- •Билет №1. Основные схемные элементы и их модели. Основные законы электрических цепей постоянного тока.
- •Билет№2. Эл. Сигналы, их классификация и пар-ры. Формы представления сигналов: аналит, граф и спектральная.
- •Билет №3. Спектральные диаграммы периодич и непериодич сигналов.
- •Билет №4. Типовые воздействия в эл цепях. Схемные функции и их связь с диф ур-ем цепи. Част и врем хар-ки эл. Цепей.
- •Билет №5. Символический метод расчёта цепей переменного тока, основные законы в символьной форме записи. Применение символического метода расчёта при негармонич сигналах.
- •Билет №6. Активная, реактивная и полная мощность.
- •Билет №7. Класс метод расчёта перех проц-в. Осн законы коммутации.
- •Билет №8. Опер метод расчёта эл цепей. Прим-е опер метода д/расч пп.
- •Билет №9. Суперпозиционные методы расчётов цепей при непериодических воздействиях.
- •Билет №10. Четырёхполюсные элементы эл цепей. Классификация, системы ур-й и схемы замещения.
- •Билет №11. Схемы соединения 4хп. Частотные и временные хар-ки каскадного и параллельного соединений.
- •Билет №12. Частотные и временные хар-ки цепей, искажения сигналов в эл цепях и их оценка.
- •Билет №13. Схемы с обратными связями, их хар-ки и параметры.
- •Билет №14. Трансф-р как 4хп. Эквивал сх, ч и Вр хар-ки трансф-ра.
- •Билет №15. Электронно-дырочный переход, его св-ва и вах. Эквивалентные схемы и параметры идеализированного и реального p-n переходов.
- •Билет №16. Выпрямительные диоды. Их пар-ры. Экв схемы, вах. Применение выпрямительных диодов в блоках питания.
- •Билет №17.
- •Билет №18. Билет №19. Билет №20. Билет №21.
- •Модель Молла-Эберса бт.
- •Линейные эквиваленты бт. Частотные св-ва. Базовые сх вкл-я бт, их хар-ки, раб и пред пар-ры.
- •Билет № 22. Билет №23. Билет №24. Пт. Классиф-я, принцип действия, вах, осн пар-ры. Эквивалентные представления пт, их част св-ва.
- •Билет31. Дифференциальный каскад, схемы сдвига уровня.
- •Билет №25.
- •Билет №30. Упт. Дрейф нуля. Послед соед каскадов с оэ в упт. Сх сдвига уровня в упт.
- •Билет №28.
- •Билет №27.
- •Билет №32. Источники вторичного электропитания. Параметрические и компенсационные стабилизаторы напряжения.
- •Билет №33.
- •Билет №34.
- •Билет №26. Билет №29.
Билет №14. Трансф-р как 4хп. Эквивал сх, ч и Вр хар-ки трансф-ра.
Трф предст собой э/м уср-во, осущ преобр-е эл энергии ~ тока с одним зн-ем напр-я или тока в эл энергию ~ тока той же частоты с др зн-ем напр-я или тока. По назн-ю трф м.б. силовые, согласующие и импульсные. По кол-ву обмоток: однообмоточные, 2-х и много-. По кол-ву фаз обмоток: одно- и многофазные. По хар-ру изм-я напр-я или тока: повышающие или понижающие.
1) Сил трф предназн для преобр-я и распред-я эл энергии в технологич целях (н-р, для питания радиоаппаратуры):
2) согл исп для согл-я напр-й или сопр-й м/у звеньями в усилителе. при этом они м.б. входные для связи с ист вх сигнала, промежут для связи каскадов усилителя м/у собой и вых для связи с нагрузкой.
3) Импульсные исп в частности для управл-я ключ схемами.
4) 1-нообмоточные – это автотрансформаторы. Помимо э/м связи м/у обмотками есть и чисто эл связь.
- э/м схема простейшего 2-х обмоточного трансформатора на ферромагнитном сердечнике.
При наличии ~ напр-я на 1-й обм, создающего ~ ток, возникает магн иоток стали, след-но, созд-ся ЭДС самоиндукции в перв и во вт обмотках. Под воздействием ЭДС во втор обм при наличии нагрузки через нагр протекает ток. От каждого из токов i1 и i2 создаётся поток рассеяния. Можно определить коэф-т трансформации схемы:
n=e1/e2=E1/E2I2/I1=w1/w2.
Эквивал схема трф как 4хп.
Эквив схемы трф м.б. представлены отдельно для первич и вторич обмоток и в целом для всего трф.
_
Поскольку любой м/поток связ-ся с соотвL-ю, то можно вместо e1 и е2 в общ экв схеме исп общ экв L-ть в цепи намагничивания. Общ экв схема м.б. представлена в 3-х видах: Т-, Г-, и П-образная. (на рис Т-образная)
В этой сх все пар-ры со штрихами – это приведённые к первич обмотке зн-я пар-ров вторич цепи:
r2’=n2r2, Ls2’=n2Ls2, Zн’=n2Zн, U2’=nU2, i2’=i2/n.
