1.Сколько поколений элементной базы можно выделить.

В основе развития эл-ки лежит непрерывное усложнение функций выполняемыми элек-ными устройствами(устр-ми).

Основными факторами вызывающие необходимость в разработке новых электр. утр-ств на баз.: яв-ся повышенная надёжность, уменьшенные габариты, малая потребляемая мощность и стоимость.

В зависимости от применения можно выделить 4-е основные поколения развития эл-ки.:

I поколение. 1904-1950г. – лампы харак-ся тем, что основу элек-ой базы электр. устр-ств составляли: электровакуумные приборы, в к-ых пространство изолировано газом, имеют высокой ионизацией или заполнены защит. или парами. «-» - габариты, надёжность недостаточная. Плотность γ – 0,001÷0,003 елемен./см³.

II поколение. 1950 – 1960 гг. γ = 0,5 елем./см³. харак-ся применением в к-ом одной элем-ой базе элект. полупроводниковые приборы (транзистор, диоды, тиристоры). Сборка ЭУ – осуществим – автоматически, с использованием печатного монтажа.

III поколение. 1960-1980гг. харак-ся развитием микроэлек-ки и интегральных схем и микросборок. γ = 50 елем./см³.

Интегральная схема представляет собой совокупность несколько взаимосвязанных элементов, уст. изготовленных в едином технологичном цикле, т.е. одновременно на одной и той же несущей конструкции (подложке) и выполняющую определён. ф-ции в преобразовании информации.

Микросборка представляет собой интегр. схему, в составе к-ой входит однотипный элементы (транз., диоды).

IV поколение. 1980-наше время. γ ≥ 1000 елем./см³. – микроминтюризация элем. БИС и СБИСах. Надёжность их, миниатюрные габариты, вес, и позволяют полностью обеспечить требуемые алгоритмы требуемой обработки информации.

3.Что понимается под квантованием сигнала.

Дискретные электрон. устр-ва предназначены для приёма , преобразования и передачи электрич. сигналов путём квантования (Квантованием называется процесс замены непрерывного сигнала его значениями в отдельных точках по времени или уровню исходной аналоговой ф-ции x(t).

Действующий сигнал пропорционален выбранному конечному числу по определенному значению закону. значению от реальной фигуры величины, отображаемой в виде различных параме. импульсов или перепадов напряжения или тока.

Дискретн. ЭУ по типу квантования систем подразделяются на 3 подкласса: импульсные; релейные; цифровые.

10.Принцип действия стабилитрона. Вах и схема включения. Стабисторы.

Стабилитроны (Опорные диоды) – предназначен для стабилизации напряжения, работает на обратной ветви ВАХ. На участке со слабой зависимостью напряжения от протекающего тока, подключается к источнику U в обратном направлении (катод – « + », аноду – « – »).

Нагрузка(потребитель) включена параллельно стабилитрону. Поэтому в режиме стабилизации, когда напряжение на стабилитроне остаётся почти постоянным, такое же напряжение будет и на нагрузке. Все изменения напряжения источника Е при его нестабильности почти полностью поглощаются ограничительным резистором Rогр.

Наиболее часто стабилитрон работает в таком режиме, когда напряжение источника нестабильно, а сопротивление нагрузки Rн постоянно. Для установления и поддержания правильного режима стабилизации в этом случае сопротивление Rогр. должно быть вполне определённым.

Если напряжение Е станет изменяться в ту или другую сторону, то будет изменяться ток стабилитрона, на напряжение на нем, а, следовательно, и на нагрузке останется почти постоянным.

Стабилизация в более широком диапазоне изменений Е возможна при увеличении Rогр. Большее Rогр получается при меньшем Iн, т.е. при большем Rн. Повышение Еср также даёт увеличение Rогр.

Работу схемы в данном режиме (изменение Rmin -> Rmax при Е=const) можно объяснить так. Поскольку Rогр постоянно и падение напряжения на нем, равное E – Uст, также постоянно, то и ток в Rогр, равный Iср + Iн.ср , должен быть постоянным. Но это возможно только в том случае, если ток стабилитрона I и ток Iн изменяются в одинаковой степени, но в противоположные стороны.

Для получения более высоких стабильных напряжений применяется последовательное соединение стабилитронов. Рассчитанных на одинаковые токи. Вследствие разброса характеристик и параметров отдельных экземпляров стабилитронов данного типа их параллельное соединение с целью получения больших токов не рекомендуется. Оно допускается только при условии, что суммарная мощность, рассеиваемая на всех стабилитронах, не превышает предельной мощности одного стабилитрона.

Д-ды в кот исп св-во незначительного изм. обр. напр-я на p-n - пререходе при электр (лавинном или туннельном) пробое наз-ся п/п стабилитроном. ВАХ:

Рабочим участком ВАХ п/п. стаб. явл. уч-к 1-2 обр. ветви хар-ки. Осн парам-ми явл: 1)U стабилизац U_ст; 2)Min ток. стабилиз I_{ст min}; 3) Мах ток стаб I_{ст мах};

4) Динамическое или дифференц-е сопротивл-е R_д; R_д хар-ет наклон раб точки учс-тка.(1-2): R_д=d/d(I) ≈∆U_ст/∆I_ст; 5) Прямое сопр R_пр; Прямое сопр в раб точке А опре по ф-ле: R_н=U_aI_а 6) Темп. коэф. напр. стаб. (ТКН). ТКН хар-ет измен U_cт в % при изм t-ры окр среды на 1⁰С. Он может сост то 0,0005 до 0,2 %.

Напряж стаб. стабилитроне и стабисторе лежит в пределе от 0,7 до 180 В. Min ток стаб I_{ст min} может изм от 10-х долей до 180В. I_{ст max} огр-ся допус-тимой мощностью рассеивания и м/б от 2мА до 1,5мА.

Стабилитроны прим в схемах || стаб U. Раб точка п/п. стабистора обычно выбир в середине уч-ка 1-2:

I_ст=(I_{cт min}+I_{ст мах})/2.

Для данной схемы можно сост ур-е Кирхгофа. (по 2-3 з-ну):

Е=R_б/(I_п+I_уст)+U_ст.

найдем изм напр стабил-ции при изм напр ист пит-я:

∆Е=∆U_ст+R_б(∆I_п+∆I_cт)=

∆U_cт+R_б(∆U_cт/R_п+∆U_ст/R_д)

∆U_ст=∆Е/(1+R_б/R_п+R_б/R_д);

R_б/R_д>>1, получим ∆U_ст<<∆Е ,т.е. напр на нагр и стабил-не измен знач-но < чем напр исп пит.

При измен R_п измен I_п на вел-ну ∆I_п; тогда при Е=const ∆I₀=∆I_п-∆I_ст при этом изм напр стаб-ции:

∆U_ст=R_б(∆I_п-∆I_ст)=R_б(∆I_п-∆U_ст/R_д)

∆U_ст=R_бI_п/(1+ R_б/R_д)

 чем увел. отклонение R_б/R_д тем увел.стабилизация напр на нагр-ке. Однако при очень > R_б расс мощн на нем так же увел, падает КПД. устройства.

Стабисторы исп. для стабил низк напр.

Они раб на прямой ветви ВАХ. ЭДП.