
- •Физико-химические основы технологии электронных средств
- •Раздел 1. Химическая термодинамика
- •Введение
- •Внутренняя энергия. Как уже отмечалось уравнением ( ), внутренняя энергия является характеристической функцией при независимых переменных V и s, т. Е.
- •Энтальпия. Энтальпия является характеристической функцией при независимых переменных р и s, т. Е.
- •Раздел 2. Технологические процессы
- •1. Эпитаксия кремния Введение
- •1.1. Хлоридный метод
- •1.1.2.Кинетика и микромеханизм кристаллизации азс
- •1.1.3. Температурная зависимость скорости роста. Механизм хлоридного процесса.
- •1.1.4 Взаимосвязь условий формирования эпитаксиальных слоев и их структурных параметров.
- •1.2. Гидридный метод
- •1.2.1. Термодинамический анализ пиролиза силана.
- •1.2.2. Кинетика и микромеханизм кристаллизации аэс при пиролизе силана
- •1.2.3. Гетероэпитаксия кремния на сапфире
- •2.3. Диффузия из конечного ( ограниченного ) источника.
- •2.4. Методы осуществления диффузии.
- •2.5. Создание диодных структур.
- •2.6. Распределение примесей в транзисторной структуре.
- •3. Ионное легирование
- •3.1. Теоретические сведения
- •3.2. Распределение концентрации примеси в слое.
- •3.3. Образование радиационных деффектов.
- •3.4. Отжиг легированных структур.
- •3.5. Формирование диодных и транзисторных структур.
- •3.6. Оборудование для ионного легирования.
- •3.7. Преимущества и недостатки ионного легирования
- •4. Метализация
- •4.2. Конденсация.
- •4.3. Влияние температуры и пересыщения на скорость роста пленки
- •Исходные данные для расчетов при металлизации по кремнию
- •4.4. Установка для металлизации.
- •5. Формирование химических источников тока
- •5.1. Теоретические предпосылки
- •5.2. Термодинамика гальванического элемента.
- •5.3. Температурная зависимость э.Д.С.
- •5.4. Зависимость э.Д.С. От концентрации электролитов
- •Литература
1.1.2.Кинетика и микромеханизм кристаллизации азс
Основная цель кинетических исследований состоит в определении условий оптимального практического осуществления процесса и выяснения его механизма. При проведении кинетических исследований необходимо учитывать две особенности процесса.
Во-первых, при водородном восстановлении кремния из его тетрахлорида исходные реагирующие вещества и образующийся в результате реакции элементарный кремний находятся в разных фазах, следовательно, процесс протекает на границе раздела фаз и является гетерогенным.
Во-вторых, микромеханизм роста автоэпитаксиальных слоев кремния изменяется в зависимости от температуры и состава ПГС и может быть описан в соответствии со схемой пар -> АЭС кремния или в соответствии со схемой пар -> жидкость -> АЭС кремния.
Анализируя в свете теории гетерогенного реагирования основные кинетические характеристики хлоридного процесса, уместно отметить некоторые общие закономерности гетерогенных реакций.
Гетерогенные процессы имеют следующие стадии:
1)доставка реагирующих веществ к поверхности раздела фаз путем молекулярной и конвективной диффузии;
2)физическая или химическая адсорбция реагирующих
веществ;
3)взаимодействие адсорбированных веществ на поверхности и образование продуктов реакции, пребывающих в адсорбированном состоянии;
4 и 5) десорбция продуктов реакции с поверхности и удаление их в газовую фазу.
Таким образом, гетерогенный процесс в целом включает три категории стадий, диффузионную, адсорбционную и собственно химическую(кинетическую). Суммарная скорость гетерогенного процесса зависит от соотношения скоростей отдельных его стадий и определяется наиболее медленной
( лимитирующей ) стадией.
При протекании процесса в кинетической области наблюдаемая суммарная скорость процесса совпадает с истинной скоростью реакции на поверхности , и концентрация реагирующих веществ у поверхности совпадает с концентрацией в объеме. В этой области наблюдаемая скорость процесса (vпр) зависит от внешних параметров так же, как и истинная скорость реакции, т.е. от концентрации реагирующих веществ ( в соответствии с механизмом реакции) и от температуры ( в соответствии с уравнением Аррениуса):
vпр = vкинет = Nexp(-Eакт/RT)
Константы N и Еакт находят из графика температурной зависимости скорости процесса [lnvпр - f(1/Т)], при этом величина N определяется по отрезку, отсекаемому прямой линией на оси ординат (1/Т = 0), а энергия активации реакций Еакт = -tgR0 , где - угол наклона на прямой Аррениуса; R0 - универсальная газовая постоянная.
В кинетической области скорость реакции не зависит от скорости газового потока и должна быть строго пропорциональна величине свободной реагирующей поверхности (сорбционной емкости).
В диффузионной области наблюдается противоположный предельный случай. Скорость процесса всецело определяется скоростью диффузии реагирующих веществ, концентрации реагирующих веществ у поверхности раздела фаз (Спов) будут гораздо ниже, чем в объеме (Соб). Очевидно, что в диффузионной области кинетика процесса не имеет ничего общего с истинной кинетикой реакции на поверхности. Все реакции в диффузионной области имеют первый порядок по концентрации реагирующего вещества. В диффузионной области скорость реакции обязательно зависит от скорости газового потока и газодинамических условий в системе и от температуры; энергия активации в этой области 4-12 кДж/моль.
В промежуточной области обе стадии протекают с сравнимыми по величине скоростями. В промежуточной области существует градиент концентраций реагирующих веществ в объеме и у поверхности раздела фаз, и в этом случае аналитическое выражение скорости процесса соответствует уравнению
v = q (Соб - Спов),
где q - константа скорости диффузии, Соб - концентрация реагирующих веществ в объеме.
Характер стадийности конкретного гетерогенного процесса зависит в первую очередь от механизма его протекания.