С учётом прив экв схем трф имеет собств АЧХ, ФЧХ и h(t).
В соотв с част хар-кой рассм перех хар-ки трф-ров 2-х диапазонов: для малых и больших времён:
Значит возникает ещё одно искажение – время задержки.
Т.о. трф может исп:
1) для изменения вел-ны тока или напр-я,
2) для разделения по пост сотавляющей
3) как элемент задержки.
Билет №15. Электронно-дырочный переход, его св-ва и вах. Эквивалентные схемы и параметры идеализированного и реального p-n переходов.
p-n- это область контакта м/у пп p-типа и n_типа. при отсутствии внеш э/п в p-области осн носит >, чем неосн носит n-типа. В пп n-типа осн нос n-типа > неосн p-типа. Если переход симм, то носителей одинак. кол-во.
Всилу разницы в концентрации зарядов сущ диффузия зарядов из той обл, где они было осн, туда, где их мало. Т.е. такой ток дифф-ый. В приконтактном слое нехватка осн носит зарядов и вp-обл усть неподв отриц ионы, в n-обл – полож ионы, т.е. это слой с больш сопр-ем.
В обл контакта пп можно рассм как собств
- объёмные заряд, след-но обр-ся напр-ть внутр поля, след-но в p-n переходе будет присутствовать дрейфующая составляющая тока. Из n в p идёт дрейфовый ток неосн носителей зарядов и з р в n тоже. Т.о. все токи друг друга компенсируют без внеш поля и итоговый ток Iдиф+Iдрейф=0. Iдиф=Iдрейф=I0–тепловой ток.
Можно приложить внеш напр-е 2 способами:
1) прямое включение p-n перехода («+» к р, «-» к n)
2) обратное (наоборот).
С т.зр. зонной теории:
1) => пот барьер уменьш, т.е. уменьш искривл зон пп => обл-ть объёмного заряда уменьш => сопр-е уменьш => облегчается процесс диффузии => I диф растёт.
m – технологич коэф,
Т – темп потенциал (для комн темп = 25,5 мВ)
2) пот барьер > => расш обл p-n перехода => сопр-е > => затруднение диффузии => остаётся только I дрейф.
Т.о. в целом ВАХ выглядит так:
Выводы:
1) p-n переход имеет собств сопр-е и оно меняется при разном способе включения.
2) p-n переход можно рассм как конденсатор, вел-на кот зав от внеш напряжения: C=f(Up-n)=Cобъём зар+Cдиф зар
3) у p-n перехода есть выпрямляющие св-ва.
Реальный p-n переход.
Отличия:
При нормированном содержании примесей 1016 – 1018 1/см3
- ВАХ опред типом матер-ла. а) для герм, б) для кремн
- реал хар-ка имеет свой наклон и имеет обр ток, определяемый 3-мя сост: Iобр=I0+IТ+Iу (ток термогенерации за пределами перехода + ток термогенерации в переходе + ток утечки по поверхности перехода)
- реал хар-ка зав от темп-ры, т.е. при увел Т ВАХ меняется:
- при увелич кол-ва примесей изм вид ВАХ, т.е. переход будет создаваться в вырожденных пп, т.е. переход тонкий. В вырожд пп энерг уровень Ферми примеси нах в разреш зоне => все заряды ниже уровня Ферми. И сущ-ют туннельные переносы зарядов. Такой вид соотв туннельным диодам.
Если кол-во примесей критично (на границе), встреч у обращён-х диодов то:
- в реал переходах при обратном вкл сущ пробой. Их 2 вида: тепловой (разрушает переход, т.е. невосстановимый) и электрический (неразрушающий). Последний бывает 3-х видов: тун. типа (если тонкий переход), лавинного типа (толстые переходы и большие напряж-я), поверхностный. ВАХ такая:
- реал переход содержит области, смежные с ним. И реал прибор обычно имеет несим переход, т.е. pp>>nn.
Эквиваленты p-n перехода:
1) нелинейный. К нему отн ВАХ (её граф и аналит опис-е). Исп для описания статич режима схем и для опис режима большого сигнала. Сам диод (ид диод с собств сопр на обр цепи и с учётом сопр-я базы):
2) линейный: 2 типа: а) физ лин модель и б) по ВАХ.
а) - малосигнальная модель, т.е. пар-ры диф-е, их зн-я разные для разных участков ВАХ
Сp-n=С диф+Сбар=dQдиф/dUпр+C0/(1+Uобр/0)
r p-nпр=dUпр/dIпрТ/Ip-n
б) – это ре-т кусочно-лин апроксимации ВАХ => 3 разновидности экв схем:
Наряду с тепл процессом обр-я св зарядов есть э/м процессы, н-р фотоэффект. Исп в фотодиодах.