить возможность образования тубулярных форм бора путем скручивания борных слоев различных конфигураций. Данная возможность была предсказана ещё Ивановским А.Л. [28]